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[实用新型]一种硅钼棒锻造加热炉炉底结构-CN202022451551.3有效
发明人：朱彬;陈宏强;李松峰 -专利权人：河南世博钨钼科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： B21J17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅钼棒锻造加热炉炉底结构，包括炉体，所述炉体内底部固定连接有多个支撑柱，多个所述支撑柱上壁共同设有炉底板，所述炉体两侧壁共同贯穿设有多个硅钼棒，多个所述硅钼棒位于炉体内的部分为发热端，多个所述硅钼棒的位于炉体外的部分为冷端，多个所述硅钼棒的冷端上均设有用于夹紧硅钼棒的夹紧机构，多个所述支撑柱上均设有用于固定炉底板的固定机构。本实用新型通过拧动螺栓与螺母能够使得夹板与硅钼棒贴合的更加紧密，进而使得对硅钼棒夹持地更加稳定，可以取下炉底板，便于人们对炉底板的清理，能够将炉底板上的杂物清理干净，进而防止碎屑影响产品的锻造质量。
一种硅钼棒锻造加热炉结构

[发明专利]结晶过渡金属羟基氧化物钼钨酸盐-CN201680073280.6有效
发明人： S·米勒;S·C·柯斯特 -专利权人：环球油品公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：此催化剂是独特的结晶过渡金属羟基氧化物钼钨酸盐材料。使用结晶过渡金属羟基氧化物钼钨酸盐材料的加氢操作可以包括：加氢脱氮，加氢脱硫，加氢脱金属化，加氢脱硅，加氢脱芳构化，加氢异构化，加氢处理，加氢精制，以及加氢裂解。
结晶过渡金属羟基氧化物钼钨酸盐

[发明专利]弥散强化(ODS)钼－硅－硼合金-CN200480027085.7无效
发明人：帕斯卡·热埃纳 -专利权人：奥地利普兰西股份公司
申请日： 2004-09-15 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： C22C27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种钼－硅－硼合金，其含有钼或钼固溶体，其中含有等于25到90体积％的钼硅化物和钼硼硅化物，还可以包括钼硼化物，这种合金也含有0.1～5体积％的在1500℃的蒸气压＜5×10^－2
弥散强化 ods 合金

[发明专利]一种用于增材制造的钼硅硼材料的粉末球磨混合方法-CN201810639152.4有效
发明人：何家帮;周孟学 -专利权人：西安琦丰光电科技有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于增材制造的钼硅硼材料的粉末球磨混合方法，基于已有的球磨加工设备，将预先筛选好的钼硅硼粉末加入到球磨罐中，通过反复抽真空、通入氩气降低罐体内氧气含量；最终向罐内注入经过预先处理的无水乙醇本发明通过采用球形钼硅硼粉体配比优化和系统工艺措施保证，提高合金粉末加工时温度，提高了粉末球化率，能够较为有效地处理粉末尺寸分布不均匀的问题，为钼硅硼增材制造提供了较好的加工条件。
钼硅球磨球磨混合硼材料制造氩气尺寸分布处理工艺措施保证合金粉末加工设备加工条件配比优化体内氧气无水乙醇系统工艺乙醇蒸汽不均匀抽真空硼粉末球化率有效地硼粉加工冷却筛选

[发明专利]一种钼铁中铜、硅、磷、锡和锑含量的检测方法-CN202210919565.4在审
发明人：马婕;陈德;刘光奎;谌亚 -专利权人：攀钢集团西昌钢钒有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01N1/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种钼铁中铜、硅、磷、锡和锑含量的检测方法，所述方法包括：配制梯度浓度的铜、硅、磷、锡和锑的钼铁校准溶液；将待测钼铁试样，与锂盐混合、熔融和冷却得到钼铁熔融物，将钼铁熔融物与酸溶液和水混合溶解，配制待测钼铁溶液；根据梯度浓度的铜、硅、磷、锡和锑的钼铁校准溶液获取铜、硅、磷、锡和锑校准曲线，根据铜、硅、磷、锡和锑校准曲线获取待测钼铁溶液中的铜、硅、磷、锡和锑含量。
一种钼铁中铜含量检测方法

[发明专利]一种球形非晶合金粉末的制备方法-CN201910803523.2有效
发明人：周健东;高正江;张飞;李文英;陈欣;杨环 -专利权人：中航迈特粉冶科技（北京）有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本发明提供的一种球形非晶合金粉末的制备方法，涉及非晶合金粉末制备技术领域，其步骤包括：选取纯铁、纯铬、纯钼、纯石墨、硅、硼铁和钇铁，使原料中Fe、Cr、Mo、B、C、Si和Y元素的原子比满足43.12～44.88：18.62～19.38：13.72～14.28：5.88～6.12：13.72～14.28：0.98～1.02的配比范围；先熔炼纯铁、纯铬、纯钼和纯石墨，待其熔炼至熔融态液体后加入硅、硼铁和钇铁一并熔炼在上述技术方案中，纯铁、纯铬、纯钼和纯石墨先加料熔炼，主要是为了快速化料，降低材料中的氧增量；硅、硼铁和钇铁采用二次加料的方式，主要是为了控制成分，通过二次加料精确控制加入量与时间，降低或避免Si、B、
一种球形合金粉末制备方法

[发明专利]一种压接式二极管管芯制作方法-CN202110389795.X有效
发明人：王民安;王日新;汪杏娟;郑春鸣;黄永辉;王志亮 -专利权人：黄山芯微电子股份有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种压接式二极管管芯及制作方法，包括以下步骤：1)制备二极管扩散片，2)腐蚀电压槽，3)电压槽淀积多晶硅膜或氮化硅膜，4)电压槽玻璃钝化，5)刻蚀去除不需要多晶硅膜或氮化硅保护的大部分阴极面和阳极面区域的钝化膜，6)芯片与钼片的焊接，7)阴极面蒸铝，8)阴极面铝层选择腐蚀，9)铝层微合金。进一步10)管芯阳极面钼片单面多层金属化，11)电压槽涂覆第三保护层。焊接前对芯片测试，剔除掉不合格芯片，避免了钼片等浪费，不合格芯片钼片经过处理后再次利用。电压槽采用三层保护，降低管芯在高温动态下测试的漏电流；钼片设置钛镍银多层金属保护防止氧化，降低了热阻和电阻，减少功耗。
一种压接式二极管管芯制作方法

[发明专利]一种隔膜法原位电催化熔盐电解合成硅纳米纤维的系统-CN202010785022.9有效
发明人：甘永平;于哲;黄辉;张文魁;梁初;夏阳;张俊;贺馨平 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C25B1/33 文献下载
摘要：本发明涉及电化学合成硅纳米纤维材料制造领域，尤其涉及一种隔膜法钼原位催化电化学可控合成的硅纳米纤维的系统，该系统在惰性气体保护氛围下，在钼原位催化下电化学还原法将二氧化硅或硅酸盐合成硅纳米纤维。采用陶瓷隔膜电解槽，以金属电极钼为阳极，石墨电极为阴极；以MClx(M＝Li、Na、K、Mg、Ca)为熔盐电解质，硅酸盐或二氧化硅为前驱体；利用阳极电化学溶解的微量钼离子在阴极沉积为钼纳米颗粒作为催化剂，通过调控电解的电压、温度和时间可控合成硅纳米纤维，所制备的硅纳米纤维直径为10‑50nm，长度超过500nm，纯度大于85％。本发明的硅纳米纤维制备系统具有工艺简单、产率高、产物纯度高、生产成本低和易于产业化生产的特点。
一种隔膜原位电催化电解合成纳米纤维系统

[发明专利]一种LED光源用聚四氟乙烯基掺杂二硅化钼的散热材料及其制备方法-CN201510168800.9在审
发明人：江豪;童翔;孟官珍 -专利权人：安徽中威光电材料有限公司
申请日： 2015-04-11 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： C08L27/18 文献下载
摘要：本发明涉及LED散热材料，具体涉及一种LED光源用聚四氟乙烯基掺杂二硅化钼的散热材料及其制备方法，该材料由以下重量份的原料制成：三聚磷酸钠0.1-0.2、固含量为10-15%的铝溶胶1-2、纳米氮化硅镁2-3、200-300目二硅化钼微粉0.1-0.2、硅酸钠3-5、γ-氨丙基三乙氧基硅烷1-3、水30-40、聚乙二醇1-2、多孔硅2-3、400-600目氮化铝微粉20-25、200-300目聚四氟乙烯微粉
一种 led 光源聚四氟乙烯掺杂二硅化钼散热材料及其制备方法

[发明专利]一种纺丝用发热母粒及其制备方法-CN201710023234.1在审
发明人：杨金才 -专利权人：武汉正大通知识产权服务有限责任公司
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C08L67/02 文献下载
摘要：一种纺丝用发热母粒，其特征在于由聚对苯二甲酸丙二醇酯(纺丝级PBT)、聚己内酰胺、二硅化钼粉、电气石、色素炭黑、氧化石墨烯、聚乙烯醇、掺锑氧化锡粉体、硬脂酸钙制备而成，各原料所占质量百分数分别为聚对苯二甲酸丙二醇酯45％～49％；聚己内酰胺35％～40％；二硅化钼粉1％～3％；电气石1％～4％；色素炭黑0.1％～0.6％；氧化石墨烯1％～3％；聚乙烯醇0.1％～1％；掺锑氧化锡粉体0.1％～4.0％；硬脂酸钙0.1
一种纺丝发热及其制备方法

[发明专利]一种新型氧化硅复合钝化层化合物异质结接触硅太阳电池-CN202210631894.9在审
发明人：张永哲;章海;陈小青;严辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-06-05 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种新型氧化硅复合钝化层化合物异质结接触硅太阳电池，属于太阳能光伏技术研究领域。通过在硅片的正表面采用等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积本征氢化非晶硅钝化膜来钝化晶硅表面悬挂键，为避免正表面的氢化非晶硅和其上沉积的三氧化钼薄膜的直接接触，在氢化非晶硅钝化膜正面沉积一层二氧化硅保护层因为氢化非晶硅直接与三氧化钼接触，其接触界面会生成稀疏状的二氧化硅薄膜，会导致三氧化钼失效，同时氢化非晶硅钝化效果也会降低，所以是为了保护三氧化钼作为空穴传输层的作用和氢化非晶硅作为钝化的作用，以及进一步提高钝化效果为进一步提高硅太阳电池的效率和稳定性提供了保障。
一种新型氧化复合钝化化合物异质结接触太阳电池

[发明专利]提高多晶硅光伏电池转换效率的方法-CN201110111687.2无效
发明人：熊震;张弛;付少永;黄振飞;刘振淮;黄强 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2011-04-30 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高多晶硅光伏电池转换效率的方法，包括以下步骤：1)将需要进行处理的多晶硅基材料置于热等静压炉炉腔中，炉腔发热体为石墨、钼、钽或二硅化钼；2)向抽取真空的炉腔中通入惰性气体，使炉腔内惰性气体的浓度达到～30℃/分钟的速率使其升温至900～1380℃，并在该温度下保温0.1～10小时，炉腔压力为0.5～250MPa；4)以10～50℃/分钟的速率冷却至室温，炉腔压力逐渐减小至大气压，开炉腔，取出多晶硅基材料采用本方法后多晶硅的少子寿命得到提高，多晶硅的微缺陷含量得到大幅度降低，由此制备的光伏电池转换效率得到提升。
提高多晶硅光伏电池转换效率方法

[发明专利]一种陶瓷铝板及其制备方法-CN201710903764.5在审
发明人：蓝富明 -专利权人：平果富邑智能板有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： C22C49/02 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷铝板技术领域，且公开了一种陶瓷铝板，包括以下重量份数配比的原料粘土800‑1000份、铝50‑100份、碳20‑30份、钨5‑8份、钛3‑5份、镍8‑10份、硅化铌10‑15份、硼化钼15‑20份、碳化钛5‑10份、氮化钛2‑5份、钼5‑8份、锆英砂10‑20份、玻璃纤维10‑15份和水500‑1000份。该陶瓷铝板通过碳、钨、钛、镍、硅化铌和硼化钼的添加，使陶瓷铝板的耐热性更好，而且还添加了碳化钛、氮化钛、钼、锆英砂和玻璃纤维，使陶瓷铝板的硬度更高，不仅能够更加有效的防止陶瓷铝板因为磕碰而破碎，而且使陶瓷铝板能经受更高的温度
一种陶瓷及其制备方法

[发明专利]催化剂中硅含量的快速测定方法-CN201310657318.2在审
发明人：陈刚;李大鹏;高瑞民;裴婷;张伟;王明峰;张书勤 -专利权人：陕西延长石油（集团）有限责任公司研究院
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： G01N21/3577 文献下载
摘要：本发明涉及一种催化剂中硅含量的快速测定方法，采用强碱溶液在高温下快速溶解催化剂样品和高纯二氧化硅标准品后，在酸性条件下，加入乙醇丙酮混合液作稳定剂，与钼酸铵进行显色反应，生成黄色的硅钼黄杂多酸，之后，将硅钼黄还原为硅钼蓝杂多酸并定容，在810nm测定其吸光度，利用二氧化硅浓度与吸光度值标准曲线，换算出样品中的硅含量。本发明方法与传统二氧化硅碱熔融法相比，样品处理温度低、速度快，催化剂中硅采用分光光度法测定方法简单易操作。
催化剂含量快速测定方法

[发明专利]一种多级腔拉曼基底及其制备方法和应用-CN202010737095.0有效
发明人：张超;李振;赵晓菲;郁菁;满宝元 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：包括以金字塔硅为基底，在表面垂直生长的二硫化钼纳米片，在二硫化钼上复合原位还原的金纳米颗粒。在金字塔硅表面制备垂直生长的二硫化钼纳米腔，在二硫化钼的表面通过原位还原的方法修饰金纳米颗粒，得到多级腔拉曼基底。解决现有技术中拉曼基底检测限高，制备工艺繁琐，不利于大批量生产的问题。
一种多级腔拉曼基底及其制备方法应用