[发明专利]一种半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202311191701.3 | 申请日： | 2023-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN116936476A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 洪繁;谢荣源;林滔天;祝进专;张星池 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海汉之律师事务所 31378 | 代理人： | 林安安 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构至少包括：半导体衬底，半导体衬底中设置有浅槽隔离结构和阱区；隧道氧化层，设置在半导体衬底上，隧道氧化层覆盖在部分阱区上和部分浅槽隔离结构上；浮栅层，设置在隧道氧化层上；多个隔离沟槽，穿过浮栅层和隧道氧化层，与阱区或浅槽隔离结构的表面接触；隔离层，设置在隔离沟槽内，隔离层连接于阱区或浅槽隔离结构，且隔离层位于相邻的浮栅层之间；隔离氧化层，设置在隔离层和浮栅层上，且所述隔离氧化层覆盖所述隔离沟槽的部分侧壁；以及控制栅层，设置在隔离氧化层上。本发明提供的半导体结构及其制造方法，能够防止存储单元之间发生漏电流，提升非易失性存储器的数据保存能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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