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[发明专利]电致变色器件及其制造方法-CN202180022401.5在审
发明人：龚彦诚;M·乔巴努;刘宇航 -专利权人：弗尔甚普股份公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G02F1/1503 文献下载
摘要：本发明涉及一种电致变色器件、一种用于沉积有机电致变色材料的方法和一种生产电致变色器件的方法。器件优选地是电致变色显示器、优选地全色电致变色显示器。器件优选地包括电沉积有机电致变色材料和/或聚合有机电致变色材料。
变色器件及其制造方法

[发明专利]功率金属氧化物半导体场效应晶体管触点金属化-CN200780017243.4有效
发明人：罗纳德·旺格;贾森·奥伊;凯尔·特里尔;陈阔因 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2007-05-11 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种结构，优选地包括形成在基板中的半导体器件；邻接于半导体器件的绝缘体；电耦合于半导体器件的电触点，其中，电触点优选地包括钨；以及，耦合于电触点的电连接器，其中，电连接器优选地包括铝。绝缘体的表面和电触点的表面优选地形成基本平坦的表面。
功率金属氧化物半导体场效应晶体管触点金属化

[发明专利]金刚石电子发射器及使用其的电子束源-CN200480018499.3无效
发明人：辰巳夏生;西林良树;今井贵浩 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-09-15 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：提供了一种比传统器件更小的、能够在更低电压下、更有效地进行操作的电子发射器件。该器件包括用于向阴极照射光线的光发射器件，其中至少阴极的电子发射面是由金刚石做成的。通过按照这种方式组成器件，可以使抽出电子的电压比传统器件降低很大余量，并因此获得能够以低电压进行操作的小器件。优选地，将光发射器件与阴极形成一个单元，同样优选地，光发射器件和电极是由金刚石做成的。此外，优选地，阴极的电子发射面是n－或p－型金刚石半导体。
金刚石电子发射器使用电子束

[发明专利]显示器件和照明系统的组件-CN01801887.4无效
发明人： C·G·A·霍埃伦;G·哈伯斯 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司;荷兰鲁米勒德斯照明有限公司
申请日： 2001-04-18 - 公布日： 2002-12-04 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：一种系统包括带有由控制电路(8)控制的图象(3)的图形的显示器件和用于照明显示器件的背底照明系统,其中背底照明系统包括发光面板和与发光面板相关的光源(16、16’、16”、…)。优选,用显示器件要显示的图象的光水平改变LED(16、16’、16”、…)发射的光的强度。优选,可在帧－帧基础上控制背底照明系统发射的光的强度,而且,优选,用于每种颜色。优选,LED包括多个红、绿、蓝(和琥珀色)LED,它们每个优选具有至少51m的光通量。要在显示器件的显示屏上显示的图象的色点由背底照明系统设置,并使为显示器件要显示的图象获得的对比度最佳化。
显示器件照明系统组件

[发明专利]用于电子器件的化合物-CN201280037875.8在审
发明人：埃米尔·侯赛因·帕勒姆;克里斯托夫·普夫卢姆;安雅·雅提斯奇 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于电子器件中的化合物，优选用于有机电致发光器件中的化合物。本发明还涉及用于制备所述化合物的方法，并且涉及包含所述化合物的电子器件，所述化合物优选作为基质材料和/或作为电子传输材料发挥作用。
用于电子器件化合物

[发明专利]包含导电聚合物的制剂及其在有机电子器件中的用途-CN201380049602.X有效
发明人：海因里希·贝克尔;苏珊·霍伊恩 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及包含掺杂的导电聚合物的制剂，所述制剂由于出色的空穴注入性质和高导电性，非常适合用于有机电子器件、优选有机电致发光器件中，特别是其缓冲层中。本发明因此还涉及本发明的制剂在有机电子器件中、优选在电致发光器件中、特别是在其缓冲层中的用途。
包含导电聚合物制剂及其有机电子器件中的用途

[发明专利]具有放电电路的微机电系统器件-CN201580031997.X有效
发明人： J.F.梅森;D.C.巴特尔;D.S.怀特菲尔德;D.T.佩措尔德;D.居内什;P.T.迪卡洛 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：具有放电电路的微机电系统(MEMS)器件。在一些实施例中，MEMS器件可以包括基板和在基板上所实施的机电组件。MEMS器件还可以包括关于机电组件所实施的放电电路。放电电路可以被配置为在影响机电组件的放电条件期间提供优选的电弧放电路径。MEMS器件可以例如是开关器件、电容器件、陀螺仪传感器器件、加速度计器件、表面声波(SAW)器件或者体声波(BAW)器件。放电电路可以包括具有被配置为促进优选的电弧放电路径的一个或多个火花间隙元件的火花间隙组件。
具有放电电路微机系统器件

[发明专利]用于电子器件的化合物-CN201711001915.4有效
发明人：埃米尔·侯赛因·帕勒姆;克里斯托夫·普夫卢姆;安雅·雅提斯奇 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C07F9/53 文献下载
摘要：本发明涉及用于电子器件中的化合物。具体地，本发明涉及优选用于有机电致发光器件中的化合物。本发明还涉及用于制备所述化合物的方法，并且涉及包含所述化合物的电子器件，所述化合物优选作为基质材料和/或作为电子传输材料发挥作用。
用于电子器件化合物

[发明专利]发光显示装置-CN201680066813.8有效
发明人： M·许布纳;F·卡尔 -专利权人：莱特恩技术有限责任两合公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光显示装置(10)，其具有布置在透明基部构件上的多个发光器件，特别是多个发光二极管。透明基部构件平均减少至多40％的可见光。透明基部构件优选为膜的形式，更优选塑料膜的形式。发光器件通过带状导体供应电压。带状导体优选地在一端处电连接到控制单元(26a‑g)并且在另一端处电连接到至少一个发光器件。
发光显示装置

[发明专利]电解质-CN200780008080.3有效
发明人： P·B·艾奇森;H·C·源 -专利权人： CAP－XX有限公司
申请日： 2007-03-07 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01M6/14 文献下载
摘要：本发明涉及用于储能器件(例如电容器或超级电容器)的电解质，其包含溶剂(优选丙腈)和离子类物质(优选四氟硼酸甲基三乙基铵)。该电解质提供了低的ESR升高率、高电压，并可以在宽温度范围内运行，这使它们有益于用在一系列储能器件中，例如数字无线器件、无线LAN器件、移动电话、电脑、电动或混合电动车。
电解质

[发明专利]用于有机电子器件的组合物-CN201880043357.4在审
发明人：阿米尔·帕勒姆;乔纳斯·克罗巴;托比亚斯·格罗斯曼;安雅·雅提斯奇;克里斯蒂安·艾克霍夫;克里斯蒂安·埃伦赖希 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含电子传输主体和空穴传输主体的组合物，其在电子器件中的用途以及包含所述组合物的电子器件。所述电子传输主体最优选地选自内酰胺类别。所述空穴传输主体优选地选自双咔唑类别。
用于有机电子器件组合

[发明专利]一种压电器件及其制备方法-CN201810111900.1在审
发明人：林瑞钦;黄春奎;赵俊武 -专利权人：武汉衍熙微器件有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明提供一种压电器件，包括从上到下依次设置的上电极、压电层和下电极，压电层包括用于产生纵向波的c轴优选压电层；所述的压电层还包括设置在c轴优选压电层侧向、用于消除侧向波的非c轴优选压电层；所述的非c轴优选压电层的结晶特性与c轴优选压电层的结晶特性不同；本压电器件还包括用于控制所述非c轴优选压电层在生长时形成的结晶特性的晶向控制层。本发明通过在同一个压电层，形成2种以上结晶特性的薄膜，由于结晶特性不同的材料，其声波传递阻抗也会不同，因此在c轴优选压电层的侧向设置非c轴优选压电层，能够消除c轴优选压电层产生的侧向波或是寄生模态的共振
压电层优选结晶特性压电器件侧向波侧向侧向设置从上到下声波传递依次设置控制层下电极纵向波电极共振寄生薄膜晶向模态制备阻抗生长

[实用新型]一种压电器件-CN201820198583.7有效
发明人：林瑞钦;黄春奎;赵俊武 -专利权人：武汉衍熙微器件有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种压电器件，包括从上到下依次设置的上电极、压电层和下电极，压电层包括用于产生纵向波的c轴优选压电层；所述的压电层还包括设置在c轴优选压电层侧向、用于消除侧向波的非c轴优选压电层；所述的非c轴优选压电层的结晶特性与c轴优选压电层的结晶特性不同；本压电器件还包括用于控制所述非c轴优选压电层在生长时形成的结晶特性的晶向控制层。本实用新型通过在同一个压电层，形成2种以上结晶特性的薄膜，由于结晶特性不同的材料，其声波传递阻抗也会不同，因此在c轴优选压电层的侧向设置非c轴优选压电层，能够消除c轴优选压电层产生的侧向波或是寄生模态的共振
压电层优选结晶特性压电器件本实用新型侧向波侧向侧向设置从上到下声波传递依次设置控制层下电极纵向波电极共振寄生薄膜晶向模态阻抗生长

[发明专利]用于电子器件的化合物-CN201380045932.1有效
发明人：霍尔格·海尔;拉拉-伊莎贝尔·罗德里格斯;法布里斯·埃克斯;奥利弗·考夫霍尔德;安雅·格哈德;斯特凡·里德米勒 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： C07C211/61 文献下载
摘要：本发明涉及适用于电子器件、优选有机电致发光器件中的化合物。
用于电子器件化合物

[发明专利]一种基于贪婪算法的测试激励集合优选方法-CN201710725698.7有效
发明人：俞洋;姜月明;杨智明;彭喜元;李志盛 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： G01R31/316 文献下载
摘要：一种基于贪婪算法的测试激励集合优选方法，本发明涉及测试激励集合优选方法。本发明为了解决现有技术在元器件的参数偏差程度对电路的影响较小时，故障检测率和诊断率较低，以及不能够覆盖整个电路的元器件的问题。本发明包括：步骤一：建立m个待选测试激励与n个电路中的元器件构成的初始矩阵；步骤二：根据步骤一得到的初始矩阵并利用贪婪算法，依次从m个待选测试激励中优选出x个测试激励，T
一种基于贪婪算法测试激励集合优选方法

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