专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]人造石英晶体优质籽晶片培育法-CN201911112170.8有效
  • 刘盛浦;易际让;王晓刚 - 山东博达光电有限公司
  • 2019-11-14 - 2021-05-25 - C30B7/10
  • 本发明公开了一种人造石英晶体优质籽晶片培育法,包括以下步骤:一、将待切割的人造石英晶体切割成只保留部分正负电轴区域的框架晶体;二、将框架晶体切割成框架籽晶片;三、将框架籽晶片置于高压釜内进行晶体生长;四、将框架晶体长出部分进行切割,得到优质籽晶片。本发明利用在石英晶体的+X方向(正电轴方向)长出的晶体不会遗传继承籽晶片上的缺陷的特点,进行优质籽晶片的培育,将长成部分的晶体进行籽晶片切割,从而得到低腐蚀隧道密度的优质籽晶片。
  • 人造石英晶体优质籽晶培育
  • [发明专利]一种碳化硅晶体的制造方法及装置-CN202210100984.5在审
  • 郭超;母凤文 - 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
  • 2022-01-27 - 2022-05-13 - C30B27/02
  • 本发明公开了一种碳化硅晶体的制造方法及装置,其属于晶体生长技术领域,碳化硅晶体的制造方法包括采用溶液生长法在碳化硅籽晶的硅面偏轴生长碳化硅晶体,得到预制晶体,所述偏轴生长是指所述碳化硅籽晶的生长面与形成的所述碳化硅晶体的{0001}面具有夹角;对所述预制晶体进行切割,并得到优质籽晶;采用溶液生长法在所述优质籽晶的碳面生长碳化硅晶体,得到最终碳化硅晶体。本发明提供的碳化硅晶体的制造方法及装置制造得到的碳化硅晶体存在较少的微管,且能够大幅减少螺型位错和刃型位错,还能够减少基面位错,进而能够保证碳化硅器件的性能。
  • 一种碳化硅晶体制造方法装置
  • [发明专利]优质蓝宝石高效制备装置-CN201610245103.3在审
  • 唐斌;秦素芳 - 秦素芳
  • 2016-04-19 - 2017-10-31 - C30B29/20
  • 本发明公开了一种优质蓝宝石高效制备装置。为了克服现有人工蓝宝石制备装置难以制备加工性能优良的人工蓝宝石晶体材料,废品率高,效率低等不足,本发明在所述晶体容器的内腔设有加温机构,在所述腔盖设有连通内腔的盖气管,在所述腔底设有连通内腔的底气管,在所述腔壁设置了壁水腔本发明用于制造人工蓝宝石晶体材料,它能够制备优质人工蓝宝石晶体材料,内部热应力去除彻底,抗弯折强度高,不易崩裂,光学均匀性好,后续加工性能好,废品率低,成材性好,效率高,效益好。
  • 优质蓝宝石高效制备装置
  • [发明专利]制备优质蓝宝石条晶的装置-CN201610246604.3在审
  • 唐斌;秦素芳 - 秦素芳
  • 2016-04-19 - 2017-10-31 - C30B29/20
  • 本发明公开了一种制备优质蓝宝石条晶的装置。为了克服现有人工蓝宝石晶体材料制备装置制备的人工蓝宝石晶体材料抗弯折强度弱,脆性大,容易崩裂,光学均匀性差,后续加工性能差、成材性差,废品率高、效率低等不足,本发明所述腔壁的内侧具有凸棱,在所述凸棱设有安装产热元件的穿口本发明用于制备人工蓝宝石晶体材料,它能够制备优质人工蓝宝石晶体材料,所制备的人工蓝宝石晶体材料内部热应力去除彻底,抗弯折强度高,脆性小,不易崩裂,光学均匀性好,后续加工性能好,成材性好,废品率低,制备效率高
  • 制备优质蓝宝石装置
  • [发明专利]一种晶体硅太阳能电池的制造返工方法-CN202211189905.9在审
  • 缪若文;严婷婷;管高飞;杜凌 - 无锡尚德太阳能电力有限公司
  • 2022-09-28 - 2022-12-27 - H01L31/18
  • 本发明属于太阳能电池制备技术领域,具体涉及一种晶体硅太阳能电池的制造返工方法。本发明晶体硅太阳能电池的制造返工方法,包括以下步骤:(1)对不良片进行分类:将不良片分为第一类不良片、第二类不良片、第三类不良片、第四类不良片及第五类不良片5种不良片类型;(2)不同种类的不良片采用不同返工方法本发明对不良片进行分类返工制得的晶体硅太阳能电池,电池转换效率24.1%以上,优质率93%‑95%,碎片率0.9%以下,与正常生产得到的晶体硅太阳能电池的差异较少,较不对不良片进行分类、统一重新制绒的常规返工方法得到的晶体硅太阳能电池,不论是电池转换效率还是优质率均有显著提高,而碎片率显著降低。
  • 一种晶体太阳能电池制造返工方法
  • [发明专利]一种压电式力传感器XY晶组加工方法-CN201910991474.X在审
  • 金雷;孟亚静;孙佳宝 - 辽宁省交通高等专科学校
  • 2019-10-18 - 2020-07-31 - C30B7/10
  • 一种压电式力传感器XY晶组加工方法,采用步骤:S1:用恒温功率控温仪控温,培养体分别选用优质天然石英石、二次熔炼和三次熔炼石英晶体,籽晶选用优质人工晶体;S2:采用氢氟化氨溶液对籽晶腐蚀;S3:将导电且不予生长液发生反应的金属片的两端固定籽晶,籽晶片Z方向用金属片阻挡,置于长晶环境高压釜中生长区中,并将籽晶片和金属片固定在一起,悬挂在籽晶架上,石英晶体沿着Z向没有铜片阻挡的方向,单向生长;S4;将石英晶体与外部约束固定好,再悬挂在籽晶架上,放入生厂区生长;S5:晶体生长周期结束时,切断电源自然降温温度降低到70°C后,将高压釜打开取出晶体
  • 一种压电传感器xy加工方法

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