[发明专利]一种碳化硅单晶生长用炉体及其加工工艺在审
| 申请号： | 202310745398.0 | 申请日： | 2023-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN116479528A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 潘燕萍 | 申请（专利权）人： | 常州市乐萌压力容器有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B27/00 |
| 代理公司： | 常州万为知识产权代理事务所(普通合伙) 32441 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 213000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅单晶炉技术领域，尤其提供一种碳化硅单晶生长用炉体及其加工工艺。该碳化硅单晶生长用炉体包括炉体外壳、导流组件、两个加热组件、坩埚组件以及控制组件。本发明过将炉体外壳、导流组件、两个加热组件及坩埚组件合理装配，在减少气流排出行程、防止出现气体乱流的同时还利用惰性气流，使得坩埚处的温度均匀分布，在现碳化硅单晶生长用炉体内横向温度不均匀时，运用控制组件及在加热组件，使得坩埚组件处惰性气流量上升，且将惰性气流方向从原本垂直流向坩埚变为倾斜围绕坩埚绕流流动上升，进一步增加了坩埚周围温度的均匀性，达到坩埚周围的温度均匀分布，从而保证单晶硅生长的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 生长 用炉体 及其 加工 工艺 | ||
【主权项】：
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