[发明专利]一种半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202310409290.4 | 申请日： | 2023-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN116153972B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 大田裕之;中嶋伸惠;石田浩 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 苗晓娟 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，属于半导体技术领域。所述半导体装置包括：半导体衬底；源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区，设置在半导体衬底内，漏极轻掺杂区和源极轻掺杂区间隔设置；栅极氧化层，设置在所述半导体衬底上，所述栅极氧化层包括第一分部和第二分部，第二分部的厚度大于第一分部的厚度，第一分部设置在源极轻掺杂区和部分漏极轻掺杂区的上方，第二分部设置在部分漏极轻掺杂区的上方，且靠近源极轻掺杂区设置；漏极重掺杂区，设置在第二分部远离源极轻掺杂区一侧的所述漏极轻掺杂区内，且所述漏极重掺杂区的界面深度小于漏极轻掺杂区的界面深度。通过本发明提供的一种半导体装置及其制造方法，能够提高半导体装置的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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