[发明专利]一种金属氧化物超导薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 89101507.8 | 申请日： | 1989-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1045658A | 公开（公告）日： | 1990-09-26 |
| 发明（设计）人： | 白国仁;陶卫;谢雷鸣;王蓉;宗家庭;章熙康;刘玉琼 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | H01B12/06 | 分类号： | H01B12/06;H01L39/24 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 沈德新 |
| 地址： | 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是一种金属氧化物高温超导薄膜的制备技术。它用钇、钡、铜金属有机物或铋、锶、钙、铜金属有机物或铊、钙、钡、铜金属有机物作有机源，在改进的金属有机物化学气相沉积系统中，氧参与的情况下，以等离子激励，代替或增强热解反应，从而直接在单晶衬底片上沉积生长临界温度在液氮温区的光亮、致密氧化物高温超导薄膜。是一种兼有化学气相沉积和物理气相沉积氧化物超导薄膜优点的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 超导 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属氧化物高温超导薄膜的制备方法，包括在金属有机物化学气相沉积系统中加热衬底单晶片、抽真空，升华有机源，并由载气输送到反应室以及通入反应氧气，其特征在于a.气相反应由等离子激励，代替或增强热解；b.等离子发生器高频耦合为电容式或电感式；c.沉积氧化物超导薄膜工艺参数为：载气流速10-1000标准毫升/分氧气流速5-500标准毫升/分反应室中辉光压力0.1-10乇辉光功率50-3000瓦单晶衬底片温度为：室温-900℃有机源升华温度100-300℃。
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- 文胜铉;J.德里斯科尔;A.库鲁苏莫维奇;J.费甘 - 株式会社瑞蓝;剑桥企业有限公司
- 2021-05-13 - 2022-05-06 - H01B12/06
- 本发明提供超导线材及其形成方法。所述超导线材包括基材、在基材上的超导膜和在超导膜中的钉扎中心。所述超导膜包括Y
- 专利分类
