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[发明专利]一种硅基二硫化钼异质结光电传感器及制备方法-CN201910216960.4有效
发明人：黄文;雷智程;柯逸臻;贺振北;郭俊雄;毛琳娜;龚天巡 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明属于光电传感器领域，提供一种硅基二硫化钼异质结光电传感器及其制备方法，用以克服现有基于多层二硫化钼/硅异质结光电探测器制备工艺复杂的缺点。本发明中，多层二硫化钼直接设置于硅衬底上表面、无需精确转移，采用光刻胶直接作为绝缘层、有效避免SiO2层的使用，而顶电极通过光刻胶上开设窗口直接设置于多层二氧化钼的正上方
一种二硫化钼异质结光电传感器制备方法

[发明专利]一种耐海水腐蚀船侧板用铁基高铬陶瓷复合涂层及其制备方法-CN201510313432.2在审
发明人：张家俊 -专利权人：马鞍山市兴隆铸造有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C23C24/02 文献下载
摘要：一种耐海水腐蚀船侧板用铁基高铬陶瓷复合涂层，由下列重量份的原料制成：石墨粉1.6-1.8、铬粉25-27、镍粉4.3-4.6、硅粉4.1-4.4、硼粉0.3-0.4、镧粉0.1-0.2、铁粉40-42、钼粉0.4-0.6、TiAl粉末10-12、B₄C粉末20-21、硼酸铝晶须1.2-1.5、硼化二钼3-4、氟硅酸钠0.3-0.4。本发明冶金涂层与铁基材料的结合性、耐海水腐蚀性、耐冲击性和耐磨性好；通过添加镧粉、钼粉，提高了涂层的耐磨性和致密性，通过使用硼酸铝晶须、硼化二钼，涂层韧性好，抗剥落性、抗开裂性好，同时提高了耐海水腐蚀性
一种海水腐蚀船侧板用铁基高铬陶瓷复合涂层及其制备方法

[发明专利]一种全电熔窑炉的工艺电气控制方法及控制装置-CN201910785183.5在审
发明人：曹柏青;谢宗承;谢卓函;喻克洪;邓小军;王兴明;杨彥斌;钟琳娜;王孙富 -专利权人：四川航天拓鑫玄武岩实业有限公司;四川承晟集团有限公司;四川晟鑫新材料产业发展有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C03B37/07 文献下载
摘要：公开了一种全电熔窑炉的工艺电气控制方法及控制装置，窑炉包括炉体和位于炉体内的相互连通的熔化区和保温区，以及分别与熔化区和保温区连通的加料口和漏板，控制方法包括：向熔化区内加入碎玻璃，采用恒电流模式控制第一硅钼棒组提升空间温度，使碎玻璃熔化为玻璃液；启动保温区内的第二硅钼棒组，采用恒电流模式升高空间温度；向熔化区内加入玄武岩颗粒使其熔化为玄武岩液体，当玄武岩液体到达漏板需要的液位时，将第一硅钼棒组和第二硅钼棒组的控制模式切换为恒温模式熔化区空间温度的控制采用不同的控制模式，延长硅钼棒寿命。
硅钼棒熔化熔化区玄武岩漏板保温区窑炉玻璃液恒电流碎玻璃连通控制模式切换恒定电气控制恒温模式控制模式控制装置拉丝作业模式控制加料口炉体全电液位保温升高置换体内

[发明专利]一种钼背板基底的单晶硅靶材制备方法-CN202210079634.5在审
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;周鹏飞 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种钼背板基底的单晶硅靶材制备方法，所述制备方法包括：对单晶硅靶材焊接面依次进行打磨处理以及PVD镀膜处理，得到预处理单晶硅靶材；对钼背板焊接面进行打磨处理，得到预处理钼背板；使用焊料对所述预处理单晶硅靶材的焊接面以及所述预处理钼背板的焊接面分别独立地进行浸润处理；将所述预处理单晶硅靶材以及所述预处理钼背板进行组装，在加压条件下冷却后得到所述钼背板基底的单晶硅靶材。
一种背板基底单晶硅制备方法

[发明专利]一种纯氢竖炉还原高温氢气电加热装置及方法-CN202310147208.5在审
发明人：周和敏;郝晓东;张俊;沈朋飞;徐洪军;何鹏;高俊哲 -专利权人：钢研晟华科技股份有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C21B13/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种纯氢竖炉还原高温氢气电加热装置及方法，属于钢铁冶金技术领域，解决了现有技术中的金属换热器不能将氢气直接加热至1050℃的技术问题，所述的装置包括加热器和可控硅调压系统，所述的加热器内部设置有多孔蓄热体和多个互相连接的硅钼棒，所述的多孔蓄热体设置在相邻的两个硅钼棒之间，所述的硅钼棒与氢气流动方向垂直设置，所述的硅钼棒通过电极与所述的可控硅调压系统连接，所述的可控硅调压系统通过调节加热功率对所述的硅钼棒进行加热。本发明的装置采用硅钼棒电加热方法直接快速加热氢气到1050℃，通过设置多孔蓄热体增加了氢气与高温蓄热体接触面积，提高氢气换热效率。
一种纯氢竖炉还原高温氢气加热装置方法

[发明专利]一种硫化钼掺杂的硅碳负极材料及其制备方法和应用-CN202310253998.5在审
发明人：徐政和;房大维;姜峰;李超磊;张洪岩;邱伟;王晗 -专利权人：南方科技大学嘉兴研究院
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池材料领域，公开了一种硫化钼掺杂的硅碳负极材料及其制备方法和应用。硫化钼掺杂的硅碳负极材料具有双重核壳结构，该结构包括核结构和包覆核结构的碳壳层结构；核结构包括硫化钼纳米片和分散于硫化钼纳米片中的碳包覆纳米硅颗粒。制备方法：制备碳包覆纳米硅颗粒；将碳包覆纳米硅颗粒分散于硫化钼纳米片中，得前驱体；将前驱体、有机溶剂和离子液体混合，得前驱体悬浮液；加入有机碳源，喷雾干燥，碳化，形成硫化钼掺杂的硅碳负极材料。本发明制备的硫化钼掺杂的硅碳负极材料比容量高、膨胀率低、具有优异的循环稳定性、倍率性能和电化学性能。
一种硫化掺杂负极材料及其制备方法应用

[实用新型]一种高温硅钼棒水晶加热炉-CN201620376765.X有效
发明人：方春庚 -专利权人：浦江县乾坤工贸有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高温硅钼棒水晶加热炉，包括加热室和外壳，所述加热室和所述外壳之间形成一个间隙，在所述间隙位置处设置有陶瓷纤维保温层，所述加热室的内部设置有条状硅钼加热棒和U字形硅钼加热棒，所述外壳的外部设置有变压器，所述变压器分别连接所述条状硅钼加热棒和U字形硅钼加热棒，所述加热室的右端设置有出料管，所述加热室的顶部设置有烟管；本装置采用陶瓷纤维保温层覆盖加热室，使得加热室始终处于保温状态，外溢的热能较低，延长加热周期，降低能耗，并且采用条状硅钼加热棒和U字形硅钼加热棒进行双重加热，增加加热效率，提高水晶熔融效率，缩短产品生产周期。
一种高温硅钼棒水晶加热炉

[发明专利]一种不锈钢真空条件下吹氮气合金化的实验设备和方法-CN201810518784.5在审
发明人：时彦林 -专利权人：河北工业职业技术学院
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C21C7/072 文献下载
摘要：一种不锈钢真空条件下吹氮气合金化的实验设备和方法，属于冶金实验设备和方法技术领域，用于在真空条件下进行不锈钢吹氮气合金化实验。其技术方案是：本发明的实验设备在硅钼棒炉的上部增加了水冷盖，水冷盖与硅钼棒炉为密封连接，水冷盖上有真空泵孔，真空泵可以通过抽真空管路将硅钼棒炉内抽真空，进行真空状态下的吹氮气合金化操作实验。本发明通过真空泵抽真空达到VOD炉真空度的要求，模拟实际生产环境，解决了真空条件下不锈钢吹氮气合金化的溶解规律，为实际生产提供了理论指导。
氮气合金化硅钼棒炉实验设备水冷不锈钢不锈钢真空真空条件真空泵下吹溶解真空泵抽真空抽真空管路氮气流量理论指导密封连接生产环境冶金实验影响因素真空状态抽真空控制炉分压生产

[发明专利]一种二硫化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法-CN201510678656.3有效
发明人：曾祥斌;陈晓晓;文西兴;廖武刚;王文照;徐素娥;丁佳 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/ 硅异质结太阳能电池及其制备方法，化学气相沉积（CVD）方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜，该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控，制备的二硫化钼/ 硅异质结太阳电池具有常温制备
一种二硫化钼硅异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法-CN201910688508.8有效
发明人：李梓维;李方;杨文;梁德琅;潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法。方法包括：采用在二氧化硅/硅基底上用化学气相沉积的方法先制备出二硫化钼薄层，然后再次运用化学气相沉积的方法直接在上述基底上沉积二硒化钨薄层，并在NaI的辅助下，在600‑700℃的生长温度下实现所述两种材料构成的垂直异质结本发明二硫化钼/二硒化钨垂直异质结材料的制备方法工艺简单，原料中添加低熔点盐并结合成熟的基础工艺，能够避免底层过渡金属二硫化物(TMDCs)的原子替换、热分解、合金化等不利因素，实现高质量、原子级陡峭界面二维异质结的生长
二硫化钼二硒化钨垂直异质结制备方法

[发明专利]一种调控石墨烯/二硫化钼异质结中二硫化钼层数的方法-CN202010970440.5在审
发明人：徐克赛;周宇;李萍剑 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控二硫化钼/石墨烯异质结中二硫化钼层数的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明以硫单质为硫源，以五氯化钼为钼源，其中硫源有1个，钼源1个，采用双温区的制备方式，在转有石墨烯的二氧化硅/硅衬底上制得二硫化钼/石墨烯异质结；本发明通过对五氯化钼的质量控制，有效地实现了对二硫化钼/石墨烯异质结中二硫化钼层数的调控。
一种调控石墨二硫化钼异质结中层数方法

[发明专利]一种纳米二硅化钼增强的高导热碳化硅基陶瓷电路板基板材料及其制备方法-CN201510706665.9在审
发明人：王丹丹;王乐平;夏运明;涂聚友 -专利权人：合肥龙多电子科技有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米二硅化钼增强的高导热碳化硅基陶瓷电路板基板材料，该碳化硅基陶瓷基板以微米级的碳化硅粉体与纳米量级的氧化铝粉体复合使用，使得坯体密度更高，烧结稳定性更佳，加入的叶腊石可有效的降低烧结温度，纳米二硅化钼有良好的补强增韧功效，其能增进导热能力，不破坏基板的绝缘性，而含有纳米陶瓷粉透明液体的聚乙二醇复合溶剂对粉体间的浸润性和粘结能力强，可使得各物料间均匀分散包覆，形成具有均匀结构的坯体，在相对较低的烧结温度下即可得到高致密度
一种纳米二硅化钼增强导热碳化硅陶瓷电路板板材料及制备方法

[发明专利]一种应用于超高温感应加热的发热材料及其制备方法-CN201810453533.3在审
发明人：仝宗伟;何汝杰;白雪建;张可强;胡磊;张路 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明的发热材料，各组分质量百分比为：二硅化钼粉20～85％；二硼化锆粉5～70％；碳化硅粉2～20％；粘结剂1～10％；增塑剂1～10％；润滑剂1～10％；水5～20％。本发明发热材料的制备方法为，将二硅化钼粉、二硼化锆粉、碳化硅粉和粘结剂加入球磨机中，与无水乙醇共混；将共混后的泥浆经干燥得到粉料过筛；增塑剂和润滑剂与水混合后加入过筛后的粉料中，再用练泥机练泥成泥料；泥料经陈腐后采用真空挤出工艺成型
发热材料超高温制备二硅化钼粉二硼化锆感应加热碳化硅粉润滑剂增塑剂粘结剂粉料共混过筛泥料球磨机感应发热材料氧化性气氛质量百分比挤出成型挤出工艺目标产品脱脂处理无水乙醇烧结练泥机水混合泥浆练泥生坯陈腐成型应用

[发明专利]具有高散热性能的SOI晶圆及其制备方法-CN202111303138.5有效
发明人：刘森;刘海彬;关宇轩;刘兴龙;班桂春 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高散热性能的SOI晶圆及其制备方法，SOI晶圆依次包括：体硅晶圆、埋氧层及硅器件层；体硅晶圆靠近埋氧层的一侧形成有预设深度的沟槽，沟槽中填充有高热导率材料，高热导率材料采用散热胶固定，高热导率材料为碳纳米管或二硫化钼。通过在体硅晶圆中设置沟槽，并在沟槽中填充材料为碳纳米管或二硫化钼的高热导率材料，基于碳纳米管及二硫化钼具有高的热导率，可有效提高SOI电路的散热性能，使SOI晶圆的尺寸做的更大；另外高热导率材料设置于体硅晶圆中，不影响硅器件层的面积，提高有源区利用率，降低成本，提高集成度。
具有散热性能 soi 及其制备方法

[发明专利]一种镍铝钼‑硅铁合金负载纳米铝‑硅氧化物的球磨铸铁用复合变质剂及其制备方法-CN201611150424.1在审
发明人：徐世云 -专利权人：徐世云
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： C21C1/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种球磨铸铁用变质剂，具体涉及一种镍铝钼‑硅铁合金负载纳米铝‑硅氧化物的球磨铸铁用复合变质剂及其制备方法，该变质剂由以下重量份的原料制成纳米氧化铝2‑3、氟硼酸钾1‑2、镍粉2‑3、铝粉1‑2、钼粉1‑2、氧化石墨烯0.2‑0.4、纳米二氧化硅1‑2、膨胀石墨粉3‑5、独居石微粉1‑2、硅含量为45%的硅铁粉4‑5、硅酸镁铝0.3‑0.4、浓度为5‑10%的乙醇水溶液20‑25、助剂0.4‑0.5；本发明将膨胀石墨粉负载的纳米复合粉体与镍钼硅铁合金粉相互粘结负载，制得一种性能稳定的复合变质剂，该变质剂高温稳定，形核效果良好，石墨球化稳定持久；该变质剂促进了石墨化进程，改善结构组织，强度和耐磨性进一步得到提升
一种镍铝钼铁合金负载纳米氧化物铸铁复合变质及其制备方法