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- [实用新型]一种触摸面板及电子设备-CN202320678839.5有效
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刘链谋
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信利光电股份有限公司
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2023-03-29
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2023-07-28
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G06F3/041
- 本实用新型公开了一种触摸面板及电子设备,其中,触摸面板包括:基板;导电层,至少部分覆盖所述基板;第一绝缘层,至少部分覆盖所述导电层;金属图案层,至少部分覆盖所述第一绝缘层和基板;二氧化硅层,至少部分所述金属图案层和导电层;第二绝缘层,至少部分覆盖所述二氧化硅层。本实用新型将二氧化硅层设置在第二绝缘层的下面,由于二氧化硅层在触摸面板上的覆盖面积大,能够更加有效的保护导电层,避免导电层被水汽侵蚀,并且二氧化硅层的填充效果更好,增加了产品的可靠性,提高的产品的竞争力
- 一种触摸面板电子设备
- [实用新型]一种新型绝缘硅复合材料-CN201220747777.0有效
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黄志强
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黄志强
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2012-12-29
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2013-08-21
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H01L27/12
- 本实用新型涉及一种新型绝缘硅复合材料,包含中间绝缘层;所述中间绝缘层的上表面和下表面分别设置有单晶硅片;所述中间绝缘层,包含二氧化硅基多元无机复合材料层;所述二氧化硅基多元无机复合材料层的上表面设置有第一二氧化硅膜层;所述二氧化硅基多元无机复合材料层的下表面设置有第二二氧化硅膜层;本实用新型的新型绝缘硅复合材料能够保持有完整的单晶硅晶格结构,不需采用复杂昂贵设备,整体制备工艺简单、易行、低成本;所述中间绝缘层的各组分的厚度和深度分布可调
- 一种新型绝缘复合材料
- [实用新型]一种散热性能佳的LED灯板-CN201720066430.2有效
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管小兰
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扬州重电太阳能科技发展有限公司
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2017-01-18
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2017-08-15
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F21K9/20
- 本实用新型公开了一种散热性能佳的LED灯板,包括LED基板和若干个LED芯片,所述LED基板包括底基层、二氧化硅绝缘层和金属导电层,所述二氧化硅绝缘层位于所述底基层的上表面,所述金属导电层位于所述二氧化硅绝缘层的上表面,所述LED芯片与所述金属导电层电连接;所述底基层的厚度为4‑6mm;所述二氧化硅绝缘层的厚度为2‑4mm;所述金属导电层的厚度为2‑6μm;所述金属导电层与所述二氧化硅绝缘层之间涂布有散热胶层,所述散热胶层的厚度为本实用新型导电性好、绝缘性佳、散热性能好,可延长LED产品的使用寿命,适宜推广应用。
- 一种散热性能led灯板
- [实用新型]一种增强型绝缘硅复合材料-CN201220748250.X有效
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黄志强
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黄志强
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2012-12-29
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2013-08-21
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H01L27/12
- 本实用新型涉及一种增强型绝缘硅复合材料,包含中间绝缘层;所述中间绝缘层的上表面和下表面分别设置有单晶硅片;所述中间绝缘层,包含二氧化硅基多元无机复合材料层;所述二氧化硅基多元无机复合材料层的上表面设置有第一二氧化硅膜层;所述二氧化硅基多元无机复合材料层的下表面设置有第二二氧化硅膜层;所述二氧化硅基多元无机复合材料层的材料的化学式为SiO2-ZnO-B2O3;本实用新型方案能够保持有完整的单晶硅晶格结构,不需采用复杂昂贵设备,整体制备工艺简单、易行、低成本;所述中间绝缘层的各组分的厚度和深度分布可调,电学性能优良,且不需采用复杂昂贵设备,整体制备工艺简单、易行。
- 一种增强绝缘复合材料
- [实用新型]金氧半场效晶体管-CN201721180712.1有效
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王作义;康宏;马洪文;胡宝平;陈小铎;崔永明;卞小玉
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四川广瑞半导体有限公司
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2017-09-14
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2018-03-13
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H01L29/78
- 本实用新型公开了金氧半场效晶体管,包括栅极、源极、漏极、二氧化硅绝缘层、两个N区、一个P区、外延片,源极穿过其中一个N区上侧的二氧化硅绝缘层与下侧的N区连通;漏极穿过另外一个N区上侧的二氧化硅绝缘层与下侧的N区连通;在二氧化硅绝缘层与P区接触的表面之间形成的空腔中还设置有一个外延片,二氧化硅绝缘层在空腔中的表面向下突出形成一个等腰梯形台面,P区在空腔中的表面向下凹陷形成凹槽,形成的凹槽的表面积大于形成的等腰梯形台面的表面积本实用新型减小外延片的使用面积,使外延片仅仅限制在P区与二氧化硅绝缘层接触的表面上,节约外延片的材料投入,提高外延片的有效使用面积。
- 半场晶体管
- [发明专利]一种显示面板和显示装置-CN201710986159.9有效
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龚华
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上海天马微电子有限公司
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2017-10-20
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2020-10-16
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H01L27/12
- 该显示基板包括开关晶体管和驱动晶体管;开关晶体管和驱动晶体管包括:有源层,包括开关晶体管中的第一有源层和驱动晶体管中的第二有源层;设置在有源层上的栅极绝缘层,包括开关晶体管中的第一栅极绝缘层和驱动晶体管中的第二栅极绝缘层;第一栅极绝缘层包括第一氮化硅层和第一氧化硅层;第二栅极绝缘层仅包括第二氧化硅层,第二氧化硅层的厚度大于第一氧化硅层的厚度;或者,第二栅极绝缘层包括第二氮化硅层和第二氧化硅层,第二氧化硅层的厚度大于第一氧化硅层的厚度,第二氮化硅层的厚度小于第一氮化硅层的厚度。
- 一种显示面板显示装置
- [实用新型]碳纳米管薄膜气体传感器-CN200320109992.9无效
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刘君华;李昕;朱长纯
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西安交通大学
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2003-12-29
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2006-01-11
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G01N27/333
- 本实用新型公开了一种碳纳米管薄膜气体传感器,包括一由玻璃或半导体材料或和金属制备的基底以及外部引线;其特点是,在基底上设置一层二氧化硅绝缘层,在二氧化硅绝缘层中分布有叉指型电极,叉指型电极被二氧化硅绝缘层分隔,并且使叉指型电极上面被二氧化硅绝缘层覆盖;在最上边设置有一层由多壁碳纳米管和二氧化硅混合的复合薄膜层。由于本实用新型采用在叉指型电容电极上移植多壁碳纳米管-二氧化硅(SiO2和MWNTS)复合薄膜,作为气敏元的吸附式叉指电容型碳纳米管薄膜气体传感器。可以广泛用于甲烷,一氧化碳,氢气,乙炔等气体的测试。
- 纳米薄膜气体传感器
- [实用新型]碳纳米管薄膜气体传感器-CN200320109975.5无效
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刘君华;李昕;朱长纯;沈蕾
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西安交通大学
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2003-12-23
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2005-05-18
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G01N27/407
- 本实用新型公开了一种碳纳米管薄膜气体传感器,包括一由玻璃或半导体材料或和金属制备的基底以及外部引线;其特点是,在基底上设置一层二氧化硅绝缘层,在二氧化硅绝缘层中分布有叉指型电极,叉指型电极被二氧化硅绝缘层分隔,并且使叉指型电极上面被二氧化硅绝缘层覆盖;在最上边设置有一层由多壁碳纳米管和二氧化硅混合的复合薄膜层。由于本实用新型采用在叉指型电容电极上移植多壁碳纳米管-二氧化硅(SiO2和MWNTS)复合薄膜,作为气敏元的吸附式叉指电容型碳纳米管薄膜气体传感器。可以广泛用于甲烷,一氧化碳,氢气,乙炔等气体的测试。
- 纳米薄膜气体传感器
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