[发明专利]NbAs掺杂Ta的外尔半金属材料及其制备方法在审
申请号: | 202310439781.3 | 申请日: | 2023-04-23 |
公开(公告)号: | CN116497447A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 邱海龙;杨焱杰;赵博进;胡章贵;吴以成 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | C30B29/10 | 分类号: | C30B29/10;C30B29/02;C30B25/00;C22C27/02;C22C32/00 |
代理公司: | 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) 14111 | 代理人: | 张宏 |
地址: | 300384 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种NbAs掺杂Ta的外尔半金属材料及其制备方法,将块状金属铌箔和钽箔放入石英管,然后向石英管内加入砷粉,最后在石英管中加碘单质作为运输剂,封住石英管口;将石英管放入装有干冰和丙酮溶液的烧杯内,石英管抽真空处理后将石英管密封;将密封后的石英管放入管式炉中,先以15℃/min升温到200~220℃;再以4℃/min升到500~550℃保温30~40min;然后以5℃/h升温到600~700℃;继续以4℃/h升温到1000~1100℃并保温5~10天;保温结束后停止反应并冷却至室温。本发明采用化学气相运输法生长,在高真空密闭环境中生长,合成出的晶体结晶度高、质量好,重复性高。 | ||
搜索关键词: | nbas 掺杂 ta 外尔半 金属材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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