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[发明专利]超导层的连接结构、超导导线、超导线圈、超导装置、以及超导层的连接方法-CN202180005114.3在审
发明人：萩原将也;江口朋子;阿尔贝萨惠子;服部靖 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：根据实施方式所述的超导层的连接结构具备：第一超导层；第二超导层；以及设置在第一超导层和第二超导层之间的连接层，所述连接层包含含有稀土元素(RE)、钡(Ba)、铜(Cu)和氧(O)的晶粒，所述晶粒具有包含双峰分布的粒径分布。
超导连接结构导线线圈装置以及方法

[发明专利]荧光体及其制造方法、以及使用了该荧光体的发光装置-CN202011484047.1在审
发明人：平松亮介;田村淳;石田邦夫;阿尔贝萨惠子;加藤雅礼 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C09K11/61 文献下载
摘要：本发明提供发光效率较高的红色发光荧光体、发光器件以及荧光体的制造方法。所述红色发光荧光体的特征在于：其基本组成用式：Ka(Si1‑x,Mnx)Fb表示，在测定该荧光体的拉曼光谱的情况下，出现在拉曼位移为600±10cm‑1的范围且归属于晶体中的Mn‑F键的峰值强度相对于出现在拉曼位移为650±10cm‑1的范围且归属于晶体中的Si‑F键的峰值强度之比为0.09～0.22。该荧光体可以通过使硅源与氟化氢相对于高锰酸钾的摩尔比为87～127的反应溶液接触来制造。
荧光及其制造方法以及使用发光装置

[发明专利]荧光体及其制造方法、以及使用了该荧光体的发光装置-CN201480065679.0在审
发明人：平松亮介;田村淳;石田邦夫;阿尔贝萨惠子;加藤雅礼 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C09K11/61 文献下载
摘要：本发明提供发光效率较高的红色发光荧光体、发光器件以及荧光体的制造方法。所述红色发光荧光体的特征在于：其基本组成用式：K_a(Si_1‑x,Mn_x)F_b表示，在测定该荧光体的拉曼光谱的情况下，出现在拉曼位移为600±10cm^‑1的范围且归属于晶体中的Mn‑F键的峰值强度相对于出现在拉曼位移为650±10cm^‑1的范围且归属于晶体中的Si‑F键的峰值强度之比为0.09～0.22。该荧光体可以通过使硅源与氟化氢相对于高锰酸钾的摩尔比为87～127的反应溶液接触来制造。
荧光及其制造方法以及使用发光装置

[发明专利]荧光体、发光装置和用于生产荧光体的方法-CN201510589653.2在审
发明人：三石严;加藤雅礼;服部靖;福田由美;阿尔贝萨惠子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明的实施方案是提供具有有利的温度特性的荧光体，所述荧光体可发射具有宽的半宽发射谱的黄光，并且具有高量子效率。当用在250nm到500nm的波长范围中具有发光峰的光激发时，所述荧光体发射黄光，并且具有与Sr₂Al₃Si₇ON₁₃的晶体结构基本上相同的晶体结构。在根据使用Cu-Kα线的Bragg-Brendano法的所述荧光体的X射线衍射中检测的在35.2°到35.6°的范围中的衍射峰位置2θ处的峰的半宽是0.10°或更小。
荧光发光装置用于生产方法

[发明专利]发光装置-CN201510214240.6在审
发明人：石田邦夫;阿尔贝萨惠子;服部靖;加藤雅礼 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供发光效率提高的发光装置。本发明的实施方式的发光装置具备：发出近紫外光或蓝色光的激发光的发光元件；式(1)所示的将激发光变换成黄色光的黄色荧光体；以及含有将黄色荧光体包围的树脂、黄色荧光体的体积浓度为7％以下并且具有平行于发光元件的发光面的截面的截面积大于发光面的区域的黄色色变换层，(Sr_1-x1Ce_x1)_a1AlSi_b1O_c1N_d1 (1)；其中，在式(1)中，x1、a1、b1、c1、d1满足以下的关系，0＜x1≤0.1、0.6＜a1＜0.95、2.0＜b1＜3.9、0＜c1＜0.45、4.0＜d1＜5.0。
发光装置

[发明专利]磷光体和磷光体的制备方法以及使用所述磷光体的发光装置-CN201510092361.8无效
发明人： 阿尔贝萨惠子;福田由美;石田邦夫;三石严;冈田葵;服部靖;平松亮介;加藤雅礼 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-03-02 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本公开内容的实施方案提供了一种在峰波长范围是250nm到500nm的光激发下展现在565nm到600nm波长范围内的发射峰的磷光体。所述发射峰的半宽度是包括两端端值的115nm到180nm。这一磷光体具有Sr₂Si₇Al₃ON₁₃的晶体结构，且由铈活化。
磷光体制备方法以及使用发光装置

[发明专利]磷光体、发光装置及制造磷光体的方法-CN201510084975.1无效
发明人：福田由美;阿尔贝萨惠子;石田邦夫;加藤雅礼 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本公开的实施方案提供一种发黄光的磷光体，所述磷光体三是由式(1)表示：((Sr_pM_1-p)_1-xCe_x)_2yAl_zSi_10-zO_uN_w。在该式中，M是至少一种碱土金属，并且p、x、y、z、u及w是满足以下条件的数字：0≤p≤1，0<x≤1，0.8≤y≤1.1，2≤z≤3.5，0<u≤1，1.8≤z-u及13≤u+w≤15。当激发光的峰在350nm到475nm范围内变化时，所述磷光体的发射峰在小于15nm范围内偏移。
磷光体发光装置制造方法

[发明专利]荧光体、发光装置及荧光体的制造方法-CN201410088682.6无效
发明人：福田由美;阿尔贝萨惠子;三石岩 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明提供一种温度特性十分优异并能够高度有效地发射在发光光谱中具有宽的半宽度的黄光的荧光体。该荧光体通过具有250nm～500nm的峰值波长的光的激励而发射具有500nm～600nm的峰值波长的荧光，并由下式（1）表达：(M_1-xCe_x)_2yAl_zSi_10-zO_uN_vC_w (1)M主要是Sr，并且可部分地被选自包含Ba、Ca和Mg的组的至少一种元素置换；x、y、z、u、v和w分别满足0<x≤1、0.8≤y≤1.1、2≤z≤3.5、0<u≤1.5、0.01≤w≤0.1和13≤u+v+w≤15的条件。
荧光发光装置制造方法

[发明专利]荧光物质和采用其的光发射器件-CN201410075958.7无效
发明人：冈田葵;加藤雅礼;阿尔贝萨惠子;福田由美;三石岩;服部靖 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： C09K11/86 文献下载
摘要：本发明涉及一种荧光物质和采用其的光发射器件。本实施方案提供一种具有高光效率的黄色发光物质。该荧光物质由式（1）表示，（M_1-xRE_x）_2yAl_zSi_10-zO_uN_wCl_α （1）（式中，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Li、Na和K中的至少一种元素），且其在250-500nm的光的激励时发出在500-600nm具有峰的发光。
荧光物质采用发射器件

[发明专利]发光装置-CN201110050912.6有效
发明人：三石严;石田邦夫;福田由美;冈田葵;松田直寿;布上真也;阿尔贝萨惠子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-03-03 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明涉及发光装置，具有：基板；安装于基板p主面的发光元件；红色荧光体层，是在发光元件上形成的半径为r的半圆状且含有式(1)的红色荧光体：(M1-x1Eux1)aSibAlOcNd(1)(M是从IA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、除Al外的IIIB族元素、稀土族元素及IVB族元素选取的元素，x1、a、b、c、d满足以下关系：0＜x1≤1、0.60＜a＜0.95、2.0＜b＜3.9、0.04≤c≤0.6、4＜d＜5.7)；透明树脂的中间层，形成于红色荧光体层上且是半径为D的半圆状；和绿色荧光体层，形成于中间层上且是半圆状并含有绿色荧光体，半径r和半径D的关系满足式(2)：2.0r(μm)≤D≤(r+1000)(μm)(2)。
发光装置

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