[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202310732103.6 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN116963582A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王慧琳;许家彰;翁宸毅;谢晋阳;张境尹 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，首先形成一金属间介电层于一基底上，然后形成一金属内连线于金属间介电层内，形成一下电极层于金属间介电层上，其中下电极层包含一浓度梯度，形成一自由层于下电极层上，形成一上电极层于自由层上，再图案化该上电极层、该自由层以及该下电极层以形成一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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