[发明专利]NbAs掺杂Ta的外尔半金属材料及其制备方法在审
申请号: | 202310439781.3 | 申请日: | 2023-04-23 |
公开(公告)号: | CN116497447A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 邱海龙;杨焱杰;赵博进;胡章贵;吴以成 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | C30B29/10 | 分类号: | C30B29/10;C30B29/02;C30B25/00;C22C27/02;C22C32/00 |
代理公司: | 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) 14111 | 代理人: | 张宏 |
地址: | 300384 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | nbas 掺杂 ta 外尔半 金属材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种NbAs掺杂Ta的外尔半金属材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一,将块状金属铌箔和钽箔放入石英管,然后向石英管内加入砷粉,最后在石英管中加碘单质作为运输剂,封住石英管口;所述块状钽箔和铌箔为经过精细破碎后的小尺寸碎片,其厚度为0 .013~0 .022 mm,大小为(1 .5~2 .5)×(1 .5~2 .5)mm 2;
步骤二,将石英管放入装有干冰和丙酮溶液的烧杯内;
步骤三,将石英管抽真空处理后将石英管密封;
步骤四,将密封后的石英管放入管式炉中,先以15℃/min升温到200~220℃;再以4℃/min升到500~550℃保温30~40min;然后以5℃/h升温到600~700℃;继续以4℃/h升温到1000~1100℃并保温7~10天;保温结束后停止反应并冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤一中,以摩尔比计,铌箔:钽箔:砷粉:碘粉=1.00:1.00:(1.40~1.50):(0.50 ~0.70)。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于:步骤三中,将石英管抽至真空度为1×10-4Pa ~4×10-4Pa后密封。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:步骤四中,先以15℃/min升温到210℃。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:步骤四中,再以4℃/min升到530℃。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:步骤四中,然后以5℃/h升到650℃。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于:步骤四中,继续以4℃/h升到1050℃。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的方法制备获得的NbAs掺杂Ta的外尔半金属材料。
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