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[发明专利]三维存储器件及其制作方法-CN202080000636.X有效
发明人：薛家倩;高庭庭;薛磊;耿万波;刘小欣;黄波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：方法包括：在衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成交替电介质堆叠体；形成垂直地穿过交替电介质堆叠体和牺牲层的多个沟道孔；以及在每个沟道孔中形成第一沟道层。方法还包括：在每个沟道孔中的第一沟道层上形成第二沟道层，使得第二沟道层的汇合点高于交替电介质堆叠体的底表面。方法还包括：去除牺牲层，以形成水平沟槽；以及在水平沟槽中形成选择性外延生长层。
三维存储器件及其制作方法

[发明专利]一种保证移动终端单播质量稳定性的方法-CN201710686638.9在审
发明人：纪琦华;蒲珂;曾泽基;方宏;李哲山;鲁豪;胡彬 -专利权人：中广热点云科技有限公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H04W40/14 文献下载
摘要：如可能不能覆盖，则需另外选择交替路由进行连接，以保证单播服务的正常进行。选择原路由服务范围外距离最近的路由作为交替路由，在避免服务中断的前提下使前后两个路由服务范围的交集最小，可以保证对每一路由的充分利用、减少查找交替路由的次数。
一种保证移动终端质量稳定性方法

[发明专利]基于交替变换脉冲的CMOS图像数据的改进训练方法-CN202010447392.1有效
发明人：余达;刘金国;韩诚山;徐东;姜肖楠;孔德柱;周怀得 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：基于交替变换脉冲的CMOS图像数据的改进训练方法，涉及CMOS图像数据的训练方法，解决现有CMOS图像数据的训练方法存在随环境温度的变化出现串并转换过程中每次截取的串行数据相对位置不同，进而存在字校正阶段不成功或字校正阶段成功但通道校正不成功等问题，本发明提出基于交替变化脉冲的改进训练方法，保证正确训练字对应的字校正组合的正确性，从而保证通道训练的正确性。本发明中，在字校正阶段基于交替变换的训练脉冲，仅选择连续的地址组合下获得正确的训练字，通过在并行p/2位的并行数据前加入可选择的移位寄存器，实现可控的1/2像素时钟周期的延迟，可克服环境温度的变化可能出现串并转换过程中每次截取的串行数据相对位置不同而出现的训练错误
基于交替变换脉冲 cmos 图像数据改进训练方法

[发明专利]基板处理方法、基板处理装置和纳米线或纳米片的晶体管的制造方法-CN202080072884.5在审
发明人：小山贤一;山内祥平;土桥和也;清水昭贵 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的课题在于，交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理中，适当地缩短处理工序。本发明为一种基板处理方法，其为交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理方法，所述基板处理方法使用经等离子体化的包含氟和氧的处理气体，将前述硅锗层的露出面的表层选择性地改性，形成氧化膜。
处理方法装置纳米晶体管制造

[发明专利]图像显示装置及其驱动方法-CN201310251949.4有效
发明人：李炫宰 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：数据驱动单元交替地向两个相邻数据线中的一个提供模拟图像信号。数据切换单元选择数据线使得图像信号被交替地提供到多个数据线中的相邻数据线并且将数据线电连接到数据驱动单元的输出通道。
图像显示装置及其驱动方法

[发明专利]较高比电容量的多层电容器-CN97194807.0无效
发明人： R·布鲁赫豪斯;D·皮策;R·普里米格;W·维尔辛格;W·亨莱恩 -专利权人：西门子公司
申请日： 1997-05-05 - 公布日： 1999-06-09 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：其介电层夹置在电极中交替叠放并且设置在一片基片上。通过电极层以同样的交替接触方式使每个电容器层达到并联。采用这种方式使电容量相加,同时又能通过适当选择或组合使不同的介电层达到最佳状态。
容量多层电容器

[发明专利]利用催化剂控制在氧化硅上选择性沉积氮化硅-CN201810189335.0在审
发明人：大卫·查尔斯·史密斯;丹尼斯·M·豪斯曼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明利用催化剂控制在氧化硅上选择性沉积氮化硅。本文提供了用于相对于暴露的硅表面在衬底的暴露的氧化硅表面上选择性沉积氮化硅的方法和装置。技术涉及向衬底提供三甲基铝以在暴露的氧化硅表面上形成含铝部分，并且使用交替脉冲的氨基硅烷和肼通过热原子层沉积在表面上选择性地沉积氮化硅，相对于暴露的硅表面所述热原子层沉积在暴露的氧化硅表面上由含铝部分催化另外的技术涉及向暴露的氧化硅表面提供含过渡金属的气体以形成含过渡金属部分，所述含过渡金属部分在使用交替脉冲的氨基硅烷和肼来热原子层沉积氮化硅期间充当催化剂。
氮化硅氧化硅表面暴露沉积含过渡金属选择性沉积热原子催化剂氨基硅烷交替脉冲硅表面氧化硅方法和装置衬底提供三甲基铝衬底催化

[发明专利]基于粒径选择法的胞外囊泡表面蛋白特异适配体筛选技术-CN201910520154.6在审
发明人：李智洋;何农跃;王素 -专利权人：南京鼓楼医院
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： C12N15/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于粒径选择法的胞外囊泡表面蛋白特异适配体筛选技术，包括以下步骤：1）合成随机文库及上下游引物；2）目标细胞的培养与细胞培养上清的获取；3）粒径选择法提取胞外囊泡；4）正筛获取与靶标胞外囊泡结合的文库序列；5）正负交替筛选获得特异性目标核酸适配体；6）qPCR技术监测文库富集。本发明采用粒径选择法提取胞外囊泡，简单快速且胞外囊泡回收率高，正筛连续进行五至六轮，提高目标核酸适配体回收率，正负交替筛选，筛选中逐渐调整筛选条件，增大筛选压力，提高筛选效率，从而获得高特异性的核酸适配体
外囊筛选粒径选择适配体表面蛋白核酸适配体正负交替回收率细胞培养特异性目标技术监测目标核酸目标细胞筛选条件随机文库文库序列靶标富集引物文库合成疾病治疗

[发明专利]带传感器的显示装置及其驱动方法-CN202110375863.7在审
发明人：野口幸治;水桥比吕志 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：设置在被多个栅极线和源极线划分出的区域；多个共通电极，相互分离而配置为矩阵状，在平面图中与多个栅极线和源极线重叠；多个像素电极，与多个共通电极对置；显示动作与触摸检测动作以分时方式执行；在显示动作期间，用于从多个显示元件中选择位于列方向的1个以上显示元件的选择信号被供给到多个栅极线，在多个像素电极上经由多个源极线被供给多个显示信号；多个共通电极被选择性地供给交替的电压信号，在触摸检测动作期间中通过自检法感知外部物体，在多个栅极线和源极线中的至少多个源极线上被供给与供给到多个共通电极的交替的电压信号相同的信号
传感器显示装置及其驱动方法

[发明专利]一种区分主机写入操作的AHB-to-APB转换桥-CN202011509717.0在审
发明人：冯海英;王芬芬;刘云晶 -专利权人：中科芯集成电路有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：AHB‑to‑APB转换桥，属于芯片设计领域，包括AHB总线和APB总线；AHB总线在传输时分为地址周期和数据周期，地址周期产生地址信号和各类控制信号，数据周期用于上个地址的数据读写，地址周期和数据周期交替并行出现，以增加数据的吞吐量；APB总线在传输时分为选择周期和使能周期，选择周期产生地址信号和各类控制信号，使能周期用于数据读写，选择周期和使能周期交替串行出现；AHB总线和所述APB总线之间通过总线桥来转换控制信号以及传输数据
一种区分主机写入操作 ahb to apb 转换

[发明专利]用于具有比色传感器的血培养瓶的检测器装置-CN201280067584.3有效
发明人：布拉德福德·G·克莱 -专利权人：生物梅里埃有限公司
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G01N33/48 文献下载
摘要：该检测器装置包括：照亮比色传感器的传感器LED、照亮比色传感器的参照LED、用于选择性地并且交替地激活传感器LED和参照LED的控制电路以及光电检测器。在使用传感器LED和参照LED选择性地并且交替地照亮比色传感器期间，光电检测器测量了来自比色传感器的反射率并且产生了强度信号。选择了参照LED使其具有照明峰值波长，这样被参照LED照亮的光电检测器的强度信号基本上不会被比色传感器的颜色变化所影响。
用于具有比色传感器培养检测器装置

[发明专利]具有高迁移率通道的三维平坦NAND存储器装置及其制造方法-CN201980005935.X在审
发明人： R.马卡拉;周非;S.K.卡纳卡迈达拉;李耀升 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：一种三维存储器装置包含通过线型沟槽横向隔开的绝缘条带和导电条带的交替堆叠，以及位于所述线型沟槽中的存储器堆叠组合件和电介质柱结构的交替二维阵列。所述线型沟槽中的每一个填充有存储器堆叠组合件和电介质柱结构的相应横向交替序列。每一存储器堆叠组合件包含竖直半导体通道和一对存储器膜。所述竖直半导体通道包含具有大晶粒的半导体通道层，所述大晶粒可通过从下伏于所述交替堆叠的半导体衬底中的晶种半导体材料层、牺牲半导体材料层或单晶半导体材料进行的选择性半导体生长来提供。
具有迁移率通道三维平坦 nand 存储器装置及其制造方法

[发明专利]一种适合洗涤易漂浮衣物的洗衣程序及洗衣机-CN201310254527.2有效
发明人：吕佩师;田云;陈瑜;李峰;周春霞 -专利权人：青岛海尔洗衣机有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： D06F35/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种适合洗涤易漂浮衣物的洗衣程序及洗衣机，技术方案：一种适合洗涤易漂浮衣物的洗衣程序，包括洗涤程序，漂洗程序和脱水程序，所述洗涤程序中，先采用强水流运行，后中、弱水流交替运行，同时在中、弱水流交替运行时内循环工作，所述漂洗程序中，采用中、弱水流交替运行，同时内循环工作。通过选择程序，在内桶中低水位空间上方配合压盖挡圈结构，水流强弱交替组合，并配合内循环，加速洗涤剂的溶解，采用中低水位提高洗涤剂浓度，有效提升易漂浮衣物洗净率，并节省用水量。
一种适合洗涤漂浮衣物洗衣程序洗衣机

[发明专利]分接头变换器-CN201310616779.5在审
发明人： L·琼森 -专利权人： ABB研究有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01H9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括变换选择器（130）的分接头变换器（100），其中所述变换选择器被布置为提供至少两个备选分支（135a、135b、135c），所述备选分支可以交替地形成穿过所述分接头变换器的负载电流路径的一部分所述变换选择器包括至少一个真空断续器（200；400a、400b）。
接头变换器

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202010818909.3在审
发明人：李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括：沟道结构，其在第一方向上延伸；源极选择线，其围绕沟道结构并包括沟槽；层间绝缘膜和字线，其围绕沟道结构，其中层间绝缘膜和字线在第一方向上交替地层叠在源极选择线上；以及第一接触插塞，其通过沟槽延伸到源极选择线中。
半导体存储器装置及其制造方法

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