[发明专利]一种LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202310569099.6 | 申请日： | 2023-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN116666522A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00;H01L33/56 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，该方法包括：在芯片主体的表面生成钝化层，具体为，在芯片主体的表面涂覆第一厚度的第一PHPS胶层，并于第一温度下对第一PHPS胶层的表层进行水解，以生成多孔层；于第二温度下对剩余第一PHPS胶层进行氧化，以在多孔层的正下方生成钝化层；在多孔层的表面涂覆第二厚度的第二PHPS胶层，对第二PHPS胶层进行紫外光照处理，以形成隔离结构。通过本申请，改善了利用第一PHPS胶层转化成钝化层的过程中氧化硅容易出现梯度分布问题，加快了生成钝化层的时间，以便于厂中大面积生产，同时还有利于提升产品的外量子效率，除此之外，利用隔离结构隔离外界水汽进入到产品中，对产品进行保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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