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- [实用新型]一种增加集成电路器件可靠性的电容-CN202320048680.9有效
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王家斌;黄绪江;章海标
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上海能埔电子有限公司
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2023-01-09
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2023-06-09
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H01L29/94
- 本实用新型涉及集成电路技术领域，且公开了一种增加集成电路器件可靠性的电容，包括N型外延层，所述N型外延层上镶嵌有N型扩散层，所述N型外延层以及N型扩散层的表面上设置有介质层，所述介质层上设置有电容上极板，电容上极板表面设置有二氧化硅绝缘层,二氧化硅绝缘层的表面通过高分子胶连接塑封料，该增加集成电路器件可靠性的电容，氮化硅与N型扩散层之间的应力较大，但二氧化硅与N型扩散层之间、二氧化硅与氮化硅之间的应力均很小，因此在氮化硅下增加一个很薄的二氧化硅层可以解决应力过大的问题，由于只需要很薄的二氧化硅，在维持氮化硅与薄二氧化硅等于原氮化硅的厚度的情况下，并不会大幅减少电容容值，不会增加成本。
- 一种增加集成电路器件可靠性电容
- [实用新型]一种集成电路封装结构-CN201520436845.5有效
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林乐宗
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林乐宗
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2015-06-24
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2015-09-23
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H01L23/28
- 本实用新型公开了一种集成电路封装结构，包括P型硅衬底、源极、栅极、二氧化硅绝缘层、漏极、驱动电路、包络发生器、衬底引线、音调发生器、振荡电路、节奏发生器和速度控制器，二氧化硅绝缘层安装在P型硅衬底的顶部中间，栅极固定在二氧化硅绝缘层的底部，源极和漏极安装在二氧化硅绝缘层的左右两端的P型硅衬底的顶部，源极和漏极的下端的P型硅衬底上设置有耗尽层，驱动电路、包络发生器、音调发生器、振荡电路、节奏发生器和速度控制器依次均匀的安装在本实用新型结构简单、体积小、使用寿命长，耗尽层能够防止源极、栅极和漏极的消耗，二氧化硅绝缘层能够有效防止短路。
- 一种集成电路封装结构
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