[实用新型]处理装置及半导体工艺设备有效
| 申请号: | 202320682766.7 | 申请日: | 2023-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN219195132U | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
| 发明(设计)人: | 宋宇;柳雪;阚金卓 | 申请(专利权)人: | 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/513 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 崔熠 |
| 地址: | 110000 辽宁省沈*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | 一种处理装置及半导体工艺设备,涉及半导体技术领域。该处理装置包括:静电卡盘、真空泵、控制器以及检测机构;检测机构包括检测管路、设置于检测管路上的第一压力检测计和第一阀门;静电卡盘上设有沿第一方向贯通的贯通孔,第一方向为待检测物和静电卡盘的排布方向;检测管路的一端和真空泵连接、另一端穿过贯通孔以吸附位于静电卡盘上的待检测物;第一压力检测计用于检测待检测物背面的压力值,控制器与第一压力检测计电连接用于根据压力值确定晶圆的吸附状态。该处理装置能够在静电吸附过程中检测待检测物的背面压力,从而检测待检测物的吸附状态。 | ||
| 搜索关键词: | 处理 装置 半导体 工艺设备 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





