[发明专利]具有低电阻区的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98100440.7 | 申请日： | 1998-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN1192584A | 公开（公告）日： | 1998-09-09 |
| 发明（设计）人： | 仓本和典 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/82;H01C7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 电阻 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体衬底；
具有低电阻并形成在所述半导体衬底上的第一导电层；及
形成在所述第一导电层上的第二导电层；
其特征在于，所述第二导电层部分地具有开口部分，在该开口部分，所述第二导电层在平面上是不连续的，由所述第一导电层构成的并具有所要求的平面图形的低电阻区形成在该开口部分中。
2.如权利要求1的器件，其特征在于，所述半导体衬底包括化合物半导体衬底。
3.如权利要求1的器件，其特征在于，所述第一导电层直接形成在所述半导体衬底上。
4.如权利要求1的器件，其特征在于，所述第一导电层经绝缘膜形成在所述半导体衬底上。
5.如权利要求1的器件，其特征在于，所述第二导电层包括一金属互连层。
6.如权利要求1的器件，其特征在于，所述第一导电层包括一单金属层。
7.如权利要求1的器件，其特征在于，所述第一导电层包括多金属层的多层膜。
8.如权利要求1的器件，其特征在于，所述第一和第二导电层形成为具有相同宽度的互连图形，并且所述第一导电层在所述第二导电层的开口部分具有所要求的宽度。
9.如权利要求5的器件，其特征在于，所述金属互连层包括选择地形成在所述第一导电层上的金属镀层。
10.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：
在半导体衬底上形成具有低电阻的第一导电层；
在所述第一导电层上形成具有所要求图形的第一掩模；
用所述第一掩模通过金属电镀形成相应于所述第一掩模的并在所述第一导电层上具有开口部分的第二导电层；
在包括所述第二导电层开口部分的区域内形成第二掩模；及
用所述第二导电层和所述第二掩模腐蚀所述第一导电层。
11.如权利要求10的方法，其特征在于，第一导电层的形成步骤是直接在所述半导体衬底上进行的。
12.如权利要求10的方法，其特征在于，第一导电层的形成步骤是经形成在所述半导体衬底上的绝缘膜进行的。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
