[实用新型]半导体湿法刻蚀设备排气处理装置有效
| 申请号： | 202320667754.7 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN219393351U | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 宋时旺 | 申请（专利权）人： | 盛奕半导体科技（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 杨民 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体湿法刻蚀设备排气处理装置，包括转筒组件，其结构包括一端开口并相互嵌套外筒和内筒，内筒能够在外筒中转动，且内筒上开设有通风孔；电机组件，与内筒进行连接，可精确控制内筒的转动角度；连接风箱，包括两个开口，且其中一个开口插入外筒中并与通风孔对接，且随着通风孔的转动改变开口大小；抽风管，抽风管上设置有记录风压的压力传感器。本实用新型结构紧凑、合理，操作方便，可主动提供稳定的、可调控的风量和风压，在半导体湿法刻蚀设备的排气处理上存在良好的裨益，能够对多个湿法刻印腔室单独精准稳压控制，根据实时压力或设定压力自动调整通风孔的开度，从而控制湿法刻印腔室内的风量和风压，以达到主动控压的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 湿法 刻蚀 设备 排气 处理 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
