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[实用新型]化工防腐阀-CN201721922053.4有效
发明人：李辉文;卢海;刘海洋;李震;李雪梅 -专利权人：博雷（中国）控制系统有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： F16K25/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种化工防腐阀，包括阀体、阀座、阀板、上阀杆、下阀杆，所述阀体具有介质通道，所述阀座安装于所述介质通道内壁，所述阀板通过所述上阀杆和所述下阀杆安装于所述介质通道中，所述阀板的上端连接所述上阀杆，下端连接所述下阀杆，所述阀板外表面包覆有防腐层，该防腐层朝向上阀杆和下阀杆均延伸有防腐层凸边，该防腐层凸边分别包覆部分上阀杆和部分下阀杆。由于阀板的外表面都包覆有防腐层，且防腐层朝向上阀杆和下阀杆延伸，因此，腐蚀性介质被防腐层隔离开，很难腐蚀阀板表面，从而保证了阀体、阀座和阀板之间的良好密封效果，提高阀门的使用寿命。
防腐层下阀杆阀板上阀杆介质通道阀体阀座化工防腐包覆阀杆凸边腐蚀性介质阀板表面密封效果使用寿命外表面包上端延伸阀本阀门内壁下端腐蚀隔离保证

[发明专利]一种集成压电热释电特性的温室探测器及其制备方法-CN201410439239.9有效
发明人：王军;蒋亚东;孙斌伟;黄泽华;黎威志 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： G01J5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成压电热释电特性的温室探测器及其制备方法，该集成压电热释电特性的温室探测器包括由下至上依次覆盖的衬底，介质层，下电极层，热释电材料层，上电极层以及顶层辐射波长吸收层；其中，在衬底与介质层之间形成空腔体，介质层在空腔体的顶部，且介质层在所述空腔体的一侧延伸至衬底上，使得介质层、下电极层、热释电材料层、上电极层以及顶层辐射波长吸收层整体形成悬臂梁结构，解决了现有技术中存在探测器的探测性能较低的技术问题，
一种集成压电热释电特性温室探测器及其制备方法

[发明专利]电容结构及其制作方法-CN202011105560.5在审
发明人：盛超军;陆勇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：该电容结构包括：衬底、第一电容接触层、下电极层、电容介质层和上电极层，其中，第一电容接触层阵列排布于衬底上，下电极层围绕第一电容接触层侧壁，并沿第一电容接触层背离衬底的方向延伸，电容介质层覆盖衬底上表面、下电极层表面及第一电容接触层上表面，上电极层覆盖电容介质层表面。本申请提供的电容结构及其制作方法，增加了环绕第一电容接触层侧壁的电容面积，从而增大了电容的面积，降低了双面电容结构的阻值。
电容结构及其制作方法

[发明专利]集成电路及其制备方法-CN201710323449.5有效
发明人：刘少鹏;陆宇 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：该集成电路包括顺序层叠设置的半导体衬底、逻辑器件、下金属互连层、中间介质层和上金属互连层，中间介质层中设置有MRAM和第一导体，下金属互连层和上金属互连层通过第一导体电连接，MRAM包括依次叠置在中间介质层中的第二导体、下电极、存储单元、上电极和第三导体，且下电极通过第二导体与下金属互连层电连接，第三导体和上金属互连层电连接。由于上述MRAM中的下电极通过第二导体与下金属互连层连接，不仅能够减小孔的电阻，还能够对下电极进行不同材料和工艺上的选择进行调整，从而使MRAM能够具有优异的存储性能，进而使集成有MRAM与逻辑器件的集成电路能够具有优异的性能
集成电路及其制备方法

[发明专利]一种基于方向回溯天线的无芯片射频识别标签-CN201810220529.2有效
发明人：李猛猛;夏晨辉;陈如山;丁大志;樊振宏 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：该标签包括微带螺旋滤波器、微带传输线和两个三层宽带双极化的微带贴片天线，该无芯片射频识别标签的结构具体为：由上到下依次设置上介质层、泡沫层、下介质层，其中上介质层的上表面为方形辐射贴片；下介质层的上表面设置有微带贴片天线的微带馈线、微带传输线和微带螺旋滤波器；下介质层的下表面为金属板，金属板上设置两对H型缝隙，每对中的两个H型缝隙相互垂直设置在金属板上。
射频识别标签下介质层金属板微带贴片天线螺旋滤波器微带传输线上介质层芯片上表面微带回溯天线方形辐射贴片印刷电路技术远距离识别垂直设置微带馈线依次设置由上到下泡沫层双极化体积小下表面重量轻宽带三层标签生产

[实用新型]一种左右旋圆极化可重构天线-CN201120020320.5无效
发明人：罗国清;胡志方;张晓红;孙玲玲 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2011-01-21 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型包括介质基片、介质基片上表面涂覆的上金属层和下表面涂覆的下金属层；上金属层开有环型的隔直流缝隙，直流电源的两端分别连接隔直流缝隙两边的上金属层；下金属层开有环型的辐射缝隙，跨辐射缝隙两边的下金属层连接有两个反相偏置的二极管；多个贯穿隔上金属层、介质基片和下金属层的电互连单元顺序排列构成的电互连阵列；由上金属层、下金属层和电互连阵列包围的区域构成腔体，馈电单元伸入该腔体内；贯穿隔直流缝隙包围的上金属层、介质基片和辐射缝隙包围的下金属层的导电元
一种右旋极化可重构天线

[发明专利]一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法-CN201010102213.7有效
发明人：杜小锋;马小波;宋志棠;刘卫丽 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法，该单元结构包括集成电路衬底、位于集成电路衬底上的第一绝缘介质层、被第一绝缘介质层包围并与集成电路衬底连接的驱动二极管、被第一绝缘介质层包围并位于驱动二极管上的过渡层、位于第一绝缘介质层上的第二绝缘介质层、被第二绝缘介质层包围并位于过渡层上的下电极、位于第二绝缘介质层上的第三绝缘介质层、被第三绝缘介质层包围并位于下电极上的相变材料层和位于相变材料层上的上电极；所述的过渡层的热导率为
一种降低相变存储器功耗单元结构及其制备方法

[发明专利]形成金属－绝缘体－金属电容器的方法及其形成的电容器-CN200510078339.4有效
发明人：崔在亨;郑正喜;金晟泰;柳次英;金基哲;吴世勋;崔正植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-04-12 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：在金属－绝缘体－金属(MIM)型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如，用于在包括MIM型电容器的集成电路中形成金属化上层的后处理期间与金属氮化物下电极的反应。包含在金属氮氧化物籽晶介质层中的氮能够减少发生在常规型MIM电容器中的反应的类型。金属氧化物主介质层形成在金属氮氧化物籽晶介质层上并保持与MIM型电容器中的金属氮氧化物籽晶介质层独立。稳定(例如，使用热处理或等离子处理)金属氧化物主介质层以消除其中的缺陷(例如碳)并调整金属氧化物主介质层的化学计量。
形成金属绝缘体电容器方法及其

[发明专利]MIM电容器及其制造方法、半导体器件及其制造方法-CN200710044814.5有效
发明人：胡友存 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-08-09 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种MIM电容器的制造方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属层，平坦化所述第二金属层；在所述第二金属层上形成介质层；在所述介质层上形成第三金属层；图形化所述第三金属层、介质层、第二金属层和第一金属层，形成以第一金属层图形和第二金属层图形为下极板、第三金属层图形为上极板、介质层图形为电介质的MIM电容器。本发明能够提高MIM电容器下极板的平坦度。
mim 电容器及其制造方法半导体器件

[实用新型]一种电池极片及锂电池-CN202221887908.5有效
发明人：张佩;武冬冬;金敏 -专利权人：江苏正力新能电池技术有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：该电池极片包括功能层及导电层，两个导电层分别设置于功能层在厚度方向上的相对两侧，且两个导电层电连接；功能层包括膨胀介质与导电介质，多个导电介质依次接触，膨胀介质被配置为受热膨胀，以带动多个导电介质中的至少部分运动至与剩余导电介质脱离接触本实用新型提供的电池极片能够避免高温下热失控，且在常温下具有更好的导电性。
一种电池锂电池

[发明专利]一种嵌埋在玻璃介质中的无源器件结构及其制造方法-CN202010819722.5有效
发明人：陈先明;洪业杰;黄本霞;冯磊 -专利权人：珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H05K1/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种嵌埋在玻璃介质中的无源器件结构，所述结构包括玻璃基板和嵌埋在所述玻璃基板中的至少一个电容器，所述电容器包括上电极、电介质层和下电极，其中在所述玻璃基板的上表面开设有凹槽，所述电介质层覆盖在所述凹槽的表面上并且所述电介质层的面积大于所述凹槽的面积，所述上电极设置在所述电介质层上，所述电介质层与所述下电极通过贯穿所述玻璃基板的金属通孔柱连接。还公开了一种嵌埋在玻璃介质中的无源器件结构的制造方法。
一种玻璃介质中的无源器件结构及其制造方法

[发明专利]基于半模基片集成波导超材料传输线滤波器-CN201710483825.7有效
发明人：夏雷;吕俊杰;王同同;董君辰;李博;刘伶;覃丽荣;张勇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于半模基片集成波导超材料传输线滤波器，包括从上到下布置的上层介质层，介质基板和下层介质层，介质基板的上下面分别与上金属片和下金属片相连，上金属片与上层介质层相连，下金属片与下层介质层相连；介质基板的一侧分布设有多个依次间隔排列的介质基板金属化通孔，上金属片和下金属片通过介质基板金属化通孔相连，介质基板的两端分别设有输入端和输出端，微波信号通过输入端进入上金属片，再通过输出端输出。
基于半模基片集成波导材料传输线滤波器

[发明专利]栅介质层的制作方法-CN201410111200.4在审
发明人：张红伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种栅介质层的制作方法，包括：提供半导体衬底；利用热氧化和/或热退火工艺，在所述半导体衬底上形成氧化硅层；对所述氧化硅层进行氮注入，形成第一氮氧化硅层；在高温环境下，对所述第一氮氧化硅层进行氮化处理，形成第二氮氧化硅层；在低温环境下，对所述第二氮氧化硅层进行氧化处理，形成栅介质层。利用本发明的方法形成的栅介质层具有较高的介电常数，同时能够有效抑制杂质在栅介质层中的扩散。
介质制作方法

[发明专利]压力传感器及其形成方法-CN201310543025.1有效
发明人：伏广才;汪新学;倪梁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种压力传感器及其形成方法，其中压力传感器的形成方法包括提供基底，在基底上形成有晶体管；形成层间介质层，层间介质层覆盖基底和晶体管，在层间介质层中形成有下极板，下极板的上表面暴露；在层间介质层上形成SiGe层，在SiGe层与下极板之间形成空腔；在SiGe层上形成刻蚀停止层，在刻蚀停止层上形成第一SiN层；刻蚀第一SiN层形成按压部和包围按压部的边缘部，至刻蚀停止层上表面露出，按压部与边缘部相互隔开，按压部对应空腔位置，在刻蚀第一SiN层的过程使用的刻蚀气体包括第一含氟气体；刻蚀刻蚀停止层，至SiGe层露出。
压力传感器及其形成方法

[发明专利]半导体存储器及其制作方法-CN202011567541.4在审
发明人：童宇诚;蔡佩庭;吕佐文;陈敏腾;陈琮文 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L27/102 文献下载
摘要：该半导体存储器包括衬底以及位于衬底上的多个电容器和支撑层，各电容器通过支撑层与至少一个相邻的电容器连接，支撑层包括第一支撑层，各电容器包括下电极、第一高K介质层和上电极，第一高K介质层位于下电极与上电极之间，第一支撑层与第一高K介质层直接接触，且第一支撑层具有与第一高K介质层接触的第一端面，第一高K介质层完全覆盖第一端面。由于上述第一高K介质层形成下电极前，从而在将支撑层打开后可以直接形成上电极，从而通过将第一高K介质层移到开口之外，与现有技术相比扩大了上述开口的尺寸，进而降低了在开口中沉积和刻蚀的工艺难度，有利于电容器电容的进一步增大
半导体存储器及其制作方法