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[发明专利]一种三维存储器件的制造方法及其器件结构-CN201710681560.1有效
发明人：张富山;华文宇;夏志良;张帜;王迪 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器件的制造方法及其器件结构，通过在二氧化硅绝缘层上沉积覆盖高强度的氮化硅保护膜，从而可以防止后续的高温退火过程中二氧化硅绝缘层薄膜的破裂，而且所述氮化硅保护层还可以作为后续化学机械抛光工艺的阻挡层，在化学机械抛光之后，通过湿法刻蚀工艺去除残留的氮化硅保护层，不会对后续的接触孔刻蚀工艺的控制造成任何影响。该方案不仅有效防止三维存储器件中台阶落差填补用的绝缘层薄膜的破裂，而且工艺简单，便于控制。
三维存储器件二氧化硅绝缘层氮化硅保护层器件结构破裂化学机械抛光工艺氮化硅保护膜化学机械抛光绝缘层薄膜高温退火刻蚀工艺湿法刻蚀接触孔中台阶阻挡层去除沉积薄膜制造落差残留填补覆盖

[实用新型]照明LED高效散热光源基板-CN200920052764.X无效
发明人：吴俊纬 -专利权人：广州南科集成电子有限公司
申请日： 2009-03-17 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： F21V29/00 文献下载
摘要：本实用新型包括金属基板(2)，所述金属基板(2)的上表面沉积有导热绝缘层，所述导热绝缘层上设有金属层(6)，所述金属层(6)的上表面除焊点、芯片及打线预留位置外的其余部分覆盖有防焊层(8)，所述导热绝缘层由二氧化硅层(30)或氮化硅层(31)或二氧化硅层(30)与氮化硅层(31)组合构成，所述金属层(6)根据待装的LED裸芯片的串并联连接关系构成预先设定的电路连线及图形。
照明 led 高效散热光源

[发明专利]新型ITO通孔一体式电容触摸屏及其制造方法-CN201210084028.9有效
发明人：曹晓星 -专利权人：深圳市宝明科技股份有限公司
申请日： 2012-03-27 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型ITO通孔一体式电容触摸屏及其制造方法，所述ITO通孔电容触摸屏包括透明玻璃基板或树脂材料基板，依次层叠于透明玻璃基板的二氧化硅层、五氧化二铌层、黑色树脂层、ITO电极、第一绝缘层、ITO通孔电极、金属电极和第二绝缘层；所述的二氧化硅层为整面覆盖玻璃，五氧化二铌层为整面覆盖住二氧化硅层；所述的ITO电极包括ITO电极1和ITO电极2，具有规则图形结构。
新型 ito 通孔一体式电容触摸屏及其制造方法

[发明专利]照明LED高效散热光源基板及制造方法-CN200910037957.2无效
发明人：吴俊纬 -专利权人：广州南科集成电子有限公司
申请日： 2009-03-17 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： F21V29/00 文献下载
摘要：所述光源基板包括金属基板(2)，所述金属基板(2)的上表面沉积有导热绝缘层，所述导热绝缘层上设有金属层(6)，所述金属层(6)的上表面除焊点、芯片及打线预留位置外的其余部分覆盖有防焊层(8)，所述导热绝缘层由二氧化硅层(30)或氮化硅层(31)或二氧化硅层(30)与氮化硅层(31)组合构成，所述金属层(6)根据待装的LED裸芯片的串并联连接关系构成预先设定的电路连线及图形。所述制造方法包括金属基板预处理、形成导热绝缘层、形成金属层及形成防焊层的步骤。本发明可广泛应用于LED光源领域。
照明 led 高效散热光源制造方法

[实用新型]一种薄膜磁芯电子变压器-CN201620226461.5有效
发明人：张健;孟令旗;杨曾光;陈阳;王树军;徐勇;尹建华;赵婷婷;宋羽桐 -专利权人：鞍山市正发电路有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01F19/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种薄膜磁芯电子变压器，包括微晶玻璃基片、电极、绝缘层、铁氧体，微晶玻璃基片上依次覆有电极、绝缘层、铁氧体、绝缘层、电极，所述的电极是铜薄膜，所述的绝缘层是厚度为0.3‑0.4μm的二氧化硅薄膜本实用新型的优点是：采用高精度的薄膜制造技术，以激光气相沉降的方法，在微晶玻璃基片上制作多层厚度为纳米或微米级的金属、金属氧化物薄膜，形成磁芯和绕组。磁性材料采用高性能的镍锌铁氧体提高磁性能，导电材料选用铜作为电极性价比较高利于制作，绝缘材料选用二氧化硅，增强绝缘性。
一种薄膜电子变压器

[发明专利]一种消除热应力的TSV结构-CN201810774674.5在审
发明人：詹望 -专利权人：河南汇纳科技有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除热应力的TSV结构，包括硅衬底层，其特征在于：所述硅衬底层上下侧均设置有绝缘的二氧化硅层，所述硅衬底层设置有贯穿硅衬底层的铜柱，所述铜柱侧面与硅衬底层之间设置有空气间隙，所述铜柱上下两端连接铝基片；本发明利用环形空气缝替代通常的二氧化硅作为TSV的铜柱与硅衬底的绝缘层，在铜柱高温变形时，空气间隙为铜柱的膨胀提供了自由变形区，使铜柱不再挤压硅衬底，同时能够有效降低二氧化硅介质层的应力作用区间。
铜柱硅衬底层空气间隙硅衬底热应力绝缘层二氧化硅介质层二氧化硅层二氧化硅高温变形环形空气上下两端铜柱侧面应力作用自由变形铝基片绝缘挤压膨胀贯穿替代

[发明专利]一种基于二级压曲放大的引信用MEMS执行器-CN201410369770.3有效
发明人：赵玉龙;李秀源;胡腾江;徐文举;白颖伟;任炜 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种基于二级级联压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底上制作有加速膛孔，二氧化硅绝缘层在单晶硅衬底上生长，将单晶硅结构层与生长了二氧化硅绝缘层2的单晶硅衬底键合，金属电极层沉积在单晶硅结构层的电极锚点上；MEMS执行器在单晶硅结构层中制作，MEMS执行器是除去与电极锚点键合的部分，其余的二氧化硅绝缘层将被腐蚀掉，使V型梁热电执行器、中间臂、一级放大梁、连接臂、二级放大梁以及隔板悬空，形成最终的可动结构，利用刻蚀技术制作可动结构层，利用热电效应来产生相应的输出，利用MEMS相关工艺制作的器件体积小，具有低成本、高智能、易集成的特点。
一种基于二级放大引信 mems 执行

[发明专利]一种悬臂梁式薄膜压力发电结构-CN201710208013.1在审
发明人：闫树斌;李国洪;张志东;张彦军;冯登超;张勐;赵学峰;薛晨阳;张文栋 -专利权人：中北大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明属于微机电系统领域，具体为一种悬臂梁式薄膜压力发电结构，包括框型基底，框型基底开口正对的梁上设有悬空在框型基底内的硅悬臂梁，硅悬臂梁的自由端固定有质量块，框型基底开口正对的梁上方还设有二氧化硅绝缘层，二氧化硅绝缘层上设有底电极层，底电极层上朝框型基底开口侧延伸有位于硅悬臂梁上方的条状底电极层，质量块上设有PZT压电层，PZT压电层朝二氧化硅绝缘层方向延伸有位于条状底电极层上方的条状PZT压电层，条状PZT压电层上方设有顶电极层。当系统处于振动环境中时,外界环境中的振动能传递到系统内,引起硅悬臂梁振动并弯曲变形,使硅悬臂梁储存机械能,从而引起压电层的伸缩进而产生电信号,实现了机械能到电能的转换。
一种悬臂梁薄膜压力发电结构

[实用新型]一种悬臂梁式薄膜压力发电结构-CN201720333432.3有效
发明人：闫树斌;李国洪;张志东;张彦军;冯登超;张勐;赵学峰;薛晨阳;张文栋 -专利权人：中北大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本实用新型属于微机电系统领域，具体为一种悬臂梁式薄膜压力发电结构，包括框型基底，框型基底开口正对的梁上设有悬空在框型基底内的硅悬臂梁，硅悬臂梁的自由端固定有质量块，框型基底开口正对的梁上方还设有二氧化硅绝缘层，二氧化硅绝缘层上设有底电极层，底电极层上朝框型基底开口侧延伸有位于硅悬臂梁上方的条状底电极层，质量块上设有PZT压电层，PZT压电层朝二氧化硅绝缘层方向延伸有位于条状底电极层上方的条状PZT压电层，条状PZT压电层上方设有顶电极层。当系统处于振动环境中时,外界环境中的振动能传递到系统内,引起硅悬臂梁振动并弯曲变形,使硅悬臂梁储存机械能,从而引起压电层的伸缩进而产生电信号,实现了机械能到电能的转换。
一种悬臂梁薄膜压力发电结构

[发明专利]一种无机纳米粒子修饰PVP绝缘层气体传感器制备方法-CN201910922844.4在审
发明人：王丽娟;孙强;朱阳阳;谢强;王璐 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种无机纳米粒子修饰PVP绝缘层气体传感器制备方法。传感器为OFET器件结构，包括硅衬底（1），二氧化硅绝缘层（2），PVP/TiO
气体敏感层绝缘层叉指电极降低器件纳米粒子传感器蒸镀修饰二氧化硅绝缘层无机纳米粒子真空蒸镀技术传感器制备聚合物混合绝缘层气体气体传感器工作电压介电常数响应能力制备工艺复合材料聚合物硅衬底灵敏度相容性改性功耗旋涂制备薄膜

[发明专利]新型金属过桥一体式电容触摸屏及其制造方法-CN201210084032.5无效
发明人：曹晓星 -专利权人：深圳市宝明科技股份有限公司
申请日： 2012-03-27 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型金属过桥一体式电容触摸屏及其制造方法，所述金属过桥电容触摸屏包括透明基板，依次层叠于透明基板的二氧化硅层、五氧化二铌层、黑色树脂层、ITO电极、第一绝缘层、金属电极及金属过桥和第二绝缘层；所述的二氧化硅层为整面覆盖玻璃，五氧化二铌层为整面覆盖住二氧化硅层；ITO电极包括电容屏驱动和感应电极，具有规则图形结构；电容屏驱动与感应电极在同一层面，相互独立，相互绝缘，垂直设计；所述透明基板包括视窗区和非视窗区，黑色树脂层分布在显示屏非视窗区。
新型金属过桥体式电容触摸屏及其制造方法

[实用新型]新型金属过桥一体式电容触摸屏-CN201220119832.1有效
发明人：曹晓星 -专利权人：深圳市宝明科技股份有限公司
申请日： 2012-03-27 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型金属过桥一体式电容触摸屏，所述金属过桥电容触摸屏包括透明基板，依次层叠于透明基板的二氧化硅层、五氧化二铌层、黑色树脂层、ITO电极、第一绝缘层、金属电极及金属过桥和第二绝缘层；所述的二氧化硅层为整面覆盖玻璃，五氧化二铌层为整面覆盖住二氧化硅层；ITO电极包括电容屏驱动和感应电极，具有规则图形结构；电容屏驱动与感应电极在同一层面，相互独立，相互绝缘，垂直设计；所述透明基板包括视窗区和非视窗区，黑色树脂层分布在显示屏非视窗区
新型金属过桥体式电容触摸屏

[发明专利]一种全硅三明治微加速度计制作方法-CN201911329259.X在审
发明人：刘宇;刘福民;邱飞燕;刘国文;梁德春;张乐民;崔尉;张树伟;马骁;徐宇新 -专利权人：北京航天控制仪器研究所
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种全硅三明治微加速度计制作方法，该方法包括如下步骤：在上极板硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层，光刻腐蚀出多个上极板单元；在下极板硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层，光刻腐蚀出多个下极板单元；在结构硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层，双面光刻湿法腐蚀出多个结构单元；将结构硅晶片的结构单元、上极板硅晶片中与结构单元相对应的上极板单元和下极板硅晶片中与结构单元相对应的下极板单元在设定气压的键合设备内键合
一种三明治加速度计制作方法

[发明专利]耐火电缆及制备方法-CN200710191858.0有效
发明人：冯钰;徐静 -专利权人：远东电缆有限公司;江苏新远东电缆有限公司;远东复合技术有限公司
申请日： 2007-12-16 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01B7/295 文献下载
摘要：本发明是对耐火电缆的改进，其特征是导体外耐火绝缘层为高温挤包、厚度0.05～1.0mm硅质化合物，外保护层为耐火纤维编织层。较已有耐火电缆，能够大长度生产，生产工序简单；电缆外径小，敷设占位空间小，弯曲性能适中；废电缆回收分离容易，回收材料均可循环再利用，无污染；耐火绝缘原料资源多，价格低，可以降低电缆耐火绝缘成本，耐火绝缘成本可分别较，矿物绝缘、云母绝缘、硅橡胶绝缘，降低70％、40％、50％，防水、耐油、耐辐射性能，也优于现有耐火电缆，耐火度和耐温等级高，可以长期在1000℃环境中运行，弯曲半径为电缆直径20倍左右。硅质耐火绝缘层制成至少中间一层为二氧化硅、二侧内外层为与二氧化硅不同的硅质化合物或不同晶状结构二氧化硅，还可以传输光信号，使耐火电缆同时具有光通信功能。
耐火电缆制备方法

[发明专利]新型ITO过桥一体式电容触摸屏及其制造方法-CN201210084785.6有效
发明人：曹晓星 -专利权人：深圳市宝明科技股份有限公司
申请日： 2012-03-27 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型ITO过桥一体式电容触摸屏及其制造方法，所述新型ITO过桥一体式电容触摸屏包括透明基板，依次层叠于透明基板的二氧化硅层、五氧化二铌层、黑色树脂层、ITO过桥电极、第一绝缘层、ITO电极、金属电极和第二绝缘层；所述的二氧化硅层为整面覆盖玻璃，五氧化二铌层为整面覆盖住二氧化硅层；所述的ITO电极包括电容屏驱动和感应电极，具有规则图形结构；电容屏驱动与感应电极在同一层面，相互独立，相互绝缘
新型 ito 过桥体式电容触摸屏及其制造方法