[发明专利]一种掩模版图形的校正方法及装置有效
申请号: | 202310491664.1 | 申请日: | 2023-05-05 |
公开(公告)号: | CN116224708B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 刘秀梅;罗招龙;杜宇 | 申请(专利权)人: | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 苗晓娟 |
地址: | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种掩模版图形的校正方法及装置,所述校正方法包括以下步骤:输入目标图形和模拟图形;根据模拟图形对目标图形进行循环校正,并预设总循环次数、循环次数阈值和关键尺寸阈值;预设校正系数和校正量阈值,根据目标图形和模拟图形的尺寸差值、校正系数和循环干涉量,获取目标图形的循环修正量,并将循环修正量设为下一次校正循环的循环干涉量;根据循环修正量或校正量阈值调整目标图形,获取初始修正图形;当目标图形的校正循环次数大于等于循环次数阈值,根据初始修正图形的尺寸与关键尺寸阈值的差值,调整初始修正图形,获得校验修正图形;以及当目标图形的校正循环次数达到总循环次数,输出校验修正图形或初始修正图形。 | ||
搜索关键词: | 一种 模版 图形 校正 方法 装置 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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