[发明专利]半导体集成电路无效
| 申请号： | 95109627.3 | 申请日： | 1995-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1104743C | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 丹场裕子;长谷明广;冈崎孝男 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;日立东部半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在由多个电子电路组成的半导体集成电路(这些电路分别配置了实现信号传输的接口电路并由多个独立的电源引线端供电)中配置了保护元件，它们分别具有在电源正常状态下使元件关闭的高阈值电压，并将避免静电击穿的一电阻和一二极管连到位于电路间执行信号传输的接口电路的一个输入MOSFET的栅上。即使当触摸时的静电引起的高压加到各电源引线端时，通过保护元件或包含电阻和二极管的防止静电击穿电路，可避免接口电路的静电击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，它包括：一个半导体衬底；在该半导体衬底上形成的第一电路和第二电路；一个在该半导体衬底上形成的第一电源引线端，用于给第一电路提供一个第一工作电压，和一个在该半导体衬底上形成的第二电源引线端，用于给第二电路提供一个第二工作电压；连到第一电源引线端并在该第一电路中延伸的第一电源连线；在第一电路中延伸的第一参考电位连线；连到第二电源引线端并在第二电路中延伸的第二电源连线；在第二电路中延伸的第二参考电位连线；配置在第一电路中并串联在第一电源连线和第一参考电位连线间的第一MOSFET和第二MOSFET；配置在第二电路中并串联在该第二电源连线和该第二参考电位连线间的第三MOSFET和第四MOSFET，以及一个连到该第一、第二、第三和第四MOSFET上、用于将第一电路的输出信号传输到第二电路的信号连线，其中该第一和第二电源连线在半导体衬底上是电学上相互独立的，其特征在于还包括：一个包括连接在该信号连线与第二参考电位连线之间的MOSFET的保护元件，该元件用于在一个过电压加到该信号连线上时防止使第四MOSFET的击穿。
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