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[发明专利]具有交替选择的相变存储阵列块-CN201180021000.4无效
发明人：潘弘柏 -专利权人：莫塞德技术公司
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：所述块单元交替地被选择。交替的块单元选择抑制了子字线和通过子字线驱动器晶体管连接的地线上的峰值电流地弹跳。交替的位线选择避免了所选块单元中的邻近单元热干扰。
具有交替选择相变存储阵列

[发明专利]三维存储器-CN202310374038.4在审
发明人：王迪;周文犀;赵婷婷;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：三维存储器包括：叠层结构，包括交替叠置的栅极层和绝缘层；沟道结构，贯穿所述叠层结构；顶部选择堆叠层，位于所述叠层结构的一侧，所述顶部选择堆叠层包括间隔层和至少一对交替堆叠的顶部电介质层和顶部选择栅极层，所述间隔层位于所述至少一对交替堆叠的顶部电介质层和顶部选择栅极层远离所述叠层结构的一侧；以及贯穿所述间隔层和所述至少一对交替堆叠的顶部电介质层和顶部选择栅极层的顶部选择栅切口结构。
三维存储器

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN201980001957.9在审
发明人：夏季;霍宗亮;周文斌;徐伟;黄攀;徐文祥 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：在一些实施例中，用于形成3D存储器器件的方法包括在衬底上形成交替电介质堆叠层，以及形成沟道孔，所述沟道孔穿透交替电介质堆叠层并且暴露衬底的至少一部分。该方法还包括形成垂直地穿透交替电介质堆叠层的上部并且横向地延伸的顶部选择栅开口。该方法还包括形成平行于顶部选择栅开口的缝隙开口，其中缝隙开口垂直地穿透交替电介质堆叠层。该方法还包括用交替的导电和电介质层的膜堆叠层替换交替电介质堆叠层，在顶部选择栅开口中形成顶部选择栅切口，以及在缝隙开口中形成缝隙结构。
电介质堆叠选择栅缝隙开口穿透存储器器件开口垂直地衬底沟道电介质层缝隙结构交替的膜堆叠导电平行三维替换暴露延伸制造

[发明专利]用于三维存储器件的对齐漏极选择层级隔离结构及其制造方法-CN201880041632.9有效
发明人：张艳丽;M·堤尚广;S·亚达;S·长峰;J·阿尔斯梅尔 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一种三维存储器结构包括位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替堆叠，延伸穿过该交替堆叠的存储器堆叠结构的阵列，覆盖该交替堆叠并具有与存储器堆叠结构的阵列相同的周期性的漏极选择层级组件的阵列，横向围绕漏极选择层级组件的相应行的漏极选择栅电极，以及位于相邻的一对漏极选择栅电极之间并包括一对纵向侧壁的漏极选择层级隔离带。该对纵向侧壁中的每一个包括平面侧壁部分和凸面侧壁部分的横向交替序列。
用于三维存储器件对齐选择层级隔离结构及其制造方法

[发明专利]介质记录再现装置及介质记录再现方法-CN201010106910.X无效
发明人：赤星健司 -专利权人：日立乐金资料储存股份有限公司;日立民用电子株式会社
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G11B20/18 文献下载
摘要：本发明提供一种介质记录再现装置及介质记录再现方法，其防止因没有选择适宜的交替源而引起的交替数据的读访问性能的下降，并抑制DFL注册数的浪费。在着眼于用户数据区域的区域使用方向和交替区域的区域使用方向，且与前后的交替状况相匹配能够以CRD类型进行DFL注册的情况下，选择与用户数据区域的区域使用方向相同的使用方向的交替区域，作为交替区域。
介质记录再现装置方法

[发明专利]带宽自适应流选择-CN200680049025.4无效
发明人： K·拉塔孔达;D·S·图拉加;P·韦斯特林克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-07-10 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H04N7/12 文献下载
摘要：提供一种选择多个交替输入流中的一个用于传输的设备和对应方法，所述方法包括：确定对于所述多个交替输入流中每一个的带宽需求(114)；测量当前可用传输带宽(116)；和选择所述多个交替输入流中具有小于或等于所测量的当前可用传输带宽的最高确定带宽需求的一个交替输入流用于传输
带宽自适应选择

[发明专利]液晶装置及电子设备-CN200810131936.2有效
发明人：藤田伸;加藤友敏;白神谦吾 -专利权人：爱普生映像元器件有限公司
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明涉及能够减小用于向在与像素电极之间形成电容的共用电极交替地供给高电位与低电位的开关晶体管的L长的液晶装置及电子设备。具备：扫描线，数据线，对应于它们的交叉所设置的像素电极，在与像素电极之间形成电容的共用电极，将低电位的电压(VCOML)与高电位的电压(VCOMH)交替地供给于共用电极的控制电路，将选择扫描线的选择电压依次供给于扫描线的扫描线驱动电路，和当扫描线被选择时将正极性的图像信号与负极性的图像信号交替供给于数据线的数据线驱动电路；控制电路(30)，具备：将电压(VCOML)与电压(VCOMH)，交替输出于共用电极的选择电路，和向选择电路输出选择信号的锁存电路；电压(VCOML)比选择信号的低电位高，电压(VCOMH)比选择信号的高电位低。
液晶装置电子设备

[发明专利]包括低k漏极选择层级隔离结构的三维存储器器件及其形成方法-CN202180094244.9在审
发明人：张鹏;张艳丽;杨翔;松野光一;东谷政昭;J·阿尔斯迈耶 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一种三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于衬底上方；存储器开口填充结构的阵列，该存储器开口填充结构的阵列位于竖直延伸穿过该交替堆叠的存储器开口的阵列内；以及漏极选择层级隔离结构，该漏极选择层级隔离结构在两行存储器开口填充结构之间竖直延伸穿过漏极选择层级导电层该漏极选择层级隔离结构可包括低k介电材料或气隙。
包括选择层级隔离结构三维存储器器件及其形成方法

[发明专利]三维存储设备及其制造方法-CN201880002118.4有效
发明人：张坤 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底上形成交替的电介质叠层；在交替的电介质叠层的上部中形成沿横向延伸的临时顶部选择性栅极切口；形成穿透交替的电介质叠层的多个沟道孔；去除临时顶部选择性栅极切口；以及形成多个沟道孔中的多个沟道结构并同时形成顶部选择性栅极切口结构
三维存储设备及其制造方法

[发明专利]包含多层级漏极选择栅极隔离的三维存储器装置及其制造方法-CN201980005833.8有效
发明人：西川昌利;S.矢田;张艳丽 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：一种三维存储器装置包含位于衬底上方的绝缘层与字线层级导电层的交替堆叠，和位于所述交替堆叠上方的漏极选择层级导电层。存储器堆叠结构延伸穿过所述交替堆叠和所述漏极选择层级导电层。包含相应一对笔直侧壁的电介质分隔物结构，和包含相应一对侧壁的漏极选择层级隔离结构将所述漏极选择层级导电层划分成多个条带，所述隔离结构的相应一对侧壁包含相应一组凹入竖直侧壁分段。所述漏极选择层级导电层和所述漏极选择层级隔离结构是通过用导电材料替换漏极选择层级牺牲材料层，和通过用电介质材料部分替换漏极选择层级牺牲线型结构而形成。
包含多层级漏极选择栅极隔离三维存储器装置及其制造方法

[发明专利]音频信号处理器-CN00108690.1有效
发明人： W·A·艾伦 -专利权人：伯斯有限公司
申请日： 2000-05-17 - 公布日： 2001-01-24 - 主分类号： H04S3/00 文献下载
摘要：用于处理多通道音频信号的方法和设备,其中由交替可选择的处理之一来处理这些通道,以产生交替可选择数目的输出通道,该处理响应于包含在输入信号中的信息。
音频信号处理器

[发明专利]包括复合字线和多条带选择线的三维存储器器件及其制造方法-CN201980085614.5在审
发明人：崔志欣;周非;R·S·马卡拉 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠，该绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠在衬底上方形成。穿过该交替堆叠形成存储器堆叠结构。穿过该牺牲材料层的上部子集形成漏极选择层级沟槽，并且穿过该交替堆叠的每一层形成背侧沟槽。通过移除该牺牲材料层形成背侧凹陷部。将第一导电材料和第二导电材料顺序地沉积在该背侧凹陷部和该漏极选择层级沟槽中。可通过至少一种各向异性蚀刻工艺从该漏极选择层级沟槽移除该第二导电材料和该第一导电材料的部分，以提供作为通过该漏极选择层级沟槽内的腔体彼此横向间隔开并电隔离的多个组的漏极选择层级导电层。
包括复合条带选择三维存储器器件及其制造方法

[发明专利]InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法-CN201110283054.X有效
发明人：邢东;冯志红;王晶;刘波;房玉龙;敦少博 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法，涉及半导体器件或部件的制造或处理技术领域，包括以下步骤：（1）碱性腐蚀液腐蚀InxAlN：将待腐蚀InxAlN晶圆片用碱性腐蚀液腐蚀，碱性腐蚀液为能腐蚀本发明解决了现有技术中湿法化学选择腐蚀去除InxAlN层时表面粗糙、有残留的工艺问题，实现高质量的选择腐蚀。
inaln 材料酸碱交替选择湿法腐蚀方法

[发明专利]含有漏极选择层级气隙的三维存储器装置及其制造方法-CN201980006271.9在审
发明人：西川昌利;西田彰男 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种三维存储器装置包含：位于衬底上方的绝缘层和字线的交替堆叠；延伸穿过所述交替堆叠且含有相应竖直半导体通道和相应存储器膜的存储器堆叠结构；位于所述交替堆叠上方、沿着第一水平方向延伸且沿着第二水平方向横向隔开的漏极选择栅极电极；以及位于邻近漏极选择栅极电极之间的电介质顶盖层。气隙在邻近漏极选择栅极电极之间位于所述电介质顶盖层中。
含有选择层级三维存储器装置及其制造方法

[实用新型]双图形处理器交替联合工作式笔记本电脑-CN200620123488.8无效
发明人：杨帅 -专利权人：杨帅
申请日： 2006-08-08 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： G06F1/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种双图形处理器交替联合工作式笔记本电脑，所述双图形处理器交替联合工作式笔记本电脑装置有两个图形处理器，两个图形处理器通过硬件切换或软件切换来实现有选择性的交替工作及联合工作，使双图形处理器交替联合工作式笔记本电脑可以选择在不同的工作模式下拥有高图形处理性能或低功率消耗性能
图形处理器交替联合工作笔记本电脑

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