[发明专利]一种掩模版图形的校正方法及装置

说明书

本发明公开了一种掩模版图形的校正方法及装置，所述校正方法包括以下步骤：输入目标图形和模拟图形；根据模拟图形对目标图形进行循环校正，并预设总循环次数、循环次数阈值和关键尺寸阈值；预设校正系数和校正量阈值，根据目标图形和模拟图形的尺寸差值、校正系数和循环干涉量，获取目标图形的循环修正量，并将循环修正量设为下一次校正循环的循环干涉量；根据循环修正量或校正量阈值调整目标图形，获取初始修正图形；当目标图形的校正循环次数大于等于循环次数阈值，根据初始修正图形的尺寸与关键尺寸阈值的差值，调整初始修正图形，获得校验修正图形；以及当目标图形的校正循环次数达到总循环次数，输出校验修正图形或初始修正图形。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种掩模版图形的校正方法及装置。

背景技术

光学邻近效应校正（Optical Proximity Correction，OPC）是一种光刻增强技术，主要在半导体器件的生产过程中使用，能够保证生产过程中设计的图形的边缘得到完整的刻蚀。对半导体结构进行光刻时，因光的波粒二象性，在关键尺寸较小的情况下，投影图像容易出现违规行为。例如实际投影得到的线宽比设计图形更窄或更宽，以及图像因光学分辨图形造成的失真。

如果不对投影图形进行纠正，将会极大地影响成品中集成电路的电性能。而现有的校正手段中，OPC校正过程复杂，且校正后仍旧难以保证图形曝光后具有足够的工艺窗口。

发明内容

本发明的目的在于提供一种掩模版图形的校正方法，提升了光学邻近校正的精度和效率，从而提升了成品半导体的电学性能。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种掩模版图形的校正方法，至少包括：

输入目标图形和模拟图形；

根据所述模拟图形对所述目标图形进行循环校正，并预设总循环次数、循环次数阈值和关键尺寸阈值；

预设校正系数和校正量阈值，根据所述目标图形和所述模拟图形的尺寸差值、所述校正系数和循环干涉量，获取所述目标图形的循环修正量，并将所述循环修正量设为下一次校正循环的所述循环干涉量；

根据所述循环修正量或所述校正量阈值调整所述目标图形，获取初始修正图形；

当所述目标图形的校正循环次数大于等于所述循环次数阈值，根据所述初始修正图形的尺寸与所述关键尺寸阈值的差值，调整所述初始修正图形，获得校验修正图形；以及

当所述目标图形的校正循环次数达到所述总循环次数，输出所述校验修正图形或所述初始修正图形。

在本发明一实施例中，获取所述初始修正图形的步骤包括：

当所述循环修正量大于等于所述校正量阈值，根据所述校正量阈值调整所述目标图形的关键尺寸，获得所述初始修正图形；以及

当所述循环修正量小于所述校正量阈值，根据所述循环修正量调整所述目标图形的关键尺寸，获得所述初始修正图形。

在本发明一实施例中，获取所述循环修正量依据以下公式：

D_i=n+1=b*（a+D_i=n）；

其中，D_i=n+1为所述循环修正量，b为所述校正系数，a为所述目标图形和所述模拟图形的关键尺寸差值，D_i=n为所述循环干涉量，i为所述目标图形进行校正循环的回合数，n为自然数。

在本发明一实施例中，所述总循环次数和所述循环次数阈值的差值为2次或3次。