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[实用新型]一种石墨基座-CN202020747685.7有效
发明人：王作义;康宏;雒林生;卞小玉;韩立琼 -专利权人： 四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨基座，包括基座本体，所述基座本体的上端面设置有多个载台，所述载台凸出于基座本体，所述基座本体的上端面在载台的外侧设置有多个限位块，多个限位块沿着载台外圆周均匀布置，所述限位块的高度大于载台的高度，所述限位块内壁与硅片的外壁接触。本实用新型实现了尽可能减少硅片装取时与石墨基座的接触面积，且便于硅片的取放。
一种石墨基座

[实用新型]硅8英寸大功率元器件制备用外延炉-CN202020747761.4有效
发明人：王作义;康宏;卞小玉;韩立琼 -专利权人： 四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了硅8英寸大功率元器件制备用外延炉，包括配套的炉体和炉盖，所述炉体内设置有石墨基座，所述炉体的底部设置有加热结构，所述石墨基座设置在加热结构上方，还包括进气管，所述进气管一端伸入炉体内，所述进气管在炉体内的端部设置有缓冲室，所述缓冲室的上端与进气管连通，下端与向内收缩形成封闭凸起，所述封闭凸起通过连通管与气源注入器连通，所述气源注入器设置在石墨基座上方，所述缓冲室采用导热材料制成。采用该外延炉进行外延生长能够提高衬底晶片受热温度的均匀性。
英寸大功率元器件制备外延

[实用新型]外延硅片预处理系统-CN202020747754.4有效
发明人：康宏;王作义;卞小玉;石广宁;何传奇 -专利权人： 四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了外延硅片预处理系统，包括空气压缩机、臭氧发生机、鼓泡瓶、流量计和喷射装置；所述空气压缩机、臭氧发生机、鼓泡瓶通过第一进气管顺次连接，所述第一进气管的出口端插入鼓泡瓶内水面以下；所述鼓泡瓶和喷射装置通过排气管连接，所述排气管上设置有流量计，所述排气管的入口端在鼓泡瓶内水面以上；所述喷射装置用于将臭氧喷射在外延硅片的表面，所述鼓泡瓶内的水保持恒温。本实用新型解决了采用双氧水浸泡方式导致操作难度大、工作量大问题。
外延硅片预处理系统

[发明专利]硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺-CN202010381767.9在审
发明人：康宏;王作义;雒林生;石广宁;韩立琼 -专利权人： 四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺，包括以下步骤：1)、选择衬底片：采用重掺硼或重掺砷衬底片，所述衬底片为P型掺杂；2)、衬底片抛光：采用HCl进行气相抛光；3)、气流吹扫：衬底片抛光后采用H2进行吹扫；4)、外延生长：硅源用SiHCl3，先进行反型外延生长，生长温度为1080‑1100℃，生长速率为0.8‑1.0um/min，再进行双层外延生长，生长温度为1120‑1150℃，生长速率为1.2‑1.6um/min；所述硅源与衬底片接触之前先进行恒温预热处理；5)、外延生长完成后反应炉降温，取片。本发明所述制备工艺通过合理控制参数，提高了硅外延片厚度均匀性、电阻率均匀性。
英寸大功率元器件外延制备工艺

[发明专利]一种外延硅片的预处理方法-CN202010381771.5在审
发明人：康宏;王作义;石广宁;雒林生;何传奇 -专利权人： 四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延硅片的预处理方法，包括以下步骤：1)、臭氧发生：空气依次经过空气压缩机和臭氧发生机产生臭氧；2)、臭氧前处理：将臭氧发生机产生的臭氧通过第一进气管通入鼓泡瓶中的去离子水中，臭氧在鼓泡瓶进行温度和浓度调节；3)、臭氧氧化：经过前处理的臭氧通过排气管上的喷射装置喷射在外延硅片的表面进行氧化处理，在外延硅片的表面形成均匀的钝化层，所述臭氧在喷射之前进行流量控制。本发明解决了采用双氧水浸泡方式导致钝化层均匀性较差的问题，同时本发明具有操作难度低和工作量小的优点。
一种外延硅片预处理方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的硅外延片生产工艺-CN201711099661.4有效
发明人：王作义;康宏;马洪文;胡宝平;陈小铎;崔永明;卞小玉 -专利权人： 四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了绝缘栅双极型晶体管的硅外延片生产工艺，包括依次进行的以下步骤：步骤一、将硅衬底材料采用纯水清洗后放入反应器内；步骤二、采用氢气作为载流气体排出反应器内的空气；步骤三、将反应器内部升温至1160～1180℃，再采用HCL刻蚀3～4min，然后将反应器内部的HCL排除；步骤四、将反应器内部的温度降至1130～1140℃的生长温度；步骤五、向反应器内通入由氢气和四氯化硅气体混合构成的反应气体，使得硅衬底表面生成硅单晶层，得到硅外延片；步骤六、停止向反应器内通入反应气体，待反应器内部降至室温时，向反应器内通入氮气3～4min；步骤七、打开反应器取出硅外延片。本发明整体工艺简单，便于实现，成本低，且应用时能减小N⁺/P⁺交界面处过渡区的宽度。
绝缘栅双极型晶体管外延生产工艺

[发明专利]8英寸功率芯片的硅外延片生产工艺-CN201711097978.4有效
发明人：王作义;康宏;马洪文;胡宝平;陈小铎;崔永明;卞小玉 -专利权人： 四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明公开了8英寸功率芯片的硅外延片生产工艺，包括依次进行的以下步骤：步骤一、将硅衬底材料采用纯水清洗后放入反应器内；步骤二、采用氢气作为载流气体排出反应器内的空气；步骤三、将反应器内部升温至1160～1180℃，再采用HCL刻蚀3～4min，然后将反应器内部的HCL排除；步骤四、将反应器内部的温度降至1020～1030℃的生长温度；步骤五、向反应器内通入硅烷和掺杂剂，使得硅衬底表面生成硅单晶层，得到硅外延片；步骤六、停止向反应器内通入反应气体，待反应器内部降至室温时，向反应器内通入氮气3～4min；步骤七、打开反应器取出硅外延片。本发明整体工艺简单，便于实现，成本低，且应用时能提升生产的硅外延片电阻率均匀一致性。
英寸功率芯片外延生产工艺

[实用新型]一种新型硅外延片构造的金氧半场效晶体管-CN201721180961.0有效
发明人：王作义;康宏;马洪文;胡宝平;陈小铎;崔永明;卞小玉 -专利权人： 四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型硅外延片构造的金氧半场效晶体管，包括栅极、源极、漏极、二氧化硅绝缘层、两个N区、一个P区、外延片，其中，P区上端面正对氧化硅绝缘层的部位向下凹陷形成定位凹槽，二氧化硅绝缘层下表面向下突出形成一个等腰梯形状凸起，等腰梯形状凸起嵌入定位凹槽内且与定位凹槽之间构成有容置容腔，外延片嵌入该容置空腔内且与容置空腔大小形状匹配。P区内设置有位于容置容腔正下方的附加P区，附加P区的掺杂浓度大于P区的掺杂浓度。本实用新型应用时，可以有效避免外延片出现图形漂移的情况。
一种新型外延构造半场晶体管

[实用新型]一种新型硅外延片构造的绝缘栅双极型晶体管-CN201721180698.5有效
发明人：王作义;康宏;马洪文;胡宝平;陈小铎;崔永明;卞小玉 -专利权人： 四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型硅外延片构造的绝缘栅双极型晶体管，包括栅极、发射极、集电极、四个N+区、两个P区、漂移区、缓冲区、注入区，两个P区嵌入漂移区上侧，两个P区之间形成第一隔离区间，栅极设置在两个P区之间；每两个N+区嵌入一个P区上侧，设置在同一个P区中的两个N+区隔离形成第二隔离区间并且在第二隔离区间设置发射极；所述集电极设置在注入区下侧，所述漂移区、缓冲区、注入区中的任一区域或任意两个区域或三个区域设置有扁平的掺杂腔，掺杂腔中设置有掺杂半导体。本实用新型中每个小层的厚度便能掌握的更加准确，如果其中一层出现误差，再在同区域的其他层中将该误差进行弥补，从而解决了厚度不均匀的问题。
一种新型外延构造绝缘栅双极型晶体管

[实用新型]一种绝缘栅双极型晶体管-CN201721181068.X有效
发明人：王作义;康宏;马洪文;胡宝平;陈小铎;崔永明;卞小玉 -专利权人： 四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括栅极、发射极、集电极、四个N+区、两个P区、偏移区、缓冲区、注入区，所述偏移区、缓冲区、注入区由上至下依次叠放，两个P区嵌入偏移区上侧，两个P区之间形成第一隔离区间，栅极设置在两个P区之间；每两个N+区嵌入一个P区上侧，设置在同一个P区中的两个N+区隔离形成第二隔离区间并且在第二隔离区间设置发射极；所述集电极设置在注入区下侧；所述晶体管还包括N沟道外延片，所述N沟道外延片设置在第二隔离区间；所述N沟道外延片靠近P区的一侧表面有角锥体。本实用新型使得沟道在形成过程中改变了沟道形成的速度，这样一方面缩短了沟道形成的时间，另一方面也使得沟道在形成过程中电导率的均匀性。
一种绝缘栅双极型晶体管

[实用新型]金氧半场效晶体管-CN201721180712.1有效
发明人：王作义;康宏;马洪文;胡宝平;陈小铎;崔永明;卞小玉 -专利权人： 四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了金氧半场效晶体管，包括栅极、源极、漏极、二氧化硅绝缘层、两个N区、一个P区、外延片，源极穿过其中一个N区上侧的二氧化硅绝缘层与下侧的N区连通；漏极穿过另外一个N区上侧的二氧化硅绝缘层与下侧的N区连通；在二氧化硅绝缘层与P区接触的表面之间形成的空腔中还设置有一个外延片，二氧化硅绝缘层在空腔中的表面向下突出形成一个等腰梯形台面，P区在空腔中的表面向下凹陷形成凹槽，形成的凹槽的表面积大于形成的等腰梯形台面的表面积；外延片与空腔形状相适应。本实用新型减小外延片的使用面积，使外延片仅仅限制在P区与二氧化硅绝缘层接触的表面上，节约外延片的材料投入，提高外延片的有效使用面积。
半场晶体管

[实用新型]一种改进结构的肖特基二极管-CN201721177335.6有效
发明人：王作义;康宏;马洪文;胡宝平;陈小铎;崔永明;卞小玉 -专利权人： 四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改进结构的肖特基二极管，包括由上至下依次设置的阳极金属层、N‑外延层、N型基片、N+阴极层和阴极金属层，在阳极金属层与N‑外延层接触的一端的四周设置有二氧化硅层，二极管的阳极设置在阳极金属层端，二极管的阴极设置在阴极金属层端，N‑外延层向阳极金属层侧和/或N型基片侧外凸构成有凸起。本实用新型通过增加N‑外延层的表面积，降低N‑外延层的电阻值，这样就能保证N‑外延层中的移动电子的数量，同时又能保证肖特基二极管的开关性能。
一种改进结构肖特基二极管

[发明专利]一种功率芯片用外延片生产工艺-CN201610762782.1有效
发明人：王作义;胡宝平;陈小铎;崔永明;马洪文;白磊 -专利权人： 四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率芯片用外延片生产工艺，包括以下步骤步骤1、清洗衬底硅片；步骤2、将清洗后的硅片放入气相生长装置内，并将气相生长装置抽真空；步骤3、向气相生长装置内输入硅烷与磷烷的混合气体；步骤4、加热，并使气相生长装置内部温度维持在580℃～630℃，待硅片上淀积外延层厚度达到0.3～0.4μm时，停止加热；步骤5、采用氮气冲洗气相生长装置内部腔体，然后静置气相生长装置直至其内部温度降至室温，取出硅外延片成品。本发明整体工序简单，便于操作，成本低，且应用时能提升硅外延片的厚度均匀性和电阻率均匀性。
一种功率芯片外延生产工艺

[实用新型]一种新型硅外延片构造的肖特基二极管-CN201620673493.X有效
发明人：王作义;陈小铎;崔永明;马洪文;白磊 -专利权人： 四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型硅外延片构造的肖特基二极管，包括背面金属电极、衬底、外延层、氧化层、正面金属电极、势垒金属层、保护环及过渡外延层，其中，背面金属电极、衬底、过渡外延层及外延层四者由下至上顺次层叠设置。外延层上端面中央部位向下凹陷形成中心槽，保护环水平设置于处延层内且环绕中心槽设置，保护环上端面与外延层上端面平齐。氧化层覆盖于保护环上端面靠近保护环外侧的区域、以及外延层上端面位于保护环外侧的区域，势垒金属层覆盖于外延层和保护环两者上端面相对覆盖氧化层区域外的区域，正面金属电极覆盖于氧化层和势垒金属层两者的上端面。本实用新型具有良好的防静电性能和抗瞬态干扰性能，进而便于推广应用。
一种新型外延构造肖特基二极管

[实用新型]一种金属氧化物半导体场效应晶体管的外延片结构-CN201620673440.8有效
发明人：陈小铎;王作义;崔永明;马洪文;白磊 -专利权人： 四川广瑞半导体有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管的外延片结构，包括由下至上顺次层叠设置的二氧化硅底层、衬底、单晶硅隔离层、外延层及绝缘介质层，其中，外延层构成有第一环状隔离沟槽和第二环状隔离沟槽，第一环状隔离沟槽和第二环状隔离沟槽两者内部均填充有栅氧化层和栅极导电多晶硅。第一环状隔离沟槽与第二环状隔离沟槽之间、第二环状隔离沟槽与外延层的侧壁之间均设置有P型阱区，P型阱区上方设置有N型源极区，绝缘介质层上设有与N型源极区形成欧姆接触的源极接触结构，外延层内设有位于P型阱区下方的离子注入调节层。本实用新型应用时便于通过离子注入的方式来改变本实用新型的耐压值，使得本实用新型可适应不同耐压需求的产品。
一种金属氧化物半导体场效应晶体管外延结构

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