[发明专利]窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 96117551.6 | 申请日： | 1996-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1053528C | 公开（公告）日： | 2000-06-14 |
| 发明（设计）人： | 李平;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12;H01L27/092 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利事务所 | 代理人： | 严礼华 |
| 地址： | 610054 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明给出了一簇新型ＭＯＳＦＥＴ，其特征在于采用了不同于器件衬底材料的窄禁带异质材料做为器件的源区或源、漏区，使器件中的寄生ＢＪＴ的发射结成为异质结，并且具有βDS的影响;含有本发明器件所组成的CMOSIC也彻底消除了闭锁效应;本发明还给出了窄禁带异质材料的选取原则;本发明工艺制造容易,还可节省芯片面积,是一种性能好、实用性强的窄禁带源漏区ＭＯＳＦＥＴ。 | ||
| 搜索关键词： | 窄禁带源漏区 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管(MOHET)其特征是在已有的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的基础上，其源区采用了窄禁带异质材料或源、漏区均采用了窄禁带异质材料构成的P沟(N沟)MOHET。
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