[其他]离子注入半导体瞬时退火设备

权利要求书

1、一种离子注入半导体瞬时退火设备，由高频加热炉、双色红外无接触式测温仪、充保护气装置、机械传动和控制装置、石英退火腔构成，其特征在于所说的石英退火腔包括矩形石英管和固定于管内的石墨板、石英导轨以及可以在导轨上滑动的石英片架、推动石英片架的石英杆，石墨板和石英退火腔外的高频线圈组成了红外辐射光源，石英导轨和石英片架、石英杆构成了半导体片的传动系统，可使半导体片快速推至石墨板上方和拉出退火区，退火腔内充有气体，是热对流和热传导的媒介。

2、按权利要求1所说的瞬时退火设备，其特征在于所充气体可为高纯氮气，也可为高纯氮氢混合气。

3、按权利要求1和2所说的瞬时退火设备，其特征是可用于绝缘层上多晶硅（SOI）的再结晶，只要将石墨加热器改变一下形状，使SOI形成细条状熔区，当形成熔区后将石英片架缓慢拉出石墨加热区则可完成再结晶。

4、按权利要求1和2所说的瞬时退火设备，其特征是可用于形成，难熔金属硅化物和制备浅结的欧姆结，只需将硅片温度升至共晶温度，热处理时间仍只需几秒。