[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

说明书

本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，该方法包括：在芯片主体的表面生成钝化层，具体为，在芯片主体的表面涂覆第一厚度的第一PHPS胶层，并于第一温度下对第一PHPS胶层的表层进行水解，以生成多孔层；于第二温度下对剩余第一PHPS胶层进行氧化，以在多孔层的正下方生成钝化层；在多孔层的表面涂覆第二厚度的第二PHPS胶层，对第二PHPS胶层进行紫外光照处理，以形成隔离结构。通过本申请，改善了利用第一PHPS胶层转化成钝化层的过程中氧化硅容易出现梯度分布问题，加快了生成钝化层的时间，以便于厂中大面积生产，同时还有利于提升产品的外量子效率，除此之外，利用隔离结构隔离外界水汽进入到产品中，对产品进行保护。

技术领域

本发明涉及半导体材料领域，特别涉及一种LED芯片及其制备方法。

背景技术

随着LED技术的快速发展以及LED光效的逐步提高，LED的应用将越来越广泛。随着全球性能源短缺问题的日益严重，人们越来越关注LED在照明市场的发展前景，LED将是取代白炽灯、钨丝灯和荧光灯的潜力光源。

目前，常规的LED芯片结构包括衬底、外延结构、电流阻挡层、导电结构，和钝化层，其中，通常采用气相沉积法来制作钝化层，然而相比于气相沉积方法，PHPS转化法工艺简便，易于实施，并且致密性也满足需求。但在实际制备过程中，由于表面首先形成致密的氧化层，阻碍了空气中氧气扩散进入在工样品,继而呈现出氧化硅的梯度分布，加大生成的时间，影响产能，不利于厂中大面积投产。

发明内容

基于此，本发明的目的是提供一种LED芯片及其制备方法，以解决现有技术中的不足。

为实现上述目的，本发明提供了一种LED芯片，包括芯片主体，还包括依次叠置于所述芯片主体上的钝化层、多孔层和隔离结构，所述钝化层和所述多孔层一体成型，所述多孔层包括随机分布的若干通孔，所述钝化层经所述通孔与外部气体接触，所述隔离结构用于吸收外界水汽，以使所述钝化层隔离所述外界水汽。

优选的，所述隔离结构包括叠置的氧化硅膜层和吸收层，所述氧化硅膜层和所述吸收层通过对PHPS胶层进行紫外线光照一体成型。

优选的，所述吸收层的材质为全氢聚硅氮烷。

优选的，所述芯片主体包括自下而上依次叠置的衬底、外延结构、电流阻挡层、电流扩展层和电极结构，所述衬底、所述外延结构、所述电流阻挡层、所述电流扩展层和所述电极结构组合形成芯片外围轮廓，所述钝化层覆盖于所述芯片外围轮廓上。

优选的，所述电极结构的材质为Cr、Al、Ti、Pt或Au中的至少一种。

为实现上述目的，本发明还提供了一种LED芯片的制备方法，用于制备上述中所述的LED芯片，所述方法包括：

在芯片主体的表面生成钝化层，具体为，在所述芯片主体的表面涂覆第一厚度的第一PHPS胶层，并于第一温度下对所述第一PHPS胶层的表层进行水解，以生成多孔层；于第二温度下对剩余第一PHPS胶层进行氧化，以在所述多孔层的正下方生成钝化层；

在所述多孔层的表面涂覆第二厚度的第二PHPS胶层，对所述第二PHPS胶层进行紫外光照处理，以形成隔离结构。

优选的，所述在芯片主体的表面生成钝化层的步骤之前，所述方法还包括：

获取一衬底，并在所述衬底上外延生长出外延结构，所述外延结构包括依次叠置的N型半导体层、有源层和P型半导体层；

对所述外延结构刻蚀预设深度，以暴露出所述N型半导体层；

在所述P型半导体层上镀第三厚度的氧化硅层，并针对所述氧化硅层采用光刻刻蚀技术制备得到电流阻挡层；

在所述电流阻挡层上蒸镀形成第四厚度的导电结构，并于第三温度下对所述导电结构进行退火处理后，在所述导电结构和暴露出的所述N型半导体层上分别制备得到电极结构。