[发明专利]一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置在审
| 申请号： | 202310687754.8 | 申请日： | 2023-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN116936403A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王政雄 | 申请（专利权）人： | 广西华芯振邦半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B08B3/02;B08B3/14;H01L21/687 |
| 代理公司： | 苏州创策知识产权代理有限公司 32322 | 代理人： | 冯燕云 |
| 地址： | 530000 广西壮族自治*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置，包括有作为对去胶结构安装设置的清洗结构，所述清洗结构包括对零部件安装设置的翻盖箱体，且翻盖箱体上设有轴承槽的连接板，同时轴承槽同样通过翻盖箱体正下方设有零部件控制调节的控制板，依次控制板通过翻盖箱体与连接线电性连接，所述翻盖箱体通过连接板正下方设有带安装槽的安装板，且安装板通过安装槽内部设有对清洗水过滤的过滤网，所述安装板设有与去胶结构零部件安装设置的离心电机，且离心电机上设有带通槽的防护罩，同时防护罩通过通槽内部设有防清洗水渗透于防护罩下方的密封圈，该一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置，通过设置的过滤网从而起到过滤拦截效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 电镀 后去胶 清洗 一体化 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广西华芯振邦半导体有限公司，未经广西华芯振邦半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310687754.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种被动源面波数据规则干扰压制方法及系统
- 下一篇：梯形拉延筋设计方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
