[发明专利]一种半导体结构的制作方法在审
| 申请号： | 202311061699.8 | 申请日： | 2023-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN116779544A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 陶磊 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海汉之律师事务所 31378 | 代理人： | 林安安 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成结构层；在所述衬底远离所述结构层一侧的表面上形成牺牲氧化层；刻蚀部分所述牺牲氧化层和部分所述衬底，形成深沟槽；界面修复处理所述深沟槽，并去除所述牺牲氧化层；在所述衬底以及所述深沟槽的底部和侧壁上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成第二介质层；以及在所述第二介质层上沉积绝缘介质。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，能够降低包括半导体结构的半导体器件的暗电流，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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