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[实用新型]紧凑型双圆极化RFID微带天线-CN201320646727.8有效
发明人：巫梦飞;陈伟;周卫民 -专利权人：成都新方洲信息技术有限公司
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紧凑型双圆极化RFID微带天线，由上而下依次设有上泡沫介质层、空气介质层、下泡沫介质层，上泡沫介质层与空气介质层之间设有贴片，空气介质层和下泡沫介质层之间设有底板，下泡沫介质层的下表面设有微带线
紧凑型极化 rfid 微带天线

[发明专利]显示器件及其制备方法-CN201110268326.9有效
发明人：李文波;张卓;王刚;刘则 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G02F1/153 文献下载
摘要：显示器件，包括：上基板和下基板，在所述上基板和所述下基板之间设置有显示介质层，所述下基板包括引线层，在所述引线层上覆盖有绝缘层，所述引线层通过绝缘层过孔与所述显示介质层连接。显示器件的制备方法，包括：在下基板上通过构图工艺形成包括引线层图形的引线层；在所述引线层上通过构图工艺形成绝缘层；将上基板、显示介质和所述下基板封装成显示器件。
显示器件及其制备方法

[发明专利]一种制备中空透射型法布里-珀罗腔滤波器的方法-CN201010108642.5无效
发明人：甄红宇;李国龙;周可余;刘旭 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-02-08 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备中空透射型法布里-珀罗腔滤波器的方法，包括如下步骤：在下基板上依次形成下介质高反膜层和中空的下薄膜电极层；下介质高反膜层和下薄膜电极层中至少一层的上表面经过表面能改性，使下薄膜电极层的表面能高于下介质高反膜层的表面能；再将压电聚合物选择性地沉积在薄膜电极层上，形成聚合物薄膜层；在聚合物薄膜层上蒸镀形成上薄膜电极层；在上薄膜电极层上依次覆盖上介质高反膜层和上基板。本发明利用压电聚合物这种特性，可制备中空透射型法布里-珀罗腔(F-P)滤波器，制备聚合物薄膜层的同时，就形成所需要的内腔图形，方法工艺简单易行，不损伤聚合物薄膜层，能较好地保证聚合物薄膜层的压电特性。
一种制备中空透射型法布里珀罗腔滤波器方法

[发明专利]多频段太赫兹带阻滤波器-CN201910440750.3有效
发明人：李九生;马宏宇 -专利权人：中国计量大学上虞高等研究院有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：结构单元从上到下依次为圆形贴片上金属层、上介质层、圆环贴片上金属层、中间介质层、圆环贴片下金属层、下介质层、圆形贴片下金属层。结构单元以中间介质层为中心上下镜像对称。
频段赫兹带阻滤波器

[发明专利]电容器及其形成方法-CN200910175077.1有效
发明人：王乐 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-09-27 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：其中电容器的形成方法，包括：在半导体衬底上形成下电极；在下电极上依次形成绝缘介质层、上电极和光刻胶层，所述光刻胶层中具有通孔图形；以光刻胶层为掩膜，沿通孔图形刻蚀上电极和绝缘介质层至露出下电极，形成通孔；去除光刻胶层后，刻蚀上电极、绝缘介质层和下电极，形成电容器。本发明降低了绝缘介质层的介电常数，降低了电容值。
电容器及其形成方法

[实用新型]一种日全食观察镜-CN200920124840.3无效
发明人：吴旭贞 -专利权人：吴旭贞
申请日： 2009-07-20 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： G02B27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种日全食观察镜，属于日全食观察镜技术领域，它由上玻璃片、上密封圈、螺杆、下密封圈、下玻璃片、墨水介质层密封圈、螺帽、手柄组成，其特征在于上玻璃片下连接上密封圈和墨水介质层密封圈及下密封圈与下玻璃片，上玻璃片与上密封圈和墨水介质层密封圈及下密封圈的四周边各连接螺杆，墨水介质层密封圈上留有手柄，安装时在墨水介质层密封圈内灌入蓝色墨水，用螺帽把连接螺杆旋紧固定，手持手柄，把上玻璃片或下玻璃片的平面部位遮住眼部
一种日全食观察

[发明专利]一种电阻型存储单元-CN201510503715.3有效
发明人：刘汇慧;李同伟;琚伟伟;张利平;苏向英 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2015-08-17 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种电阻型存储单元，涉及非易失性存储器件技术领域，包括基板、下电极层、功能层、上电极层和绝缘介质层，下电极层覆盖在基板上，绝缘介质层覆盖在下电极层上，绝缘介质层上设有槽底通至下电极层的沟槽，沟槽内自上而下依次设有上电极层和功能层，功能层与下电极层直接接触，上电极层与绝缘介质层表面平齐设置。所述功能层为电阻变化型存储层，该功能层为上、下两层的叠层结构，其由非晶态的SnOx层和氮氧化物MnOxNy层叠层构成，其中，非晶态的SnOx中x的取值范围为0<x<2，氮氧化物MnOxNy中的
一种电阻存储单元

[发明专利]加载EBG表面的毫米波SIW喇叭天线-CN202010332112.2在审
发明人：张金平;杨溢;周志鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十四研究所
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明包括依次压合在一起的上EBG层金属板(4)、上EBG层介质基板(1)、上辐射层金属板(5)、辐射层介质基板(2)、下辐射层金属板(6)、下EBG层介质基板(3)和下EBG层金属板(7)，以及与上辐射层金属板(5)共面互连的馈电层金属板(8)，与下辐射层金属板(6)共面互连的馈电层金属地(9)；上EBG层金属板(4)上分布有金属贴片阵和金属化过孔(10)；上、下EBG层金属板结构一致，上下EBG层介质基板结构一致
加载 ebg 表面毫米波 siw 喇叭天线

[发明专利]一种基于石墨烯电极的反射式液晶移相单元-CN201611164009.1有效
发明人：邓光晟;蔡成刚;杨军;尹治平;陆红波;夏天雨;荆帅诚 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯电极的反射式液晶移相单元，包括有上、下两层介质基板，上、下两层介质基板的间隙中注入有液晶层，上层介质基板下表面设有若干通过连接线依次串联的金属贴片，形成一层金属微带结构；所述下层介质基板上表面全覆盖一层石墨烯层，形成石墨烯电极，下层介质基板下表面全覆盖一层金属层，形成金属接地电极。
一种基于石墨电极反射液晶单元

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111127890.9在审
发明人：贝帮坤;金兴成;杨晓芳;马凤麟 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：第一介质层，所述第一介质层开有通孔；MTM下极板，设于所述通孔的下部；MTM介质层，设于所述MTM下极板上；MTM上极板，设于所述通孔的上部，且位于所述MTM介质层上。本发明的MTM结构的介质层设于通孔中，介质层的侧壁被第一介质层包覆，因此不会裸露在外，可以避免介质层的侧壁沾污(inline defect)问题，防止inline defect导致的短路，从而实现芯片良率的提升
半导体结构及其制造方法

[发明专利]凸点下金属层和连接垫层的形成方法-CN200810114066.8有效
发明人：王新鹏;韩秋华;沈满华;孙武 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种凸点下金属层的形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属层、绝缘介质层及位于绝缘介质层中的凹槽，金属层位于绝缘介质层之上以及凹槽内；在金属层之上形成硬掩膜层；在硬掩膜层之上形成光刻胶层，定义出凸点下金属层形状；以光刻胶层为掩膜刻蚀硬掩膜层；去除光刻胶层；以硬掩膜层为掩膜刻蚀金属层；去除硬掩膜层。与现有技术相比，本发明重新安排了灰化和刻蚀凸点下金属层的工艺步序，使绝缘介质层在去除光刻胶的过程中有了金属层的保护，解决了绝缘介质层中聚酰亚胺大量损失的问题，有助于提高产品的良率。
凸点下金属连接垫层形成方法

[发明专利]一种下电极表面介质层及其制作工艺-CN202010388667.9在审
发明人：何新玉;赵浩;司奇峰 -专利权人：芜湖通潮精密机械股份有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种下电极表面介质层，所述下电极包括底层绝缘层、钨导电层、表面介质层和电极柱，所述表面介质层为密集分布凸点状结构，凸点为1～3μm方形或圆形，凸点高度10～30μm，凸点间距1～3μm，钨导电层设置在底层绝缘层与表面介质层之间，电极柱穿过底层绝缘层与钨导电层连接。本发明表面介质层为密集分布凸点状结构，凸点为1～3μm方形原形状或圆形，凸点高度10～30μm，凸点间距1～3μm，凸点大小小于或接近面板玻璃单个像素点尺寸。这种结构玻璃面板与下电极表面接触面积适中，同时又增加了下电极与玻璃面板之间的间隙，有效降低碎片及冷却不良等问题，同时类平板型轮廓解决了普通凸点型易出现Mura的问题，可以有效提高产品质量和良率。
一种电极表面介质及其制作工艺

[发明专利]一种板条激光增益介质及其制备方法-CN201611114112.5在审
发明人：刘磊;唐晓军;陈露;刘洋;赵鸿;王文涛;梁兴波 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种板条激光增益介质及其制备方法。本发明的板条激光增益介质包括复合区，及分别位于复合区左右两端的两个非掺杂区；复合区包括三层，由上到下依次为上掺杂层、非掺杂层及下掺杂层；非掺杂区及非掺杂层均由未掺杂激活离子的基质材料构成；上掺杂层和下掺杂层均由掺杂激活离子的基质材料构成，在上掺杂层和下掺杂层中激活离子具有多种掺杂浓度。借助于本发明的技术方案，可以实现板条激光增益介质工作时产生的废热通过最短的路径排出，从而保证了整个板条激光增益介质具有较高热负荷特性，同时维持了板条足够的刚性，利于光学精密加工。
一种板条激光增益介质及其制备方法

[发明专利]一种可用于机翼减阻的等离子体吸气装置-CN202010449474.X有效
发明人：郑博睿;翟阳;付钰伟;赵太飞;杨玉峰;武斌;张雯;葛畅 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： B64C3/36 文献下载
摘要：本发明公开的一种可用于机翼减阻的等离子体吸气装置，包括有绝缘壳体，绝缘壳体内部中心处设置有贯通的漏斗状空腔，绝缘壳体内漏斗状空腔的广口端设置有圆环状的第一绝缘介质层，第一绝缘介质层的中心处设置有圆盘状的第二绝缘介质层，第二绝缘介质层与第一绝缘介质层之间有环状空隙，环状空隙形成吸气孔，第一绝缘介质层通过若干个连接支杆与第二绝缘介质层连接；绝缘壳体内漏斗状空腔的窄口端设置有单向排气阀；第一绝缘介质层的下表面辐射有下电极，第二绝缘介质层内部埋设有上电极；上电极接地，下电极连接负直流脉冲高电压。
一种用于机翼等离子体吸气装置

[发明专利]一种半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202210975666.3在审
发明人：朱留洋 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中，方法包括：提供衬底，衬底上形成有支撑结构；在支撑结构内形成多个电容孔；在电容孔内形成下电极，下电极覆盖电容孔的侧壁和底部；形成第一介质层，第一介质层覆盖下电极的表面；形成第一上电极，第一上电极覆盖第一介质层的表面；去除位于电容孔之间的部分支撑结构，以形成容纳腔，容纳腔至少暴露出部分下电极，保留下来的支撑结构位于下电极的部分侧壁上；形成第二介质层，第二介质层覆盖容纳腔的侧壁和底部；形成第二上电极，第二上电极覆盖第二介质层和第一上电极的上表面。
一种半导体结构制备方法