[实用新型]半导体湿法刻蚀设备排气处理装置有效
| 申请号: | 202320667754.7 | 申请日: | 2023-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN219393351U | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
| 发明(设计)人: | 宋时旺 | 申请(专利权)人: | 盛奕半导体科技(无锡)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 杨民 |
| 地址: | 214000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 湿法 刻蚀 设备 排气 处理 装置 | ||
1.半导体湿法刻蚀设备排气处理装置,位于湿法刻蚀腔室和风机之间,其特征在于,包括:
转筒组件(1),其结构包括一端开口并相互嵌套外筒(101)和内筒(102),外筒(101)连接于用于抽风的风机,内筒(102)能够在外筒(101)中转动,且内筒(102)上开设有通风孔(103);
电机组件(2),与内筒(102)进行连接,可精确控制内筒(102)的转动角度;
连接风箱(3),包括两个开口,且其中一个开口插入外筒(101)中并与通风孔(103),且该开口与通风孔(103)的形状和大小相对应;
抽风管(4),其一端连接于连接风箱(3)的另一个开口,另一端连接于湿法刻蚀腔室,同时抽风管(4)上设置有记录风压的压力传感器(401)。
2.如权利要求1所述的半导体湿法刻蚀设备排气处理装置,其特征在于:所述外筒(101)的开口处连接有与风机对接的法兰。
3.如权利要求1所述的半导体湿法刻蚀设备排气处理装置,其特征在于:所述外筒(101)的内壁下端连接有限制风从外筒(101)和内筒(102)缝隙中通过的环形隔板。
4.如权利要求1所述的半导体湿法刻蚀设备排气处理装置,其特征在于:所述电机组件(2)包括伺服电机以及与伺服电机相连减速机(201),减速机(201)通过安装座(202)连接在外筒(101)上,减速机(201)的驱动轴通过联轴器(204)与内筒(102)相互连接,安装座(202)内连接有与联轴器(204)相对并记录联轴器(204)转动位置的光电传感器(203)。
5.如权利要求4所述的半导体湿法刻蚀设备排气处理装置,其特征在于:还包括控制面板,控制面板内设置有PLC控制器,且PLC控制器分别与湿法刻蚀腔室、风机、压力传感器(401)、伺服电机和光电传感器(203)相连。
6.如权利要求1所述的半导体湿法刻蚀设备排气处理装置,其特征在于:所述外筒(101)和内筒(102)之间设置有轴承。
7.如权利要求1所述的半导体湿法刻蚀设备排气处理装置,其特征在于:所述通风孔(103)为矩形,且连接风箱(3)与通风孔(103)对接的开口也是同通风孔(103)大小相对应的矩形。
8.如权利要求1所述的半导体湿法刻蚀设备排气处理装置,其特征在于:
本装置与湿法刻蚀腔室一一对应,同时风机与本装置采用一对多对应。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





