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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]记忆体元件-CN201911347370.1在审
发明人：吴昭谊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种记忆体元件，包含介电层、下电极、内金属介电层、相变化元件和上电极。下电极位于介电层内。内金属介电层位于介电层上方。相变化元件位于内金属介电层中。上电极位于相变化元件上方，上电极至少透过一气隙与介电层分离，其中气隙不具有内金属介电层和相变化元件的材料。
记忆体元件

[发明专利]阵列基板及其制备方法-CN201910430461.5有效
发明人：贺超 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：多个间隔设置的遮挡层，设置于玻璃基板上；介电层，铺设于所述玻璃基板上且覆盖遮挡层，所述介电层包括图案化的介电图案，所述介电图案包括主体介电图案，和位于所述主体介电图案至少一侧的辅助介电图案；栅极绝缘层，设置于所述介电层上。本申请通过在阵列基板中增设辅助介电图案，且所述辅助介电图案的横截面积大于所述主体介电图案的横截面积，以使辅助介电图案吸收该栅极绝缘层中大部分静电，进而减轻阵列基板显示不良的现象。
阵列及其制备方法

[发明专利]电阻式存储器及其制造方法-CN201310324933.1在审
发明人：许博砚;沈鼎瀛;江明崇;魏敏芝 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：此电阻式存储器包括第一电极、第二电极、第一介电层、第二介电层以及第三介电层。第一电极与第二电极相对设置。第一介电层配置于第一电极与第二电极之间。第二介电层配置于第一介电层与第二电极之间。第三介电层配置于第二介电层与第二电极之间。第一介电层的材料与第三介电层的材料相同，且第二介电层的材料与第一介电层及第三介电层的材料不同。
电阻存储器及其制造方法

[发明专利]制造半导体元件的方法-CN201911182045.4在审
发明人：陈盈桦;许峰嘉;吕文祯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在基板上形成第一层间介电质层。在第一层间介电质层上形成化学机械研磨停止层。通过对化学机械研磨停止层与第一层间介电质层进行图案化来形成沟槽开口。通过在沟槽开口中形成第一导电层来形成下层第一制程标记。在下层第一制程标记上形成下部介电质层。在下部介质层上形成中间介电质层。在中间介电质层上形成上部介电质层。在上部、中间及下部介电质层上执行平坦化操作，以使中间介电质层的一部分保留在下层第一制程标记上方。通过移除中间介电层的剩余部分而通过下部介电层形成第二制程标记。
制造半导体元件方法

[发明专利]沟槽式功率晶体管-CN201510680019.X有效
发明人：李柏贤;杨国良;林家福;林伟捷 -专利权人：大中积体电路股份有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：沟槽式功率晶体管的沟槽栅极结构位于一外延层的元件沟槽内，并至少包括遮蔽电极、栅极电极以及绝缘层。绝缘层包括一第一介电层、一第二介电层及一第三介电层，其中该第三介电层位于该元件沟槽下半部，且部分位于该元件沟槽下半部的该第二介电层被夹设于该第一介电层与该第三介电层之间，其中第二介电层的介电常数大于第一介电层的介电常数
沟槽功率晶体管

[发明专利]触控面板以及显示装置-CN202010267524.2在审
发明人：符民;刘永锋 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本申请提供了触控面板和显示装置，该触控面板和显示装置包括第一电极层和介电层，介电层设于第一电极层上，介电层包括第一介电层和第二介电层，第二介电层设于第一介电层与第一电极层之间，第二介电层的组成材料为无机绝缘材料；该方案可以在后期通过高温形成第二介电层时，避免第一电极层中的电极在高温环境中被氧化，提高了第一电极层中的电极上的信号传输的可靠性。
面板以及显示装置

[发明专利]半导体结构与其制备方法-CN202110437630.5在审
发明人：施信益 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构以及该半导体结构的制备方法，该半导体结构具有一有机介电层，该有机介电层设置在一接合垫下，并经配置以释放应力。该半导体结构具有一基底、一第一介电层、一第二介电层、一导电通孔、一第三介电层以及一接合垫；该基底具有一第一表面以及一第二表面，该第二表面相对该第一表面设置；该第一介电层设置在该基底的该第一表面上；该第二介电层设置在该基底的该第二表面上；该导电通孔延伸经过该基底，并部分经过该第一介电层与该第二介电层；该第三介电层设置在该第二介电层内，并围绕该导电通孔的一部分；该接合垫设置在该第三介电层与该导电通孔上；其中该第三介电层的一介电常数大致不同于该第二介电层的一介电常数
半导体结构与其制备方法

[发明专利]线路结构的制作方法-CN201010130040.X有效
发明人：曾子章;李长明;刘文芳;余丞博 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2010-03-05 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H05K3/18 文献下载
摘要：本发明公开一种线路结构的制作方法，首先，提供一复合介电层、一线路板与位于复合介电层与线路板之间的一绝缘层，复合介电层包括一抗镀介电层与一位于抗镀介电层与绝缘层之间的可镀介电层，抗镀介电层的材质包括一抗化学镀的材料，可镀介电层的材质包括一可被化学镀的材料。接着，压合复合介电层、绝缘层与线路板。然后，形成一贯穿复合介电层与绝缘层的贯孔，并在贯孔中形成一连接线路板的线路层的导电通道。接着，在复合介电层上形成一贯穿抗镀介电层的沟槽图案。
线路结构制作方法

[实用新型]一种静电吸盘-CN201420866353.5有效
发明人：陶岳雨;刘林凤;刘琪 -专利权人：上海卡贝尼精密陶瓷有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种静电吸盘，包括电极层和陶瓷电介体，所述电极层设置于两层陶瓷电介体之间，所述两层陶瓷电介体中的第一电介层的下表面边缘有一圈凸起，第二电介层的上表面边缘与所述第一电介层的凸起对应处有一圈凹槽，所述第二电介层的上表面设置电极层，所述电极层通过陶瓷金属化处理的手段形成于第二电介层的上表面，所述第一电介层的凸起与第二电介层的凹槽拼合呈相互耦合状态，并通过固相烧结方式将电极层埋入陶瓷电介体内部。本实用新型采用两层电介体边缘相互耦合以及固相烧结的方式实现电极层与陶瓷电介体的可靠结合；由于电极层中可以不添加无机陶瓷晶体粒子，从而能够提高内部电极的导电性能。
一种静电吸盘

[发明专利]半导体器件-CN202211113488.X在审
发明人：朴正敏;林汉镇;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：电容器包括在第一方向上顺序堆叠的底部电极、介电层和顶部电极。介电层包括介于底部电极与顶部电极之间并在第一方向上堆叠的第一介电层和第二介电层。第一介电层是反铁电的，并且第二介电层是铁电的。第一介电层的热膨胀系数大于第二介电层的热膨胀系数。
半导体器件

[发明专利]减小双层前金属介电质层开裂现象的方法-CN201210014805.2无效
发明人：徐强;张文广;郑春生;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种减小双层前金属介电质层开裂现象的方法、以及所述方法制备的MOS器件，在第一金属介电层和第二金属介电层之间，形成有过渡层，其中，过渡层材质与第二金属介电层材质之间的粘结性大于过渡层与第一金属介电层材质之间的粘结性，由于过渡层原位生长在第一金属介电层上，没有破真空，所以使得过渡层与第一金属介电层之间产生了很好的粘结性；同时过渡层与第二金属介电层性质接近，与第二金属介电层之间也具有良好的粘结性，从而缓解或消除了双层前金属介电层两层薄膜之间的开裂
减小双层金属介电质层开裂现象方法

[发明专利]基板结构、封装结构及其制法-CN201110454995.5有效
发明人：林邦群;蔡岳颖;陈泳良 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种基板结构、封装结构及其制法，该基板结构包括介电层、第一电性连接垫、第二电性连接垫、线路与保护层，该介电层具有相对的第一介电层表面与第二介电层表面，该第一电性连接垫与第二电性连接垫嵌埋于该介电层，且外露于该第一介电层表面与第二介电层表面，该线路设于该第一介电层表面、第一电性连接垫与第二电性连接垫上，且各该线路的两端分别连接该第一电性连接垫与第二电性连接垫，该保护层覆盖于该介电层的第一介电层表面与线路上。
板结封装结构及其制法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200510079342.8有效
发明人：王志豪;蔡庆威;陈尚志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其目的在于揭示一种具有高介电值栅极介电层的金属氧化物半导体晶体管的制程及设备。首先为提供一基底，一高介电值栅极介电层材料沉积覆盖该基底，一栅极电极层沉积覆盖该介电层材料，以及进行一图形化步骤，以制造栅极及介电层的侧壁，移除基底的一部分。侧壁材料沉积覆盖于图形化的栅极电极及介电层，以制造图形化栅极电极及介电层的侧壁保护层，延伸侧壁保护层以连接介电层底部。在另一实施例中，沉积一沟道材料，邻接于高介电值栅极介电层，以及进行一图形化步骤，移除高介电值栅极介电层下方至少一部分沟道材料。在另一实施例中，沟道材料为反向沉积。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]电容器结构及其制造方法-CN201410235895.7有效
发明人：毛永吉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明公开一种电容器结构及其制造方法，所述电容器结构包括衬底、导体层、中间介电材料层、第一介电材料层与第二介电材料层。所述导体层包括第一电极与第二电极，位于所述衬底上。所述中间介电材料层位于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一介电材料层，位于所述中间介电材料层与所述第一电极之间。所述第二介电材料层位于所述中间介电材料层与所述第二电极之间。所述中间介电材料层的介电常数，与所述第一介电材料层以及所述第二介电材料层的介电常数不同。本发明实施例可以提升电容器单位面积的电容量。
介电材料层中间介电材料层电容器结构第二电极第一电极介电常数导体层衬底电容器电容量制造

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201810399520.2有效
发明人：唐邦泰;黄泰钧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：沿着第一凹陷的底部与侧壁形成第一介电层，且第一介电层具有第一蚀刻速率。形成第二介电层于第一介电层上，第二介电层具有第二蚀刻速率，且第一蚀刻速率大于第二蚀刻速率。形成第三介电层于第二介电层上。改变第三介电层的一部分的蚀刻速率。使第一介电层、第二介电层、与第三介电层凹陷，以形成第二凹陷。形成盖层于第二凹陷中。
半导体装置形成方法

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