[实用新型]处理装置及半导体工艺设备有效
| 申请号: | 202320682766.7 | 申请日: | 2023-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN219195132U | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
| 发明(设计)人: | 宋宇;柳雪;阚金卓 | 申请(专利权)人: | 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/513 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 崔熠 |
| 地址: | 110000 辽宁省沈*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 半导体 工艺设备 | ||
1.一种处理装置,其特征在于,包括:静电卡盘(200)、真空泵(310)、控制器(320)以及检测机构(330);所述检测机构(330)包括检测管路(331)、设置于所述检测管路(331)上的第一压力检测计(332)和第一阀门(333);
所述静电卡盘(200)上设有沿第一方向贯通的贯通孔(210),所述第一方向为待检测物(500)和所述静电卡盘(200)的排布方向;所述检测管路(331)的一端和所述真空泵(310)连接、另一端穿过所述贯通孔(210)以吸附位于所述静电卡盘(200)上的待检测物(500);所述第一压力检测计(332)用于检测所述待检测物(500)背面的压力值,所述控制器(320)与所述第一压力检测计(332)电连接用于根据所述压力值确定所述待检测物(500)的吸附状态。
2.根据权利要求1所述的处理装置,其特征在于,所述检测机构(330)还包括连接于半导体工艺设备的腔室(100)和所述真空泵(310)之间的第一管路(334)、设置于所述第一管路(334)上的压力控制阀(335)、第二管路(336),以及设置于所述第二管路(336)上的第二阀门(337);
所述第二管路(336)的一端连接于所述第一管路(334)上、另一端连接于所述检测管路(331)上,所述第一阀门(333)位于所述检测管路(331)和所述第二管路(336)的连接处与所述真空泵(310)之间;所述压力控制阀(335)位于所述第二管路(336)和所述第一管路(334)的连接处和所述真空泵(310)之间。
3.根据权利要求2所述的处理装置,其特征在于,所述检测机构(330)还包括第三阀门(338),所述第三阀门(338)设置于所述检测管路(331)上,且位于所述检测管路(331)和所述第二管路(336)的连接处与所述待检测物(500)之间。
4.根据权利要求1所述的处理装置,其特征在于,所述第一阀门(333)为气动阀、液压阀和电动阀中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的处理装置,其特征在于,所述检测机构(330)还包括与所述控制器(320)电连接的报警器(339),所述控制器(320)用于根据所述第一压力检测计(332)的压力信号控制所述报警器(339)告警。
6.根据权利要求5所述的处理装置,其特征在于,所述报警器(339)为声光报警器(339)或语音报警器(339)。
7.根据权利要求1所述的处理装置,其特征在于,所述检测管路(331)远离所述真空泵(310)的一端和所述静电卡盘(200)的上表面平齐。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的处理装置,其特征在于,所述检测机构(330)包括多个,多个所述检测机构(330)和多个所述待检测物(500)一一对应,用于检测每个所述待检测物(500)的吸附状态。
9.一种半导体工艺设备,其特征在于,包括腔室(100)和如权利要求1至8中任意一项所述的处理装置。
10.根据权利要求9所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述半导体工艺设备还包括第二压力检测计(400),所述第二压力检测计(400)用于检测所述腔室(100)内的压力。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





