[发明专利]静态半导体存储器

摘要

存储单元(1)具备n阱(2)和p阱(3)。字线(9c)在存储单元(1)延伸，将n阱(2)和p阱(3)配置在字线(9c)的延伸方向上。而且，相对于1个存储单元(1)设置1条字线(9c)，字线(9c)由金属构成。通过使字线为一条，可容易地用金属布线构成字线，降低字线的电阻，由此可抑制字线延迟。

主权项

1.一种静态半导体存储器，包括：一对存取晶体管；一条字线，所述字线连接到所述一对存取晶体管的公用栅电极；第一晶体管区，第一晶体管区设有连接到所述存取晶体管的一对负载晶体管；第二晶体管区，第二晶体管区设有所述一对存取晶体管和一对驱动晶体管，所述一对驱动晶体管连接到所述存取晶体管和所述负载晶体管，所述第二晶体管区邻近所述第一晶体管区而设置并由此按与所述字线平行的方向延伸；位线对，所述位线对与所述字线正交地延伸，由包含金属的布线构成，并连接到所述存取晶体管；电源线，所述电源线与所述字线正交地延伸，由包含所述金属的布线构成，并连接到所述负载晶体管。