[其他]离子注入半导体瞬时退火设备

摘要

本发明为离子注入半导体瞬时退火设备，属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高(每小时六十片以上)。退火后电激活率高，注入离子再扩散小。本发明既适合于制作1μm短沟超大规模集成电路和浅PN结(结深为0.2μm)器件，又适合于离子注入化合物半导体退火。本发明还能用于绝缘层上多晶硅再结晶、磷硅玻璃回流、难熔金属硅化物形成和浅PN结的欧姆结制作。

主权项

1.一种离子注入半导体瞬时退火设备，由高频加热炉、双色红外无接触式测温仪、充保护气装置、机械传动和控制装置、石英退火腔构成，其特征在于所说的石英退火腔包括矩形石英管和固定于管内的石墨板，石英导轨以及可以在导轨上滑动的石英片架、推动石英片架的石英杆，石墨板和石英退火腔外的高频线圈组成了红外辐射光源，石英导轨和石英片架、石英杆构成了半导体片的传动系统，可使半导体片快速推至石墨板上方和拉出退火区，退火腔内充有气体，是热对流和热传导的媒介。