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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种含硅负极片、其制备方法及锂离子电池-CN201911095735.6在审
发明人：袁号;李素丽;赵伟;唐伟超;李俊义;徐延铭 -专利权人：珠海冠宇电池有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明涉及电池领域，尤其涉及一种含硅负极片、其制备方法及锂离子电池。本发明的含硅负极片，包括：集流体，第一含硅层，所述第一含硅层涂布于所述集流体至少一侧的表面，所述第一含硅层中的硅含量为50～80wt％；第二含硅层，所述第二含硅层涂布于所述第一含硅层的表面，所述第二含硅层中包括多孔纳米硅，所述第二含硅层中的硅含量为10～50％；以及外层，所述外层涂布于所述第二含硅层的表面；所述外层中的硅含量为0～10wt％。所述硅负极片材料用于锂离子电池时，锂离子扩散系数大，可抑制硅材料的体积膨胀，结构稳定，导电率高，循环稳定性高。
一种负极制备方法锂离子电池

[发明专利]含硅氧介质层及其表面处理方法、半导体器件及互连层-CN201310754122.5在审
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本申请公开了一种含硅氧介质层及其表面处理方法、半导体器件及互连层。其中，含硅氧介质层的表面处理方法包括对含硅氧介质层进行UV处理，以除去含硅氧介质层中的残留有机物；以及对UV处理后的含硅氧介质层进行氧化处理，以氧化含硅氧介质层中的残留硅。该表面处理方法通过在形成含硅氧介质层的步骤后，增加对含硅氧介质层进行UV处理以及氧化处理步骤，从而去除了含硅氧介质层中缺陷，避免了由含硅氧介质层中缺陷造成的半导体器件稳定性下降的问题。
含硅氧介质及其表面处理方法半导体器件互连

[发明专利]含硅膜的成膜方法以及成膜装置-CN201610465904.0有效
发明人：佐藤润;菊地宏之;村田昌弘;三浦繁博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种含硅膜的成膜方法和成膜装置。在该含硅膜的成膜方法中，向形成于基板的表面的凹坑填充含硅膜，该含硅膜的成膜方法包含第1成膜循环，所述第1成膜循环包括：第1硅吸附工序，在该第1硅吸附工序中，向所述基板供给含硅气体，使所述含硅气体吸附于所述凹坑内；硅蚀刻工序，在该硅蚀刻工序中，向所述基板供给蚀刻气体，对吸附于所述凹坑内的所述含硅气体的硅成分的一部分进行蚀刻；以及第1含硅膜堆积工序，在该第1含硅膜堆积工序中，向所述基板供给与所述硅成分反应的反应气体，使该反应气体与在蚀刻后以吸附于所述凹坑内的状态残留的所述硅成分反应而生成反应生成物，在所述凹坑内堆积含硅膜。
含硅膜方法以及装置

[发明专利]制造具有增强对高温载荷下蠕变滑动的抗性的工程表面的二氧化硅形成的制品的方法-CN201480060109.2在审
发明人： D·M·利普金;C·A·约翰逊;J·L·马戈利斯;L·S·罗森斯维希;J·万 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：一种形成制品的方法包括：在制品的基底表面的含硅区域上形成含硅层；在含硅层中形成多个沟道和隆起；和形成覆盖含硅区域的表面的至少一个外层。该多个沟道和隆起可通过对含硅层添加含硅材料而形成。该沟道和隆起可通过从含硅层去除材料而形成。沟道和隆起可通过在形成含硅层之前，在基底的表面的含硅区域中形成沟道或沟槽而形成。
制造具有增强高温载荷下蠕变滑动抗性工程表面二氧化硅形成制品方法

[发明专利]硅复合材料及其制备方法和应用-CN202211411525.5在审
发明人：白文龙;王育文;游兴艳;武宝珍;郑蔚;叶永煌;金海族;吴凯 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种硅复合材料及其制备方法、负极组合物、负极浆料、负极极片、二次电池以及用电装置。硅复合材料包括掺杂型含硅基材和位于掺杂型含硅基材表面的含锂层，掺杂型含硅基材包括含硅基材和掺杂到含硅基材中的掺杂元素；掺杂型含硅基材的电导率大于含硅基材的电导率。该硅复合材料中通过对硅基材进行掺杂并在掺杂型含硅基材的表面设置含锂层，可以促进锂离子电池嵌入到硅复合材料中，充分发挥硅复合材料的容量，进而改善二次电池的性能。
复合材料及其制备方法应用

[发明专利]使用处理腔室壁上的硅涂层增强清除残余的氟自由基的方法-CN201080017514.8有效
发明人：崔东元;李东亨;采·蓬;麦诺基·韦列卡;彼得·波尔什涅夫;马耶德·福阿德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-12 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：在一些实施例中，一种用于基板处理的装置包括处理腔室以及含硅涂层，所述处理腔室具有腔室主体，所述腔室主体限定内部空间，所述含硅涂层设置在所述腔室主体的内表面上，所述含硅涂层的外表面为至少35％原子数的硅。在一些实施例中，一种用以在处理腔室中形成含硅涂层的方法包括：将包含含硅气体的第一工艺气体提供到所述处理腔室的内部空间；以及在所述处理腔室的内表面上形成含硅涂层，其中所述含硅涂层的外表面为至少35％的硅。
使用处理壁上涂层增强清除残余自由基方法

[发明专利]用于精炼含铝硅的方法-CN201180011817.3无效
发明人：维舒·杜特·多萨;雷纳尔多·罗德里格斯·比塔尔 -专利权人：道康宁公司;道康宁硅(巴西)工业贸易有限公司
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：提供了一种用于精炼含铝硅的方法且该方法包括加热含铝硅以形成熔融含铝硅，向含铝硅中加入选自由钙、氧化钙和碳酸钙组成的组的钙源和任选的二氧化硅；并将熔融含铝硅暴露于氧以产生精炼硅和副产物渣，使得精炼硅包含比含铝硅中的铝量少的量的铝
用于精炼含铝硅方法

[发明专利]一种含氟溶液的除硅方法-CN202310138017.2在审
发明人：杨华春;李云峰;闫春生;王宗凯;李致远;李永涛;周阳;李霞;王晓兵;王晓峰 -专利权人：多氟多新材料股份有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C01C1/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种含氟溶液的除硅方法，属于无机氟化工技术领域。本发明的含氟溶液的除硅方法，包括以下步骤：将混凝剂混入含氟溶液中在酸性条件下对体系中的硅进行吸附，然后调整体系pH至碱性进行絮凝沉淀，固液分离除去固体沉淀。本发明的含氟溶液的除硅方法，利用酸性条件下含氟溶液内硅以离子硅状态存在，能够使混凝剂实现对硅的充分吸附，调整体系pH至碱性使吸附在混凝剂中的离子硅生成粒子硅后与混凝剂共同形成絮凝体而沉淀下来，通过固液分离即可将大量的硅从含氟溶液中去除
一种溶液方法

[发明专利]一种含硅氯键硼硅氧烷改性白炭黑的制备方法及其应用-CN202010816236.8有效
发明人：李美江;宋华锋;刘美辰 -专利权人：杭州师范大学
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C09C1/28 文献下载
摘要：本发明涉及工业填料技术领域，针对硼酸与硅羟基反应活性差及聚硼硅氧烷结构难以控制的问题，公开了提供一种含硅氯键硼硅氧烷改性白炭黑的制备方法及其应用，包括以下步骤：（1）制备含硅氯键硼硅氧烷：在搅拌和氮气保护下，将硼酸、氯硅烷加入溶剂中反应得到含硅氯键硼硅氧烷；（2）含硅氯键硼硅氧烷改性白炭黑：在搅拌和氮气保护下，将步骤（1）反应后得到的含硅氯键硼硅氧烷加入亲水性白炭黑中，加热反应得到含硅氯键硼硅氧烷改性白炭黑采用含硅氯键硼硅氧烷改性亲水白炭黑，硼氧键与白炭黑硅羟基发生配位作用，降低硅羟基结构化作用，硅氯键和硼氧键同时与白炭黑表面羟基作用，提升白炭黑改性效果。
一种含硅氯键硼硅氧烷改性炭黑制备方法及其应用

[发明专利]低温多轴冲击性能优异的PC/ASA合金材料及其制备方法-CN202010061982.0在审
发明人：周中玉;周霆;辛敏琦 -专利权人：上海金山锦湖日丽塑料有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C08L69/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温多轴冲击性能优异的PC/ASA合金材料及其制备方法；所述PC/ASA合金材料包含：含硅PC树脂，含硅ASA胶粉，SAN树脂，抗氧剂，润滑剂。制备时，将含硅PC树脂，含硅ASA胶粉，SAN树脂，抗氧剂，润滑剂加入混合搅拌机中，进行混合，再通过双螺杆挤出机共混造粒，即可。本发明的方法简单易行，含硅PC树脂以及含硅ASA胶粉中硅成分能有效提升PC/ASA的低温多轴冲击性能。
低温冲击性能优异 pc asa 合金材料及其制备方法

[发明专利]一种硅加工过程中含硅废水处理技术-CN201810037332.5在审
发明人：鄢洪建 -专利权人：四川大学
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本发明公开一种硅加工过程中含硅废水处理技术，它能快速、经济、可靠地实现含硅废水的处理。本技术包括以下几个步骤：（1）将含硅废水进行一级预处理，调节含硅废水的pH值在0.5~5之间；（2）对经过一级预处理后的含硅废水进行二级预处理，调节含硅废水的pH值在5~9之间；（3）絮凝；（4）固液分离
含硅废水预处理硅加工固液分离絮凝

[发明专利]一种碳化硅薄膜的制备方法-CN201110287216.7无效
发明人：饶志鹏;万军;夏洋;李超波;刘键;陈波;黄成强;石莎莉;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入含碳物质，含碳物质与硅衬底表面发生碳化学吸附，使得含碳物质中的碳原子吸附在硅衬底表面；向原子层沉积设备反应腔中通入含硅物质，含硅物质与硅衬底表面发生卤代反应，含硅物质中的硅原子与硅衬底表面的碳原子形成碳硅键，待反应完全后，硅衬底表面即生成碳化硅薄膜结构。本发明使用原子层沉积设备，利用衬底的晶格结构对生长的影响，使得长出的碳化硅薄膜结构具有完整的晶格，同时也使得在硅基上生长的薄膜的结构性能得到提高。
一种碳化硅薄膜制备方法

[发明专利]用于形成含钴材料的工艺-CN200780021549.7有效
发明人： S·甘古里;S·S·储;M·常;S-H·俞;K·莫赖斯;S-E·潘 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-04-11 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明的实施例大体上提出形成硅化钴层、金属钴层和其它含钴材料的方法及设备。在一实施例中，在基板上形成含硅化钴材料的方法包括：使基板暴露于至少一预清洗处理，以暴露含硅表面；在含硅表面上沉积硅化钴材料；在硅化钴材料上沉积金属钴材料、以及在基板上沉积金属接触材料。在另一实施例中，方法包括：使基板暴露于至少一预清洗处理，以暴露含硅表面；在含硅表面上沉积硅化钴材料；使基板暴露于退火处理；在硅化钴材料上沉积阻挡材料、以及在阻挡材料上沉积金属接触材料。
用于形成材料工艺

[发明专利]自由基成分CVD的原位臭氧固化-CN201080062197.1无效
发明人：王琳林;A·B·马利克;N·K·英格尔;S·文卡特拉马 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：所述方法包含混合含硅前驱物及等离子体流出物的步骤，以及在基板上沉积含硅及氮的层的步骤。通过在用来沉积所述含硅及氮的层的同一基板处理区域内在含臭氧气氛中进行固化，使所述含硅及氮的层转化成含硅及氧的层。可在所述含硅及氧的层上沉积另一含硅及氮的层，并且所述层堆叠可在臭氧中再次固化，皆无需从所述基板处理区域中移除所述基板。待完成整数倍的沉积-固化循环之后，可在含氧环境中在较高温度下退火以进行所述含硅及氧的层堆叠的转化。
自由基成分 cvd 原位臭氧固化

[发明专利]用于炼钢含镍铜的硅基铁合金及制备方法-CN201310657163.2有效
发明人：谢廷声 -专利权人：谢廷声
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C22B4/06 文献下载
摘要：发明提供一种新型炼钢合金——含镍铜的硅基铁合金及制备方法。将镍和铜的氧化矿和硫化矿，按配比添加到硅基铁合金的炉料中，用碳作还原剂，在还原电炉中还原冶炼制成的含镍铜硅基复合铁合金。硅基铁合金是指合金成分中，以含硅为主要成分，含硅20％--70％，余量为铁，还可含5％--30％的钡、钙、铝中的一种或一种以上的复合铁合金，如硅铁、硅钡铁、硅铝钡铁、硅钙钡铁等铁合金。在这些硅基铁合金中含有2％--30％镍、铜中的一种或两种，制成含有镍和铜及镍铜的硅基铁合金。本发明含镍铜硅基铁合金，用于炼钢脱氧、脱硫和镍、铜的合金化，具有较好经济效益和社会效益。
用于炼钢含镍铜铁合金制备方法

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