[发明专利]具有低电阻区的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98100440.7 | 申请日： | 1998-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN1192584A | 公开（公告）日： | 1998-09-09 |
| 发明（设计）人： | 仓本和典 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/82;H01C7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件,在直接或经绝缘膜形成在半导体衬底上的低电阻导电层和形成在该导电层上的金属互连层之间具有低电阻区。此金属互连层部分地具有开口部分,在该开口部分,该层在平面上不连续,并且所形成的低电阻导电层在此开口部分具有所要求的平面图形。此金属互连层是用电镀形成的,所以该低电阻区的再现性提高了。另外,由于金属互连层和低电阻区是叠加起来的,因此省去了它们之间的接触,从而减少了面积和制造步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电阻 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；具有低电阻并形成在所述半导体衬底上的第一导电层；及形成在所述第一导电层上的第二导电层；其特征在于，所述第二导电层部分地具有开口部分，在该开口部分，所述第二导电层在平面上是不连续的，由所述第一导电层构成的并具有所要求的平面图形的低电阻区形成在该开口部分中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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