[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在审
| 申请号： | 202311034813.8 | 申请日： | 2023-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN116759500A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/02;H01L33/00;H01L33/26 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 陈冬莲 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，该外延片包括外延片，包括衬底及层叠于衬底上的外延片，外延片包括沿外延方向依次层叠的电子阻挡层及P型层，电子阻挡层与P型层之间设有插入层；插入层包括沿外延方向依次层叠的第一空穴加速层、中间缓冲层及第二空穴加速层；第一空穴加速层为由第一MgN子层与AlInGaN子层周期性交替生长而成的超晶格结构，中间缓冲层为石墨烯层，第二空穴加速层为由第二MgN子层与InGaN子层周期性交替生长而成的超晶格结构。本发明可有效提升发光二极管的发光效率，增加外延片的表面平整度，提升抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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