“交替选择”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果985398个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510030385.0有效
发明人：吴星来;金镇浩 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：层间绝缘图案和局部字线，其被交替地层叠以形成阶梯结构；以及第一绝缘层，其形成在阶梯结构的表面上。半导体器件还可以包括：字线选择栅，其沿着第一绝缘层的表面形成；以及有源图案，其穿通字线选择栅和第一绝缘层，并且分别与局部字线连接。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]多模无线传送/接收单元及无线局域网络基站-CN200620003361.2无效
发明人：乌利斯·O·赫恩安德茨;亚伦G·卡尔顿;陆广;朱安C·强尼加;玛吉·萨奇;马里恩·鲁道夫 -专利权人：美商内数位科技公司
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本实用新型包括用于不同无线技术间的移动性操控装置，其依据如位置以及网络政策设定的参数，经由有效执行交替网络发现以及使一移动站选择最需要的候选无线存取技术的方式而达成。
无线传送接收单元局域网络基站

[发明专利]三维存储器件及形成方法-CN202010332844.1有效
发明人：李思晢;徐前兵;张磊;曾凡清;高晶;周文斌;杨学鹏;张富山;阳涵 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器件及形成方法，器件包括：基底；由栅极层和隔离层交替层叠构成的堆叠结构，包括核心区和台阶区；栅线隙，其将堆叠结构分隔为多个存储块及指存储区；贯穿堆叠结构的沟道结构；选择栅，其在核心区与沟道结构相连接，在台阶区与选择栅字线接触结构相连接；将选择栅分隔为多个选择栅分区的选择栅隔离结构；选择栅分区与指存储区具有相同的延伸方向。本发明通过引入隔离结构将选择栅分隔为多个分区，得到了能够同时引入顶部选择栅隔离结构和底部选择栅隔离结构的3D NAND存储器，实现了对各个指存储区和存储串的精确控制，提升了器件性能。
三维存储器件形成方法

[发明专利]交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置-CN201880051127.2在审
发明人：斋藤正路;远藤广明;小池文人 -专利权人：阿尔卑斯阿尔派株式会社
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：及与强磁性层(2)接触的固定磁性层(3)，反强磁性层(2)具有X1Cr层(其中，X1是从由白金族元素及Ni构成的群中选择的一种或二种以上的元素)(2A)与X2Mn层(其中，X2是从由白金族元素及Ni构成的群中选择的一种或二种以上的元素，而且与X1可以相同，也可以不同)(2B)交替地层叠而成的三层以上的交替层叠构造。
交换耦合以及使用磁阻效应元件检测装置

[发明专利]双稳态液晶显示器-CN201210445599.0有效
发明人：黄淑绢;胡程皓;江晋一 -专利权人：华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：各行资料驱动器接收多个相位控制信号、一第一高驱动电压、一第一低驱动电压及一显示资料，依据显示资料选择这些相位控制信号的其中之一，且依据选择的相位控制信号交替输出第一高驱动电压及第一低驱动电压以形成一行驱动信号至显示面板各列资料驱动器接收这些相位控制信号的其中之一、一第二高驱动电压及一第二低驱动电压，依据接收的相位控制信号的交替输出第二高驱动电压及第二低驱动电压以形成一列驱动信号至显示面板。
双稳态液晶显示器

[发明专利]平板显示设备及其驱动方法-CN201110238345.7有效
发明人：金学洙;朴明钟 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2011-08-18 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：一种平板显示设备包括：包括多条选通线的平板；第一选通驱动部，其连接到所述多条选通线当中的奇数选通线；第二选通驱动部，其连接到所述多条选通线当中的偶数选通线；驱动模式选择部，其生成与输入到该驱动模式选择部的源输出相对应的驱动模式信号；以及定时控制部，其响应于所述驱动模式信号按照运动图像模式或静止图像模式进行操作，其中，所述第一选通驱动部和第二选通驱动部在静止图像模式下每帧交替地进行操作，或者其中，所述第一选通驱动部和第二选通驱动部在运动图像模式下每场交替地进行操作
平板显示设备及其驱动方法

[发明专利]一种聚β-羟基脂肪酸酯的化学合成方法-CN202110867405.5有效
发明人：刘野;杨金闯;吕小兵 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C08G63/82 文献下载
摘要：该催化剂可在较低浓度下催化一氧化碳与环氧烷烃反应高效率制备呈交替结构的聚羟基脂肪酸酯新材料。聚合物选择性99％，区域结构选择性99％，交替结构99％，全同度Pm在0‑100％之间，分子量在1.0‑100kg/mol之间，分子量分布在1.01‑2.00之间
一种羟基脂肪酸化学合成方法

[发明专利]半导体存储装置及其封装以及使用该装置的存储卡-CN200510003766.6无效
发明人：杨中燮 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-01-11 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：将相同行地址信号输入到包括用于选择页的行译码器的两个或更多存储芯片，以便同时选择该两个或更多存储芯片的预定页。如果将该半导体存储装置封装或应用到存储卡，则可显著地减少该页的大小。并且，因为将数据交替地加载到存储芯片中或交替地输出存储芯片的数据，所以可改善整个程序化及读取速度。因此，可改善该半导体存储装置的性能。
半导体存储装置及其封装以及使用

[发明专利]信息处理系统-CN01805128.6有效
发明人： E·范德文 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
申请日： 2001-12-06 - 公布日： 2003-03-19 - 主分类号： H04L25/49 文献下载
摘要：发送器交替使用第一、第二数据依赖准则来选择第一、第二信号中在连续时钟相位之间具有逻辑电平变化的一个信号。由此，使第一和第二信号交替相互相反或相互相等。第一准则依赖于数据值选择第一信号电平。
信息处理系统

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201210560867.3无效
发明人：崔相武;周瀚洙;朴丙洙;吴尚炫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：所述非易失性存储器件包括：沟道结构，所述沟道结构形成在衬底之上，衬底包括交替地层叠的多个层间电介质层和多个沟道层；以及布置在沟道结构的第一侧和第二侧的第一选择栅和第二选择栅，其中第一选择栅和第二选择栅分别与多个沟道层的侧壁接触，其中，形成第一选择栅的材料的功函数与形成第二选择栅的材料的功函数不同。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]液晶点反转驱动电路-CN201010185843.5无效
发明人：洪德儒;林春生;叶政忠 -专利权人：矽创电子股份有限公司
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：一种液晶点反转驱动电路，包含正信号源，提供第一正信号和第二正信号；负信号源，提供第一负信号源和第二负信号源；第一选择单元，与所述正信号源和负信号源连接，以接收正信号源的第一正信号以及负信号源的第一负信号；该单元由低压元件构成；第二选择单元，与所述正信号源和负信号源连接，以接收正信号源的第二正信号以及负信号源的第二负信号；该单元由低压元件构成；第一信号源，与第一选择单元连接，以交替输出第一正电压和第一负电压；第二信号源，与第二选择单元连接，以交替输出第二正电压和第二负电压。
液晶反转驱动电路

[发明专利]彩色显示器件-CN03823491.2有效
发明人： G·J·赫克斯特拉;H·J·科内里斯森;D·K·G·德博尔;D·J·布罗尔;M·J·J·贾克;E·H·A·兰根迪克;L·J·维托文;M·A·克洛彭豪维 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-09-30 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H04N9/31 文献下载
摘要：该彩色显示器件设置有多个像素，具有不同预定的辐射光谱的至少两个可选择的光源，与所述可选择的光源结合能在所述显示面板上分别产生第一和第二原色的颜色选择装置，和控制装置，其被设置成交替选择所述可选择的光源中的一个并给像素的一部分提供与用选择的光源获得的相应原色对应的图象信息以时间连续和空间连续的方式选择该显示器件的原色，这能减小色分散。
彩色显示器

[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体器件和晶体管-CN200510091369.9有效
发明人：申东石;李化成;上野哲;李浩;李承换 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-06-17 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种在单晶半导体上选择性形成外延半导体层的方法及其制造的半导体器件，使用主要半导体源气体和主要蚀刻气体分别在单晶半导体和非单晶半导体图案上形成单晶外延半导体层和非单晶外延半导体层。使用选择性蚀刻气体移除非单晶外延半导体层。主要气体和选择性蚀刻气体交替和重复至少供应两次以便仅仅在单晶半导体上选择性形成具有预定厚度的升高的单晶外延半导体层。选择性蚀刻气体抑制在非单晶半导体图案上形成外延半导体层。
半导体器件制造方法晶体管

[发明专利]流体控制阀-CN96198039.7无效
发明人：扎米尔·海克 -专利权人：扎米尔·海克
申请日： 1996-10-30 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： F16K11/085 文献下载
摘要：一种用于将正流体压力源、负流体压力源和交替地与上述压力源相连的装置之间连接的流体控制阀(1)，该流体控制阀包括具有将所述流体压力源与所述装置相连的通道(7，9，11)的主体(3)，以及相对于所述主体(3)转动并适于有选择地与所述通道内部连接的转动件(5)，所述转动件(5)沿单方向转动，将所述正流体压力源和所述流体压力源交替地与所述装置连通。
流体控制

[发明专利]SiC单晶、其制造方法、SiC晶片和半导体器件-CN201280027744.1有效
发明人：郡司岛造;重藤启辅;浦上泰;山田正德;安达步;小林正和 -专利权人：株式会社丰田中央研究所;株式会社电装;昭和电工株式会社
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：a面生长优选为以{11‑20}面作为基准，在相差大约60°或约120°的方向上重复a面生长的{11‑20}面选择性生长法，或者优选为交替重复{11‑20}面生长与{1‑100}面生长的交替生长法。
sic 制造方法晶片半导体器件

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top