[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片，包括芯片主体，其特征在于，还包括依次叠置于所述芯片主体上的钝化层、多孔层和隔离结构，所述钝化层和所述多孔层一体成型，所述多孔层包括随机分布的若干通孔，所述钝化层经所述通孔与外部气体接触，所述隔离结构用于吸收外界水汽，以使所述钝化层隔离所述外界水汽。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述隔离结构包括叠置的氧化硅膜层和吸收层，所述氧化硅膜层和所述吸收层通过对PHPS胶层进行紫外线光照一体成型。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述吸收层的材质为全氢聚硅氮烷。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述芯片主体包括自下而上依次叠置的衬底、外延结构、电流阻挡层、电流扩展层和电极结构，所述衬底、所述外延结构、所述电流阻挡层、所述电流扩展层和所述电极结构组合形成芯片外围轮廓，所述钝化层覆盖于所述芯片外围轮廓上。

5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述电极结构的材质为Cr、Al、Ti、Pt或Au中的至少一种。

6.一种LED芯片的制备方法，用于制备权利要求1至5任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述方法包括：

在芯片主体的表面生成钝化层，具体为，在所述芯片主体的表面涂覆第一厚度的第一PHPS胶层，并于第一温度下对所述第一PHPS胶层的表层进行水解，以生成多孔层；于第二温度下对剩余第一PHPS胶层进行氧化，以在所述多孔层的正下方生成钝化层；

在所述多孔层的表面涂覆第二厚度的第二PHPS胶层，对所述第二PHPS胶层进行紫外光照处理，以形成隔离结构。

7.根据权利要求6所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述在芯片主体的表面生成钝化层的步骤之前，所述方法还包括：

获取一衬底，并在所述衬底上外延生长出外延结构，所述外延结构包括依次叠置的N型半导体层、有源层和P型半导体层；

对所述外延结构刻蚀预设深度，以暴露出所述N型半导体层；

在所述P型半导体层上镀第三厚度的氧化硅层，并针对所述氧化硅层采用光刻刻蚀技术制备得到电流阻挡层；

在所述电流阻挡层上蒸镀形成第四厚度的导电结构，并于第三温度下对所述导电结构进行退火处理后，在所述导电结构和暴露出的所述N型半导体层上分别制备得到电极结构。

8.根据权利要求6所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一厚度为300nm-1000nm，所述第一温度为150℃-250℃，所述第二温度为350℃-450℃。

9.根据权利要求6所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述于第一温度下对所述第一PHPS胶层的表层进行水解，以生成多孔层的步骤包括：

于第一温度下向所述第一PHPS胶层通入水汽，以使所述PHPS胶层中表层的氢离子和氮离子进行水解以生成氢气和氨气，排出所述氢气和所述氨气，以生成多孔层，所述多孔层包括随机分布的若干通孔。

10.根据权利要求9所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述于第二温度下对剩余第一PHPS胶层进行氧化，以在所述多孔层的正下方生成钝化层的步骤包括：

于第二温度下向所述多孔层通入氧气，所述氧气经若干所述通孔与剩余第一PHPS胶层发生氧化反应，以生成钝化层，所述剩余第一PHPS胶层为未被水解的所述第一PHPS胶层。