[实用新型]半导体器件框架及防反接、高频整流、共阴可控硅模块有效
| 申请号： | 202320068323.9 | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN219163392U | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 郭剑;蒋李望;高定健 | 申请（专利权）人： | 扬州市扬晶电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 周全 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州市邗*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 半导体器件框架及防反接、高频整流、共阴可控硅模块。涉及一种多用途半导体封装器件框架结构的改进，以及多种半导体器件。将分立器件“集成”化，以促使应用电路的小型化，进而提高生产效率，降低功能电路成本。本实用新型的框架包括相互绝缘的框架片一~五，框架片一~五布设在一矩形形状范围内；框架片一~五分别设有引出端子一~五，在框架片二和框架片四上分别设有基岛A和基岛B；框架片一为基岛A的连接端，框架片五为基岛B的连接端，框架片三为公共连接端。本实用新型的五脚框架结构模式，能适应多种不同功能器件的应用，在两个基岛上设置不同的芯片，可以实现防反接、高频整流、共阴可控硅模块的应用；使得功能多元化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 框架 反接 高频 整流 可控硅 模块 | ||
【主权项】：
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