[发明专利]一种特征图形处理方法、沟道结构及四氯化硅使用方法在审
| 申请号： | 202310919129.1 | 申请日： | 2023-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN116844942A | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 吉斌斌;吴长明;冯大贵;余鹏;孙建;周乾;李安东 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种特征图形处理方法、沟道结构及四氯化硅使用方法；于工件预设厚度的图形、图形对应的沟槽侧边构造一调整结构，即第三介质层（030），并通过改变其厚度来实现对工件特征尺寸的干预；其中，第三介质层（030）的厚度，即第三厚度的增加促使特征图形的目标线宽或关键尺寸CD（Critical Dimension），亦即第九宽度（090）获得减小的趋势；进而克服了相关技术中关键尺寸CD与参考尺寸或基准尺寸BL（BaseLine）不匹配的技术问题；同时，其沟道结构亦给出了实现上述过程的核心构造；相应地，第三介质层（030）可采用沉积的氧化层承担，而四氯化硅的使用方法在上述过程的实现中也达成了同样的发明构思；在预设的组分配比下，将进一步改进特征图形的处理效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 特征 图形 处理 方法 沟道 结构 氯化 使用方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
