[实用新型]处理装置及半导体工艺设备

说明书

一种处理装置及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。该处理装置包括：静电卡盘、真空泵、控制器以及检测机构；检测机构包括检测管路、设置于检测管路上的第一压力检测计和第一阀门；静电卡盘上设有沿第一方向贯通的贯通孔，第一方向为待检测物和静电卡盘的排布方向；检测管路的一端和真空泵连接、另一端穿过贯通孔以吸附位于静电卡盘上的待检测物；第一压力检测计用于检测待检测物背面的压力值，控制器与第一压力检测计电连接用于根据压力值确定晶圆的吸附状态。该处理装置能够在静电吸附过程中检测待检测物的背面压力，从而检测待检测物的吸附状态。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种处理装置及半导体工艺设备。

背景技术

随着半导体器件中存储器密度的增大，多堆叠结构的晶片弯曲度也会增大，在等离子体增强化学的气相沉积工艺(PECVD)中，需要使用静电吸附装置提供静电吸附力，以使晶圆牢固地吸附在静电吸附装置上并保持平坦，以避免晶圆在进行工艺处理过程中发生移位或者错位。而晶圆在静电吸附装置上的吸附状态的稳定性将会直接影响晶圆上薄膜的成膜质量，因此，实时检测静电吸附装置与晶圆间的吸附状态显得尤为重要。

现有技术中对晶圆吸附状态的判断方法主要包括以下两种，一种是利用PIN顶升机构从晶圆下方去顶晶圆，通过PIN顶升机构中的扭矩传感器测试值的变化推导出作用力的变化，进而判断晶圆是否为吸附状态；二是通过直流电路中的电流变化趋势并设定阈值来判断吸附状态。然而，扭矩检测的方法通常只能在工艺结束后进行(即静电吸附状态解除后进行检测)，因为若在静电吸附状态中利用PIN顶升机构去顶升晶圆，很容易导致晶圆碎裂，从而影响工艺进程；通过电流检测的方法虽然可以避免晶圆碎裂的问题，但其存在因局部的吸附不充分，而导致电流参数无法反馈出来，进而将会影响检测精度，造成晶圆成膜质量差的问题。因此，亟需一种新的处理装置以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种处理装置及半导体工艺设备，该处理装置及半导体工艺设备能够在静电吸附过程中检测待检测物的背面压力，从而检测待检测物的吸附状态。

本实用新型的实施例是这样实现的：

本实用新型的一方面，提供一种处理装置，该处理装置包括：静电卡盘、真空泵、控制器以及检测机构；检测机构包括检测管路、设置于检测管路上的第一压力检测计和第一阀门；静电卡盘上设有沿第一方向贯通的贯通孔，第一方向为待检测物和静电卡盘的排布方向；检测管路的一端和真空泵连接、另一端穿过贯通孔以吸附位于静电卡盘上的待检测物；第一压力检测计用于检测待检测物背面的压力值，控制器与第一压力检测计电连接用于根据压力值确定待检测物的吸附状态。该处理装置能够在静电吸附过程中检测待检测物的背面压力，从而检测待检测物的吸附状态。

可选地，检测机构还包括连接于半导体工艺设备的腔室和真空泵之间的第一管路、设置于第一管路上的压力控制阀、第二管路，以及设置于第二管路上的第二阀门；第二管路的一端连接于第一管路上、另一端连接于检测管路上，第一阀门位于检测管路和第二管路的连接处与真空泵之间；压力控制阀位于第二管路和第一管路的连接处和真空泵之间。

可选地，检测机构还包括第三阀门，第三阀门设置于检测管路上，且位于检测管路和第二管路的连接处与待检测物之间。

可选地，第一阀门为气动阀、液压阀和电动阀中的任意一种。

可选地，检测机构还包括与控制器电连接的报警器，控制器用于根据第一压力检测计的压力信号控制报警器告警。

可选地，报警器为声光报警器或语音报警器。

可选地，检测管路远离真空泵的一端和静电卡盘的上表面平齐。

可选地，检测机构包括多个，多个检测机构和多个待检测物一一对应，用于检测每个待检测物的吸附状态。

本实用新型的另一方面，提供一种半导体工艺设备，该半导体工艺设备包括腔室和上述的处理装置。