[发明专利]金属氧化物半导体场效应管电源开关

摘要

功率MOSFET1含有跨接在其栅极G和源极S间并与MOSFET热连接的闸流晶体管2。当MOSFET导通，负载3在正常状态则闸流晶体管截止。如负载3短路，当温度超过预定值，闸流晶体管导通，且使MOSFET截止，此时，连接到漏极D和源极S的电源内寄生布线电感7，8产生瞬变电压。串联电阻10和闸流晶体管与申接在漏极D和栅极g间的齐纳二极管11和整流二极管12保持漏一栅和漏一源电压为安全值以抑制瞬变电压。瞬变能量通过流经MOSFET的电流耗散掉。MOSFET的截止时刻取决于寄生电感7，8。

主权项

1、一种MOSFET功率开关装置包括MOSFET(1)和与MOSFET的栅极(G)电连接且与MOSFET热连接的半导体开关(2)，该装置是这样的：如果MOSFET导通且所接的负载(3)处于正常状态，则半导体开关(2)截止，如果MOSFET导通而负载(3)处在短路状态，则当在MOSFET中产生的热使温度高于预定温度时，半导体开关(2)就导通，同时，导通状态的半导体开关(2)使MOSFET截止。上述装置还包括抑制瞬变电压的装置，所述瞬变电压是这样产生的：当MOSFET随半导体开关(2)导通而截止时，连接到MOSFET的漏极(D)和源极(S)的电源里的寄生布线电感(7，8)将产生瞬变电压，其特征在于：瞬变电压抑制装置包括第一抑制装置(11，12)和第二抑制装置(11，12，2，10，5)两部分，当半导体开关(2)导通时，第一抑制装置(11，12)把由漏极(D)上的初始寄生感应电压振幅产生的漏一栅电压(Vdg)限制在预定值内，当半导体开关(2)导通时，第二抑制装置(11、12、2、10、5)响应源极(S)的初始感应电压振幅而确定一个初始的栅一源电压(Vgs)，使其足以保持MOSFET(1)导通，但不大于其预定值，这样，瞬变电压抑制装置使瞬变能量以流过MOSFET的电流的方式耗散掉，MOSFET的截止时刻取决于上述寄生布线电感(7，8)的值。