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[发明专利]选择性流体模式分配的系统和方法-CN201480033356.3有效
发明人：凯文·肯尼迪 -专利权人： AM环保节能集团公司
申请日： 2014-06-10 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： B05B1/16 文献下载
摘要：一种流体分配器，其具有配置成围绕该流体分配器的中心轴线选择性旋转的部件、流体输入、第一流体输出和第二流体输出，其中该部件在第一方向上围绕中心轴线的旋转交替在第一流体输出与第二流体输出之间的选择以及以下至少之一(1)部件配置成在第一方向上围绕中心轴线旋转至少360°，并且部件的这种围绕中心轴线的旋转提供了在第一流体输出和第二流体输出之间的选择的至少四次交替，以及(2)第二流体输出的选择是响应于围绕中心轴线将部件旋转远离第一流体输出被选择的部件位置而用于选择的下一个可用流体输出
选择性流体模式分配系统方法

[发明专利]双选择二极管液晶显示器驱动方法及装置-CN200510077694.X无效
发明人：邓永佳;高建贤 -专利权人：联咏科技股份有限公司
申请日： 2005-06-22 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：一种双选择显示器驱动方法及装置，即在画素架构中，是由两个水平选择信号控制选择每一画素的驱动方法，并且为一选择信号于不同画面时间可交替变化极性。
选择二极管液晶显示器驱动方法装置

[发明专利]一种早代选择与改良回交的蚕豆育种方法-CN201610000892.4在审
发明人：汪凯华;王学军;缪亚梅;陈满峰;季张娟;葛红;顾春燕;赵娜 -专利权人：江苏沿江地区农业科学研究所
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： A01H1/02 文献下载
摘要：本发明公开一种早代选择与改良回交的蚕豆育种方法，本方法利用早代选择与改良回交育种方法进行育种，通过选择亲本，配置杂交组合，在F₁代成熟植株后代，进行早代选择，选择目标明确，利用改良回交方法进行选择与回交，再选择再回交的间隔（交替）回交方法，选择方便，目标性强，减少了回交工作量并能提高育种进程，更快的获得优良品种。
一种选择改良回交蚕豆育种方法

[发明专利]包含双终端选择器的三维NAND存储器器件及其使用和制造方法-CN201980083341.0在审
发明人：连佑中;袁家辉;D·杜塔;C·佩蒂 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本公开提供了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括位于衬底上方的绝缘层和导电字线层的交替堆叠，以及多个竖直存储器串。每个竖直存储器串包括存储器堆叠结构和选择器元件的串联连接。该存储器堆叠结构中的每一个存储器堆叠结构延伸穿过该交替堆叠并且包括相应的存储器膜和相应的竖直半导体沟道。该选择器元件中的每一个选择器元件包括被配置为提供至少两种不同电阻率状态的双终端器件。
包含终端选择器三维 nand 存储器器件及其使用制造方法

[发明专利]在预防或治疗前列腺癌中使用的单胺氧化酶B抑制剂-CN202080062420.6在审
发明人：维多利亚·加什纳尔内·科尔莫斯;塔马斯·卡莱;拉斯洛·曼格尔;彼得·马修斯;安妮塔·斯泰布;兹苏萨纳·塔马西克内·海利斯 -专利权人：托克西欧洲智能化学传感器研发有限责任公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： A61K45/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种在预防或治疗前列腺癌(PCa)中使用的单胺氧化酶B(MAO‑B)抑制剂化合物，其中，未共同施用选择性MAO‑A抑制剂化合物。在使用中，用于治疗前列腺癌的其他试剂与选择性化合物MAO‑B一起施用或交替施用，和/或放射疗法与选择性化合物MAO‑B一起或交替地用于治疗前列腺癌。
预防治疗前列腺癌使用单胺氧化酶抑制剂

[发明专利]一种动态超表面天线阵列天线选择与波束赋形方法-CN202211389903.4在审
发明人：陈胜垚;曾庆康;冉龙瑶;席峰;刘中 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H04B7/0426 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态超表面天线阵列天线选择与波束赋形方法，属于信号处理中的阵列信号处理领域，包括确定一维DMA均匀线性阵列的导向矢量和混合发射权值表示；然后建立基于DMA阵列的天线选择和发射波束赋形问题模型；接着提出一种基于交替方向乘子法技术的问题有效求解方法，可将原问题拆解成多个子问题交替求解，且每个子问题均具有闭式解；最后，在不同波束场景下分析DMA阵列的天线选择与发射波束赋形性能，证明DMA阵列在混合波束赋形领域具有节省天线数量的优势
一种动态表面天线阵列选择波束赋形方法

[发明专利]垂直同步信号发生装置和图象信号处理装置-CN02812984.9无效
发明人：藤井邦彦;三好敏博;藤本和秀;汤峰学;则竹俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-06-07 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H04N5/08 文献下载
摘要：本发明备有分离输入亮度信号的垂直同步信号，作为第1垂直同步信号输出的垂直同步信号分离电路、生成并输出具有与第1垂直同步信号的平均重复频率相当的重复频率的第2垂直同步信号的自动频率控制电路、检测第1垂直同步信号是否交替地重复2个周期，将该检测结果作为判别信号输出的垂直同步信号相位检测电路、和将第1和第2垂直同步信号作为输入，当判别信号表示第1垂直同步信号交替地重复2个周期时选择第1垂直同步信号，当其它情形时选择第2垂直同步信号，并输出的选择器。
垂直同步信号发生装置图象处理

[发明专利]交替分页方案-CN200510075875.9无效
发明人： J·弗塞罗 -专利权人：讯宝科技公司
申请日： 2005-05-27 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： H04L12/28 文献下载
摘要：特别是，一个方面包括频率选择组件、数据包调度组件和分页组件。频率选择组件定义频率协议(如，自适应频率跳变(AFH))，数据包调度组件定义交替分页方法(如，交替无线介质存取(AWMA))，以及分页组件使用已定义的频率协议和交替分页方法来产生修改分页方案。
交替分页方案

[发明专利]适合高海拔落差地区的马铃薯-玉米双套栽培种植方法-CN201810114437.6在审
发明人：张萌;赵欢;肖厚军;魏全全;芶久兰;何佳芳;秦松 -专利权人：贵州省土壤肥料研究所
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： A01G22/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种适合高海拔落差地区的马铃薯‑玉米双套栽培种植方法，通过开发选择马铃薯和玉米等耐旱高产作为，使其均能够适应山地高海拔种植。同时精心选择若干种各能够适应不同海拔高度的马铃薯和玉米品种，使其二者同步种植，保证了整个高落差山地的普遍种植。采用套种方式，避免了连作种植，使马铃薯和玉米之间交替种植，且来年进一步交替种植。
马铃薯种植玉米高海拔双套落差山地栽培高海拔种植玉米品种高落差连作轮作耐旱套种保证高产海拔开发

[发明专利]一种深海天然气水合物条带分区开采方法-CN202210185932.2在审
发明人：公彬;蒋宇静 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： E21B43/01 文献下载
摘要：本发明公开一种深海天然气水合物条带分区开采方法，采用水平井和立井联合布置方式，以主力井为中心建立条带开采区；根据产能要求可以选择两侧开采区块同时开采或单侧交替开采，同侧开采区块也可以根据产能要求选择同时开采或间隔交替开采
一种深海天然气水合物条带分区开采方法

[实用新型]单向双向选择性传动装置-CN96249331.7无效
发明人：祝文宗 -专利权人：祝文宗
申请日： 1996-12-19 - 公布日： 1997-12-24 - 主分类号： F16H49/00 文献下载
摘要：一种单向双向选择性传动装置，用于饰品及玩偶，当座台固定在交替地双向旋转位置时，驱动杆一端在正齿轮上单转向圆周转动造成驱动连杆往复运动，再转为输出轴交替双向旋转，只要座台在滑动空间上移至单向旋转位置，主齿轮与单向齿轮啮合即可造成单向旋转，本实用新型可自由选择单向或双向旋转模式，可用于驱动装饰品、玩偶及其自身元件(如洋娃娃等)的多样旋转，易吸引顾客购买商品。
单向双向选择性传动装置

[发明专利]一种半导体器件纳米线及其制备方法-CN201911236867.6在审
发明人：王桂磊;亨利·H·阿达姆松;孔真真;李俊杰;李俊峰;殷华湘;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件纳米线的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成浅沟道隔离区，浅沟道隔离区之间的半导体衬底为体硅鳍结构；选择性去除体硅鳍结构，使体硅鳍结构凹进以形成凹槽；在凹槽处沿半导体衬底表面垂直方向交替堆叠生长具有刻蚀选择性的多种外延层并进行表面平坦化；使浅沟道隔离区凹进以使交替堆叠生长的多种外延层突出于两侧的浅沟道隔离区；选择性刻蚀其中的一种或几种外延层，保留的外延层构成纳米线结构。本发明通过在半导体衬底上交替堆叠生长不同材料的异质薄膜，减少薄膜中的缺陷，制备高质量纳米线结构，有利于不同类型的高迁移率材料导入和集成，提高器件的性能。
一种半导体器件纳米及其制备方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202110850131.9在审
发明人：李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：交替层叠的导电层和层间绝缘层；与导电层间隔开的选择导体；贯穿导电层、层间绝缘层和选择导体的外单元插塞；以及与选择导体接触的外辅助导体。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种基于最大置信度上界的交替深度Q网络方法-CN202110858279.7在审
发明人：谭晓阳;吴卿源 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于最大置信度上界的交替深度Q网络方法，包括：初始化多个各自独立的深度Q网络，公共历史经验回放池，网络选择次数；初始化环境状态；根据Q‑UCB策略选择Q网络；选择并执行动作，获得新环境状态和奖励；将信息存储进公共历史经验回放池中；更新网络选择次数；从公共历史经验回放池中独立随机采样更新深度Q网络；重复步骤直到网络收敛。本发明基于神经网络自身初始化的探索性能结合最大置信度上界策略进行交替探索，使用多个Q网络进行协作决策，提升了探索效率，解决了强化学习任务中样本效率与算法效率低下的问题，提升了Q网络的性能。
一种基于最大置信上界交替深度网络方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202210092100.6在审
发明人：朴仙美;金南局;权殷美;陈尚完 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：下层叠物，其中多个第一层间绝缘层和第一导电层交替地层叠；多个单元插塞，其在垂直方向上穿过下层叠物；在下层叠物上的上层叠物，其中多个第二层间绝缘层和至少一个第二导电层交替地层叠；多个漏极选择插塞，其穿过上层叠物并且与多个单元插塞的上部接触；以及分离图案，其使多个漏极选择插塞当中的相邻的漏极选择插塞分离，其中，分离图案与相邻的漏极选择插塞中的每一个侧壁接触。
半导体存储器装置及其制造方法