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[发明专利]可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构-CN201510093713.1有效
发明人：陈平;赵德刚;朱建军;刘宗顺;江德生;杨辉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：一种可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构，包括一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极；一二氧化硅绝缘层，其制作在金属阳极上，该二氧化硅绝缘层的中间为电子发射‑接收窗口；其中该制作有二氧化硅绝缘层的金属阳极扣置在AlN冷阴极的表面；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明可以减少AlN冷阴极材料的表面氧化，提高其电子发射性能。
可以减少 aln 阴极表面氧化电子接收结构

[发明专利]半导体栅极电控量子点及其制备方法-CN201910366140.3有效
发明人：李海欧;胡睿梓;王柯;张鑫;罗刚;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体栅极电控量子点及其制备方法，结构包括：衬底(101)；二氧化硅层(102)，其形成在衬底(101)上，二氧化硅层(102)上形成有离子注入区域(200)和量子点大电极(400)，离子注入区域(200)制备有欧姆接触电极(300)，二氧化硅层(102)上制备有量子点小电极(500)，其中，量子点大电极(400)与量子点小电极(500)相连；绝缘层(600)，其形成在二氧化硅层(102)上，只覆盖量子点区域该半导体栅极电控量子点只保留量子点区域的氧化铝绝缘层，解决了传统硅基半导体材料空穴型量子点中出现的本底电流问题。
半导体栅极量子及其制备方法

[实用新型]半导体栅极电控量子点-CN201920622930.9有效
发明人：李海欧;胡睿梓;王柯;张鑫;罗刚;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体栅极电控量子点，包括：衬底(101)；二氧化硅层(102)，其形成在衬底(101)上，二氧化硅层(102)上形成有离子注入区域(200)及量子点大电极(400)，离子注入区域(200)制备有欧姆接触电极(300)，二氧化硅层(102)上制备有量子点小电极(500)，其中，量子点大电极(400)与量子点小电极(500)相连；绝缘层(600)，其形成在二氧化硅层(102)上，只覆盖量子点区域，其中，量子点区域包括量子点小电极该半导体栅极电控量子点只保留量子点区域的氧化铝绝缘层，解决了传统硅半导体材料空穴型量子点中出现的本底电流问题。
量子点二氧化硅层离子注入区域大电极小电极半导体栅极内部区域衬底电控制备绝缘层硅半导体材料欧姆接触电极氧化铝绝缘层空穴电流问题保留覆盖

[发明专利]层间绝缘材料以及多层印刷布线板-CN201780032797.5有效
发明人：林达史;西村贵至;马场奖 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种层间绝缘材料，其可以增强绝缘层和金属层之间的密合性，并且可以减小绝缘层表面的表面粗糙度。本发明的层间绝缘材料，其为用于多层印刷布线板的层间绝缘材料，所述层间绝缘材料含有环氧化合物、固化剂、二氧化硅和聚酰亚胺，所述聚酰亚胺是四羧酸酐和二聚酸二胺的反应产物，所述层间绝缘材料中除溶剂以外的成分100重量％中，所述二氧化硅的含量为30重量％以上且90重量％以下，所述层间绝缘材料中除所述二氧化硅和溶剂以外的成分100重量％中，所述环氧化合物和所述固化剂的总含量为65重量％以上。
绝缘材料以及多层印刷布线

[发明专利]一种基于氮化钽功能膜的压敏芯片-CN202010569073.8有效
发明人：王国秋;黄坚;陈璀 -专利权人：湖南启泰传感科技有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：所述的压敏芯片包括基板、绝缘层和氮化钽功能膜；所述的基板为不锈钢基板，所述的绝缘层为二氧化硅层，所述的氮化钽功能膜设置于二氧化硅层表面。在实施过程中通过溅射的方式将氮化钽薄膜设置于二氧化硅层表面，在溅射过程中控制腔体中氮气和氩气的体积，以及其他各种参数可以使氮化钽薄膜与二氧化硅层结合，从而提高薄膜之间的结合力，通过控制氮化钽薄膜和二氧化硅层的厚度比
一种基于氮化功能芯片

[实用新型]一种半导体量子点器件-CN202120434495.4有效
发明人：孔伟成;张辉;赵勇杰 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体量子点器件，包括硅基底；位于所述硅基底上的二氧化硅层，所述二氧化硅层上形成有离子注入窗口，其中，所述离子注入窗口用于向所述硅基底注入离子；位于所述二氧化硅层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有与所述注入离子欧姆接触的欧姆电极；位于所述二氧化硅层上的量子点窗口，所述量子点窗口位于所述欧姆电极之间且裸漏出所述二氧化硅层；位于所述量子点窗口内的第一金属电极和磁体，其中，所述第一金属电极层叠布置，所述第一金属电极用于形成量子点，所述磁体用于对所述量子点进行调控
一种半导体量子器件

[发明专利]一种CMUTs流体密度传感器及其制备方法-CN201810468138.2有效
发明人：赵立波;张家旺;李支康;李杰;卢德江;赵一鹤;徐廷中;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G01N29/036 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMUTS流体密度传感器及其制备方法，CMUTs单元结构包括基底、下电极、二氧化硅热应力匹配层、二氧化硅支柱、二氧化硅振动薄膜层、环形金属上电极、二氧化硅绝缘层、声阻抗匹配层和隔声墙。本发明采用环形薄膜作为振动结构，相比于传统的圆形薄膜提高了谐振频率和密度检测灵敏度，同时隔声墙能有效减小CMUTs阵列中单元间的超声互辐射，从而使传感器具有更高的精度，阻抗匹配层的设置能有效提高CMUTs检测信号的强度；对CMUTs的上下电极采用低热膨胀系数的绝缘二氧化硅进行覆盖，使传感器能工作于高温、导电和腐蚀性流体的测量环境中。
一种 cmuts 流体密度传感器及其制备方法

[发明专利]一种栅源侧台保护的晶体管功率器件及其制造方法-CN201110224494.8有效
发明人：王新 -专利权人：深圳市稳先微电子有限公司
申请日： 2011-08-06 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅源侧台保护的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极、漏电极和栅源绝缘层，所述栅源绝缘层包括二氧化硅层、第一氮化硅层、第二氮化硅层和热氧化侧台层；所述二氧化硅层沉积在所述多晶硅层上，并且，所述第一氮化硅层设置在所述二氧化硅上，作为所述多晶硅的上保护层；所述第二氮化硅层设置在所述多晶硅层的下表面，作为所述多晶硅层的下保护层；所述热氧化侧台层设置在所述栅电极和源电极之间，用于侧台隔离所述栅电极和所述源电极本发明对栅源之间具有保护作用，防止短路，增加栅源绝缘性能，结构简单，工艺也较简单，产率较高。
一种栅源侧台保护晶体管功率器件及其制造方法

[发明专利]一种隔热绝缘板及其制备方法-CN202310075438.5在审
发明人：莫跃红 -专利权人：赛维精密科技（广东）有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种隔热绝缘板及其制备方法，隔热绝缘板包括二氧化硅气凝胶层；二氧化硅气凝胶层的上下表面设置有环氧胶粘剂层；环氧胶粘剂层远离氧化硅气凝胶层的一侧设置有聚酰亚胺膜绝缘层；聚酰亚胺膜绝缘层远离环氧胶粘剂层的一侧设置有无碱玻璃纤维网格布层；无碱玻璃纤维网格布层远离聚酰亚胺膜绝缘层的一侧设置有热熔胶层；热熔胶层远离无碱玻璃纤维网格布层的一侧设置有云母纸层。本发明通过云母纸层‑热熔胶层/无碱玻璃纤维网格布层‑聚酰亚胺膜绝缘层‑环氧胶粘剂层‑二氧化硅气凝胶层‑环氧胶粘剂层‑聚酰亚胺膜绝缘层‑热熔胶层/无碱玻璃纤维网格布层‑云母纸层的结构设计，提升了隔热板的绝缘性能
一种隔热绝缘及其制备方法

[发明专利]锂离子电池及其制造方法以及锂离子电池的制造装置-CN201580058044.2在审
发明人：高原洋一;窪田千惠美;西龟正志;二乃宫荣作;松冈正兴;藤井武;森恭一 -专利权人：株式会社日立高新技术高精细系统
申请日： 2015-10-07 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01M10/052 文献下载
摘要：为了解决上述课题，本发明的锂离子电池中，经过一次涂覆工序在形成于集电箔表面上的负极层上形成绝缘层，该绝缘层为以二氧化硅粒子层为下层、以聚丙烯粒子层为上层的2层结构，所述涂覆工序中使用含有比重相互不同的2种微粒的绝缘材料。同样地，经过一次涂覆工序在形成于集电箔表面上的正极层上形成绝缘层，所述绝缘层为以二氧化硅粒子层为下层、以聚丙烯粒子层为上层的2层结构，所述涂覆工序中使用含有比重相互不同的2种微粒的绝缘材料。二氧化硅粒子层具有耐热功能，聚丙烯粒子层具有关闭功能。
锂离子电池及其制造方法以及装置

[实用新型]半导体激光器封装硅基板芯片-CN201821692497.8有效
发明人：汪鹏;徐艳;徐建卫 -专利权人：上海矽安光电科技有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：其中半导体激光器封装硅基板芯片包括硅基板衬底，绝缘层和金层；绝缘层设于硅基板衬底与金层之间；绝缘层由彼此连接的二氧化硅层和氮化硅层构成；二氧化硅层连接硅基板衬底；氮化硅层连接金层。
硅基板绝缘层半导体激光器衬底金层封装本实用新型二氧化硅层氮化硅层芯片激光器芯片彼此连接降低设备热导率散热刻蚀制备加工

[发明专利]一种碳化硅基氮化镓微米线阵列光电探测器及制备方法-CN202110920115.2在审
发明人：李京波;孙一鸣;王小周 -专利权人：浙江芯国半导体有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅基氮化镓微米线阵列光电探测器及制备方法，该探测器包括：碳化硅衬底；二氧化硅绝缘层，间隔形成在所述碳化硅衬底上，以使未覆盖所述二氧化硅绝缘层的衬底上形成若干凹槽结构；氮化镓微米线，形成在所述凹槽结构内，并且所述微米线延伸方向与凹槽结构延伸方向一致；氮化铝缓冲层，形成在所述凹槽结构的氮化镓微米线下方；若干叉指电极，设置在所述氮化镓微米线和所述二氧化硅绝缘层上方且与所述凹槽结构方向平行。
一种碳化硅氮化微米阵列光电探测器制备方法

[实用新型]一种新型55KV电力电缆-CN201520396633.9有效
发明人：傅小娟 -专利权人：傅小娟
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01B9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型55KV电力电缆，其包括导线、绝缘漆层、填充层、二氧化硅层以及聚乙烯绝缘层；其中，所述导线、绝缘漆层、填充层、二氧化硅层和聚乙烯绝缘层自内而外依次设置；于所述填充层内设有若干散热通道；所述聚乙烯绝缘层内布置有若干帘子线。
一种新型 55 kv 电力电缆

[实用新型]一种新型绝缘电力电缆-CN201620108810.3有效
发明人：李亚;胡常胜;谢伟;李亚宜;马秀梅;张蕊;姜岩;程峰;张梅;张丹 -专利权人：国网新疆电力公司经济技术研究院;国家电网公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H01B9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型绝缘电力电缆，包括导体、绝缘层、铜带屏蔽层、填充物、绝缘屏蔽层、防水层、二氧化硅层、钢带铠装和外护套，所述新型绝缘电力电缆中心设有多股导体，所述新型绝缘电力电缆最外层设有外护套，所述外护套内侧包裹有钢带铠装，所述钢带铠装内侧设有二氧化硅层，所述二氧化硅层内侧设有防水层，所述防水层内侧包裹有绝缘屏蔽层，所述导体外侧包覆有绝缘层，所述绝缘层外侧包覆有铜带屏蔽层，所述铜带屏蔽层与绝缘屏蔽层之间设有填充物，本实用新型结构简单
一种新型绝缘电力电缆

[发明专利]0－50pa单片硅基SOI超低微压传感器及其加工方法-CN200810024191.X有效
发明人：沈绍群 -专利权人：无锡市纳微电子有限公司
申请日： 2008-05-20 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：其芯片包括硅衬底(1)，在硅衬底的两面覆盖有绝缘层(2)，绝缘层(2)表面约0.3微米的单晶硅薄膜生成电阻(3)，内引线(4)与电阻(3)连接；芯片背面的开口内制作有背岛(7)或无背岛的平膜；在背岛和边框之间为氮化硅和二氧化硅复合弹性膜取单晶硅作衬底(1)，然后在衬底背面刻出开口(6)；对硅片正面进行氧离子注入、对硅片进行退火处理，形成二氧化硅绝缘层和单晶硅薄膜，在正面热生长氧化层、P型导电层、然后在硅片正面形成电阻区(3)和内引线热压脚区(4)，而正面其它区域的单晶硅薄膜被腐蚀掉，暴露出二氧化硅层；让硅片正反面淀积的氮化硅薄膜与正面的二氧化硅组成互补的复合膜绝缘层。
50 pa 单片 soi 低微传感器及其加工方法