[发明专利]可表面连接的半导体桥接元件、器件和方法

摘要

一种半导体元件例如半导体桥接元件(30)是可以表面安装的,因为其上具有一个金属层,此金属层是由金属接合区(44)和电连接器(45a、45b和45c)构成的,它们端接于该元件后表面(35)上的电触点(47)。该元件还可选择性地包括背对背齐纳二极管(46a、46b),以提供无偏防静电放电保护。尤其是,当构成为半导体桥接元件(30)时,该元件主要可用作爆炸元件的点火器(13)。该元件可以由包括交叉切割技术的方法制成,其中,在硅晶片衬底(56)的前表面(58)中切割形成的沟槽(60)与在此晶片后表面(62)中切割形成的沟槽(64)交叉。交叉的沟槽(60、64)在晶片(56)中形成多个孔,孔和沟槽有助于界定多个具有侧表面的模片。一个电介质层(48)淀积在晶片(56)上,一层多晶硅薄膜(52)淀积在电介质层(48)上。随后在晶片上淀积一个金属层(44、45a－45c和47),同时仍然保持其完好无损,以便提供从元件(30)的顶表面(34)沿侧表面(66a、66b和66c以及68a、68b和68c)至底表面(35)的电连接,从而使模片构成半导体元件(30)。元件(30)被分离,并且在不需要连接线(14)的情况下,一个给定元件的电触点(47)可以通过焊接被直接安装至一个管座(36)等。

主权项

1.一种由一个衬底晶片制造多个半导体元件的方法，所述晶片具有一个前表面和一个后表面，该方法包括以下步骤：(a)在一个硅衬底晶片的至少一个表面上涂覆一个电介质层；(b)在电介质层上淀积一层多晶硅薄膜；(c)在衬底晶片中形成多个开口，这些开口从晶片的前表面穿过晶片延伸至其后表面，从而界定了从晶片的前表面延伸至后表面的侧表面，这些开口的设置适于从衬底晶片切割出多个模片，每个模片具有一对对置的侧表面；(d)在晶片上以及通过开口在前表面、后表面和侧表面上淀积一个金属层，以便通过侧表面在模片上在前表面和后表面之间形成连续的导电路径；(e)对多晶硅薄膜和金属层进行掩模和蚀刻，以便在模片上形成所需的电路，从而由模片构成半导体元件；和(f)将半导体元件从衬底晶片上分离并且将各半导体元件相互分离。