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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种存储芯片三维堆叠封装方法-CN202310151088.6在审
发明人：曹峰哲;王新海;张裕杭;李晓俊 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储芯片三维堆叠封装方法，具体是一种改进的存储芯片三维堆叠封装方法。改进的三维堆叠封装方法能够简化诸如I/O再分布、侧墙绝缘、侧墙互连和封装成形等工艺；采用机械芯片三维堆叠封装原型成功地进行了验证，创建了最新设计的存储芯片三维堆叠封装。三维存储芯片堆叠封装的制造工艺包括：把晶圆切割成为芯片分段；包含侧墙绝缘的芯片钝化；在原始I/O焊盘上的通道开口；从中心焊盘到侧墙的再分配；采用聚合物胶粘剂的裸芯片堆叠技术；侧墙互连技术；焊球粘附。与传统三维封装相比，在此新的三维封装设计中，进行了显著的改进。
一种存储芯片三维堆叠封装方法

[实用新型]一种三维堆叠结构-CN202121801043.1有效
发明人：王玉冰;安爱女;左丰国 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三维堆叠结构，该三维堆叠结构包括结构本体以及设置于结构本体的表面的基准层。其中，结构本体包括第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆与第二晶圆面对面键合，第一晶圆中设置有多个存储单元，第二晶圆中设置有多个逻辑单元，每个逻辑单元与至少一个存储单元匹配，形成相应的三维堆叠单元。基准层包括多个与三维堆叠单元一一对应的基准单元，每个基准单元设置于相应三维堆叠单元的外围，用于标记相应三维堆叠单元所在的区域范围，以便对三维堆叠结构进行切割对准，从而有利于提高切割精度。
一种三维堆叠结构

[发明专利]通过有源层挖掘工艺而具有隔离的周边接触部的三维存储器器件-CN201680047973.8有效
发明人： S·S·S·维古纳塔;G·达马尔拉;J·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：描述了一种具有阵列区域和周边区域的三维存储器器件。所述阵列区域具有存储单元的三维堆叠体。所述周边区域具有从所述存储单元的三维堆叠体上方延伸到所述存储单元的三维堆叠体下方的接触部。所述周边区域大体上没有所述存储单元的三维堆叠体的导电和/或半导电层。
通过有源挖掘工艺具有隔离周边接触三维存储器器件

[发明专利]三维堆叠结构及其制作方法、切割对准方法-CN202110887792.9在审
发明人：王玉冰;安爱女;左丰国 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维堆叠结构及其制作方法、切割对准方法，该三维堆叠结构包括结构本体以及设置于结构本体的表面的基准层。其中，结构本体包括第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆与第二晶圆面对面键合，第一晶圆中设置有多个存储单元，第二晶圆中设置有多个逻辑单元，每个逻辑单元与至少一个存储单元匹配，形成相应的三维堆叠单元。基准层包括多个与三维堆叠单元一一对应的基准单元，每个基准单元设置于相应三维堆叠单元的外围，用于标记相应三维堆叠单元所在的区域范围，以便对三维堆叠结构进行切割对准，从而有利于提高切割精度。
三维堆叠结构及其制作方法切割对准方法

[发明专利]三维存储器的制备方法及离子注入装置-CN202010873525.1有效
发明人：孙璐 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维存储器的制备方法及离子注入装置。三维存储器的制备方法包括:提供衬底；在衬底上形成堆叠层，并刻蚀堆叠层，以形成贯穿堆叠层的沟道孔；对堆叠层背离衬底的表面离子注入。本申请提供的三维存储器的制备方法，通过注入离子以打断堆叠层中晶格的价键，释放堆叠层内部结构之间的应力，降低了堆叠层的翘曲度，有利于提高三维存储器绑定等工艺的准确性，从而有利于提高三维存储器制备方法的可靠性
三维存储器制备方法离子注入装置

[发明专利]使用卷积神经网络进行图像分割的系统和方法-CN201780066346.3有效
发明人：徐峤峰;韩骁 -专利权人：医科达有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本公开涉及用于分割三维图像的系统、方法、设备和非暂态计算机可读存储介质。在一个实现方式中，提供了一种用于分割三维图像的由计算机实现的方法。该方法可以包括：接收由成像设备获取的三维图像，以及创建来自三维图像的第一平面的第一二维图像堆叠和来自三维图像的第二平面的第二二维图像堆叠。该方法还可以包括：由处理器使用至少一个神经网络模型来分割第一二维图像堆叠和第二二维图像堆叠。该方法还可以包括：由处理器通过聚合来自第一堆叠和第二堆叠的分割结果来确定三维图像的标记图。
使用卷积神经网络进行图像分割系统方法

[发明专利]具垂直电性导通的三维堆叠芯片封装结构及其制造方法-CN200810099339.6有效
发明人：林俊德;郭子荧;张恕铭 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-05-21 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供一种具垂直电性导通的三维堆叠芯片封装结构及其制造方法，是利用硅片贯通孔技术在该三维堆叠芯片封装结构中形成至少一垂直贯穿孔，以建立该三维堆叠芯片封装结构垂直方向的电性连接，并且利用垫片上盲孔及这些贯穿孔之间重布线的设计，将该三维堆叠芯片封装结构的电性从一第一表面导引至相对的一第二表面。此外，本发明利用导电倒装包覆这些芯片之间彼此接合的垫片，防止这些垫片断裂，进而提高该三维堆叠芯片封装结构的可靠度。
垂直电性导通三维堆叠芯片封装结构及其制造方法

[发明专利]带有堆叠平台的三维图案冲压机-CN201811403081.4在审
发明人：陈哈仔 -专利权人：陈哈仔
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： B21D22/02 文献下载
摘要：本发明公开了带有堆叠平台的三维图案冲压机，包括有机座、支承架、卷料展开器、驱动压轮、导板支承架、导板、三维图案冲压阳模、三维图案冲压阴模、两个冲压缸和料盘；包括对冲压出三维图案的片状料进行分切的冲切机，还包括堆叠平台和升降气缸，堆叠平台设在升降气缸上且位于冲切机一侧，被冲切机分切后的带有冲压出三维图案的片状料落入堆叠平台上，升降气缸带动堆叠平台下移片状料厚度的距离，下一个被冲切机分切后的带有冲压出三维图案的片状料堆叠在前一个位于堆叠平台上的片状料的上面由于增设了能升降的堆叠平台，片状料堆叠到20片后，由铲车将状料堆叠件取走。
堆叠平台三维图案片状料冲压冲切机升降气缸分切冲压机支承架导板堆叠驱动压轮冲压缸堆叠件有机座展开器铲车和料卷料下移阳模阴模升降增设

[发明专利]用于测量三维半导体晶片上的掩埋缺陷的三维校准结构及方法-CN201880009672.5在审
发明人： P·梅斯热;R·M·丹恩 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-02-03 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种用于测量半导体装置上的掩埋缺陷的三维校准结构。所述三维校准结构包含具有一或多个经编程表面缺陷的缺陷标准晶片DSW。所述三维校准结构包含沉积于所述DSW上的平坦化层。所述三维校准结构包含沉积于所述平坦化层上的层堆叠。所述层堆叠包含两个或多于两个交替层。所述三维校准结构包含沉积于所述层堆叠上的罩盖层。在沉积所述罩盖层之后，在所述层堆叠中形成一或多个气隙。所述三维校准结构包含形成到所述罩盖层、所述层堆叠或所述平坦化层中的至少一者中的一或多个孔。
校准结构三维层堆叠沉积平坦化层罩盖层掩埋半导体晶片测量半导体编程表面缺陷标准交替层晶片气隙测量

[发明专利]一种生物样本高分辨率图像获取方法-CN201911042218.2在审
发明人：费鹏;方春钰;初婷婷 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G06T3/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种生物样本高分辨率图像获取方法，包括：获取一张各维稀疏的低分辨率三维堆叠图像，该三维堆叠图像为通过贝塞尔光片显微成像系统采集的生物样本的图像；基于上述三维堆叠图像的分辨率及实际所需的高分辨率，构建压缩感知法中三维的系统点扩散函数，并基于上述三维堆叠图像的稀疏度，由稀疏度与正则化因子成反比，对压缩感知法中的正则化因子取值；基于系统点扩散函数和正则化因子的取值，采用压缩感知法，将上述三维堆叠图像重建为高分辨率图像本发明将具有高通量高分辨率等特点的贝塞尔光片显微成像系统与压缩感知结合，对单张三维堆叠图像采用改进的压缩感知法进行高分辨率图像求解，高效且准确。
一种生物样本高分辨率图像获取方法

[发明专利]三维堆叠存储芯片及电子设备-CN202210759041.3在审
发明人：白泽青 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本申请提供一种三维堆叠存储芯片及电子设备。该三维堆叠存储芯片包括：层叠连接的若干存储晶粒和逻辑晶粒；逻辑晶粒与若干存储晶粒层叠连接，且逻辑晶粒包括与外界连通的第一接口；其中，至少一存储晶粒中设置有检测电路，至少一存储晶粒中设置的检测电路分别与第一接口连接该三维堆叠存储芯片有效减少了第一接口在三维堆叠存储芯片上的占用面积，降低了三维堆叠存储芯片的制造成本。
三维堆叠存储芯片电子设备

[发明专利]三维半导体设备和制造三维半导体设备的方法-CN202310174400.3在审
发明人：李昇珉;金南局;金保延;金载锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及三维半导体设备和制造三维半导体设备的方法。一种三维半导体设备包括存储器块，该存储器块包括堆叠结构、穿过堆叠结构形成的多个通道塞以及形成在存储器块中的分隔图案，该堆叠结构包括形成在第一子堆叠上方的第二子堆叠。
三维半导体设备制造方法

[发明专利]三维堆叠式光接口存储器和光数据处理装置-CN202111202738.2在审
发明人：江喜平;左丰国;周小锋 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H04Q11/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种三维堆叠式光接口存储器和光数据处理装置。三维堆叠式光接口存储器包括存储芯片和接口芯片。存储芯片用于存储数据，存储芯片包括第一键合面。接口芯片包括第二键合面，第一键合面与第二键合面形成三维异质集成结构，以将接口芯片与存储芯片三维堆叠连接，形成三维堆叠式光接口存储器。本申请实施例无需经过其他元件，即可实现数据的存储和读取，缩短了数据的传输路径，减少数据的传输时间，提高数据的传输效率，并且提高了三维堆叠式光接口存储器处理数据的带宽，进一步确保了三维堆叠式光接口存储器的使用性能
三维堆叠接口存储器数据处理装置

[发明专利]三维堆叠式射频接口存储器和射频数据处理装置-CN202111204208.1在审
发明人：江喜平;左丰国;周小锋 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种三维堆叠式射频接口存储器和射频数据处理装置。三维堆叠式射频接口存储器包括存储芯片和接口芯片。存储芯片用于存储数据，存储芯片包括第一键合面。接口芯片包括第二键合面。第一键合面与第二键合面形成三维异质集成结构，以将接口芯片与存储芯片三维堆叠连接，形成三维堆叠式射频接口存储器。本申请实施例无需经过其他元件，即可实现数据的存储和读取，缩短数据的传输路径，减少数据的传输时间，提高数据的传输效率，并且提高三维堆叠式射频接口存储器处理数据的带宽，确保三维堆叠式射频接口存储器的使用性能
三维堆叠射频接口存储器数据处理装置

[实用新型]三维堆叠式光接口存储器和光数据处理装置-CN202122498359.4有效
发明人：江喜平;左丰国;周小锋 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H04Q11/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种三维堆叠式光接口存储器和光数据处理装置。三维堆叠式光接口存储器包括存储芯片和接口芯片。存储芯片用于存储数据，存储芯片包括第一键合面。接口芯片包括第二键合面，第一键合面与第二键合面形成三维异质集成结构，以将接口芯片与存储芯片三维堆叠连接，形成三维堆叠式光接口存储器。本申请实施例无需经过其他元件，即可实现数据的存储和读取，缩短了数据的传输路径，减少数据的传输时间，提高数据的传输效率，并且提高了三维堆叠式光接口存储器处理数据的带宽，进一步确保了三维堆叠式光接口存储器的使用性能
三维堆叠接口存储器数据处理装置

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